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51. 发明公开

KR1020080015336A 에틸렌 디티오 카보네이트의 제조방법 有权
标题翻译：制备乙烯二氧化碳的方法
公开(公告)号：KR1020080015336A
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：KR1020060076897
申请日：2006-08-14
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 하용준 , 정현민 , 이철행 , 박진현 , 임영민 , 안정애 , 고정환 , 드미트리포고체프
IPC分类号： C07D339/06 , C07D339/02
摘要： A method for preparing ethylene dithiocarbonate is provided to obtain economically desired product with high yield through a simple process of introducing relatively cheap metal alkoxide, CS2 and 2-haloethanol into one reactor in sequence. A method for preparing ethylene dithiocarbonate comprises the steps of: (a) reacting metal alkoxide with CS2 to prepare metal alkylxanthate; (b) reacting the metal alkylxanthate with 2-haloethanol to prepare hydroxyethylalkyl xanthate; and (c) heating the hydroxyethylalkyl xanthate at a temperature of 65-200 deg.C to prepare the ethylene dithiocarbonate, wherein the metal alkoxide is selected from the group consisting of sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium propoxide, sodium i-propoxide, sodium butoxide, sodium t-butoxide, sodium pentoxide, sodium phenoxide, sodium alpha-methylphenoxide, potassium methoxide, potassium ethoxide, potassium propoxide, potassium i-propoxide, potassium butoxide, potassium t-butoxide, potassium pentoxide, potassium phenoxide and potassium alpha-methylphenoxide, and the 2-haloethanol is selected from the group consisting of 2-fluoroethanol, 2-chloroethanol, 2-bromoethanol and 2-iodoethanol.
摘要翻译：提供制备乙烯二硫代碳酸酯的方法，通过简单的方法将相对便宜的金属醇盐，CS2和2-卤代乙醇依次引入一个反应器中，从而获得了高产率的经济上需要的产物。制备亚乙基二硫代碳酸酯的方法包括以下步骤：（a）使金属醇盐与CS2反应以制备烷基金属烷基金属盐; （b）使金属烷基黄原酸酯与2-卤代乙醇反应制备羟乙基烷基黄原酸酯; 和（c）在65-200℃的温度下加热羟乙基烷基黄原酸酯以制备乙烯二硫代碳酸酯，其中金属醇盐选自甲醇钠，乙醇钠，丙醇钠，异丙醇钠，钠丁醇钠，叔丁醇钠，五氧化二磷，苯酚钠，α-甲基苯酚钠，甲醇钾，乙醇钾，丙醇钾，异丙醇钾，丁醇钾，叔丁醇钾，五氧化二磷，苯酚钾和α-甲基苯酚钾，2-卤代乙醇选自2-氟乙醇，2-氯乙醇，2-溴乙醇和2-碘乙醇。

52. 发明授权

KR100708970B1 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물 有权
标题翻译：铜多晶TFT的复合组合物
公开(公告)号：KR100708970B1
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020040103560
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 변요한 , 하용준 , 서성우 , 박찬효 , 안경호 , 권혁준 , 한희
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본 발명은 차세대 반도체 소자 및 액정표시소자의 제조에 사용되는 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물, 이를 이용하는 금속 배선의 식각 방법, 및 이 식각 방법을 사용하여 제조되는 액정표시장치 및 반도체 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명의 식각 용액 조성물은 조성물 총중량에 대하여 (a)과산화수소수 5 내지 40 중량부; (b)화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 첨가제 a 0.1 내지 10 중량부; (c)화학식 4 또는 화학식 5 로 표시되는 첨가제 b 0.1 내지 10 중량부; 4)화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 첨가제 c 0.05 내지 5 중량부; 5)아미노산, 아미노산 복합체 또는 화학식 8로 표시되는 첨가제 d 0.1 내지 10 중량부 6)화학식 9 또는 화학식 10으로 표시되는 첨가제 e 0.01 내지 2 중량부 및 탈이온수로 이루어지는 것을 특징으로 하고, 상기 식각 용액 조성물은 구리 몰리브덴막의 동시 식각을 가능하게 하며, 특히 기존의 식각 용액 조성물에 비하여, 테이퍼 프로파일, 시디 로스, 테일 랭스, 케파시티 등의 식각 특성이 우수하다.
식각 용액, 구리, 구리 몰리브덴, 구리 합금막

53. 发明公开

KR1020060117667A 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 有权
标题翻译：剥离器组合物
公开(公告)号：KR1020060117667A
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1020050040115
申请日：2005-05-13
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박찬효 , 하용준 , 박민춘 , 변요한 , 권혁준 , 한희 , 안경호 , 서성우
IPC分类号： G03F7/42
摘要： Photoresist stripper composition containing particular anti-corrosion agent with specific structure is provided to conveniently and clearly remove modified and cured photoresist film caused by photolithography and wet etching process at high or low temperature, and minimize corrosion of insulating film. The photoresist stripper composition consists of: (a) 5 to 50wt.% of water soluble organic amine compound; (b) 20 to 70wt.% of aprotic alkyleneglycol monoalkylether compound with boiling point more than 150deg.C; (c) 0.01 to 70wt.% of polar non-aprotic solvent; and (d) an anti-corrosive agent selected from compounds represented by formula(1). In the formula(1), R1, R2, R3 and R4 are hydrogen, hydroxy group or alkyl group having carbon atoms ranging from 1 to 4, and R5 and R6 are independently hydroxyalkyl group having carbon atoms ranging from 1 to 4.
摘要翻译：提供含有特定结构特定防腐蚀剂的光刻胶剥离剂组合物，以便在高温或低温下通过光刻和湿蚀刻工艺方便且清楚地除去由光刻和湿蚀刻工艺引起的改性和固化的光致抗蚀剂膜，并使绝缘膜的腐蚀最小化。光致抗蚀剂剥离剂组合物由以下组成：（a）5〜50重量％的水溶性有机胺化合物; （b）20〜70重量％的沸点超过150℃的非质子性亚烷基二醇单烷基醚化合物; （c）0.01〜70重量％极性非质子溶剂; 和（d）选自式（1）表示的化合物的抗腐蚀剂。在式（1）中，R 1，R 2，R 3和R 4为氢，羟基或碳原子数为1至4的烷基，R 5和R 6独立地为碳原子数为1至4的羟基烷基。

54. 发明公开

KR1020060067460A 플루오르에틸렌 카보네이트의 제조방법 有权
标题翻译：氟乙烯碳酸酯的制备方法
公开(公告)号：KR1020060067460A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020040106245
申请日：2004-12-15
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정현민 , 이철행 , 김용호 , 박진현 , 하용준 , 임영민
IPC分类号： C08G64/42 , C08G64/22 , C08G64/26
摘要： 본 발명은 플루오르에틸렌 카보네이트(fluoroethylene carbonate)의 신규 제조방법을 제공한다. 상기 신규 제조방법은 크게 2가지로 나뉘며, 첫째는 에틸렌 카보네이트를 불화염, 염소화 시약 및 라디칼 개시제와 혼합 및/또는 적가하여 불소화하는 것을 특징으로 하며, 둘째는 (a) 에틸렌 카보네이트 및 염소화 시약을 혼합하여 클로로에틸렌 카보네이트를 제조하는 단계; 및 (b) 클로로에틸렌 카보네이트에 불화염을 첨가하여 불소 치환하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 플루오르에틸렌 카보네이트의 제조방법은 유독성인 불소 기체 및 불소화 시약의 직접 사용 대신 다양하고 저렴한 반응물을 적용할 수 있을 뿐만 아니라 모노 치환된 플루오르에틸렌 카보네이트를 고수율 및 높은 선택성으로 얻을 수 있으며 반응 장치 및 합성법의 용이성 등으로 인해 경제성 및 안전성을 향상시킬 수 있다.
플루오르에틸렌 카보네이트, 불화염, 모노 치환, 염소화 시약, 제조방법

55. 发明授权

KR100503231B1 반도체 및 ＴＦＴ-ＬＣＤ용 세정제 조성물 有权
标题翻译：用于半导体和TFT-LCD的冲击组合物
公开(公告)号：KR100503231B1
公开(公告)日：2005-07-22
申请号：KR1020020064489
申请日：2002-10-22
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 하용준 , 서성우
IPC分类号： C11D3/26
摘要： 본 발명은 반도체 소자 및 액정표시소자의 제조에 사용되는 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정의 알칸올아민 화합물, 유기용매, 킬레이트 화합물, 비이온계 계면활성제, 물을 포함하는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 포토레지스트(photoresist) 스트립(strip) 공정 후 유리기판 또는 실리콘 웨이퍼 위의 포토레지스트 스트립 잔사, 표면 오염에 대해 우수한 세정력을 가지며, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등 부식에 취약한 금속에 대한 부식 방지력이 우수하여, 종래 사용되어온 이소프로판올을 대체 가능한 수계 세정제를 제공할 수 있다.

56. 发明公开

KR1020040098751A 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 有权
标题翻译：包含水溶性有机胺化合物的光电子剥离剂组合物，聚丙烯酸甘油单烷基醚化合物，极性溶剂，剥离助剂和腐蚀抑制剂，使用组合物的光电离子的剥离方法和使用该方法制备的LCD装置或半导体引发剂
公开(公告)号：KR1020040098751A
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020030030987
申请日：2003-05-15
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 하용준 , 서성우 , 박민춘 , 윤선영
IPC分类号： G03F7/42
摘要： PURPOSE: Provided are a photoresist stripper composition which is suitable for both dipping method and single wafer treatment method, can strip the photoresist layer modified by an etching process at a low temperature for a short time and does not damage a conductive layer and an insulating layer comprising copper or copper alloy even without using isopropanol as a neutral cleaning solution, a stripping method of photoresist using the composition and a liquid crystal display device or semiconductor device prepared by the method. CONSTITUTION: The photoresist stripper composition comprises 5-50 wt% of a water-soluble organic amine compound; 20-70 wt% of a protic alkylene glycol monoalkyl ether compound having a boiling point of 150 deg.C or more; 0.01-70 wt% of a polar aprotic solvent; 0.01-5 wt% of at least one kind of stripping accelerator selected from the group consisting of the compounds represented by the formula 1; and 0.01-5 wt% of at least one kind of corrosion inhibitor selected from the group consisting of the compounds represented by the formula 2, wherein R1 is H or a C1-C4 alkyl group; R2 and R3 are independently a C1-C4 hydroxyalkyl group; R4 and R5 are independently H or OH; and R6 is H, a t-butyl group or a carboxyl group. Preferably the water-soluble organic amine compound is at least one selected from the group consisting of a primary aminoalcohol, a secondary aminoalcohol and a tertiary aminoalcohol.
摘要翻译：目的：提供适用于浸渍方法和单晶片处理方法的光致抗蚀剂剥离剂组合物，可以在短时间内在低温下剥离通过蚀刻工艺修饰的光致抗蚀剂层，并且不会损坏导电层和绝缘层包括铜或铜合金，即使不使用异丙醇作为中性清洗溶液，使用该组合物的光致抗蚀剂的剥离方法和通过该方法制备的液晶显示装置或半导体器件。构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包含5-50重量％的水溶性有机胺化合物; 20-70重量％的沸点为150℃以上的质子性亚烷基二醇单烷基醚化合物; 0.01-70重量％极性非质子溶剂; 0.01-5重量％的选自由式1表示的化合物的至少一种剥离促进剂; 和0.01-5重量％的选自由式2表示的化合物的至少一种腐蚀抑制剂，其中R 1是H或C 1 -C 4烷基; R2和R3独立地是C1-C4羟烷基; R4和R5独立地是H或OH; R6为H，叔丁基或羧基。优选地，水溶性有机胺化合物是选自伯氨基醇，仲氨基醇和叔氨基醇中的至少一种。

57. 发明公开

KR1020040098750A 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 有权
标题翻译：包含水溶性有机胺化合物的光电子剥离剂组合物，有机溶剂和腐蚀抑制剂，使用组合物的光电离子的剥离方法和使用该方法制备的LCD装置或半导体引发剂
公开(公告)号：KR1020040098750A
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020030030986
申请日：2003-05-15
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 하용준 , 서성우 , 박민춘 , 윤선영
IPC分类号： G03F7/42
摘要： PURPOSE: Provided are a photoresist stripper composition for copper wire which is suitable for both dipping method and single wafer treatment method, can strip the photoresist layer modified by an etching process at a low temperature for a short time and does not damage a conductive layer and an insulating layer comprising copper or copper alloy, a stripping method of photoresist using the composition and a liquid crystal display device or semiconductor device prepared by the method. CONSTITUTION: The photoresist stripper composition comprises 5-50 parts by weight of a water-soluble organic amine compound; 20-95 parts by weight of an organic solvent having a boiling point of 150 deg.C or more; and 0.01-5 parts by weight of at least one kind of corrosion inhibitor selected from the group consisting of compounds represented by the formula 1 or 2, wherein R1 is H or a C1-C12 alkyl group; R2 is H or a C1-C5 alkyl group; and R3 is H, a hydroxyl group or a thiol group. Preferably the water-soluble organic amine compound is at least one selected from the group consisting of a primary aminoalcohol, a secondary aminoalcohol and a tertiary aminoalcohol.
摘要翻译：目的：提供适用于浸渍方法和单晶片处理方法的铜线用光致抗蚀剂剥离剂组合物，可以在短时间内在低温下剥离通过蚀刻工艺修饰的光致抗蚀剂层，并且不会损坏导电层，包含铜或铜合金的绝缘层，使用该组合物的光致抗蚀剂的剥离方法以及通过该方法制备的液晶显示装置或半导体器件。构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包含5-50重量份的水溶性有机胺化合物; 20〜95重量份沸点为150℃以上的有机溶剂; 和0.01-5重量份选自由式1或2表示的化合物组成的组中的至少一种腐蚀抑制剂，其中R 1是H或C 1 -C 12烷基; R2是H或C1-C5烷基; R3为H，羟基或硫醇基。优选地，水溶性有机胺化合物是选自伯氨基醇，仲氨基醇和叔氨基醇中的至少一种。

58. 发明公开

KR1020040035368A 반도체 및 ＴＦＴ-ＬＣＤ용 세정제 조성물 有权
标题翻译：用于半导体和TFT-LCD的清洁组合物
公开(公告)号：KR1020040035368A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020020064489
申请日：2002-10-22
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 하용준 , 서성우
IPC分类号： C11D3/26
摘要： PURPOSE: Provided is an aqueous cleaner composition for semiconductors and TFT-LCD, which is excellent in anticorrosion to various metal films, removes organic materials and particles effectively, and can be substituted for isopropanol. CONSTITUTION: The cleaner composition contains: 0.01-5wt% of an alkanol amine compound represented by the formula 1(R1R2-N-R3), wherein the alkanol amine compound is at least one selected from monoethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, monoisopropanol amine, diisopropanol amine, N-methyl amino ethanol, and N,N-dimethyl amino ethanol; 2-30wt% of an organic solvent represented by the formula 2(R4-O-(CkH2kO)l-R5), wherein the organic solvent is at least one selected from diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, and etc.; 0.01-5wt% of a chelate compound represented by the formula 3(HOOC-(CH2)m-COOH), wherein the chelate compound is at least one selected from an organic acid-based chelate compound and a polyhydroxy benzene-based chelate compound; the balance of water. In the formula, R1 and R2 are independently or identically hydrogen atom, methyl, ethyl, hydroxy methyl, or hydroxy ethyl, R3 is hydroxy methyl or hydroxy ethyl, R4 and R5 are independently or identically hydrogen atom, methyl, ethyl, propyl, or butyl, k is an integer of 2-3, l is an integer of 1-3, and m is an integer of 0-4.
摘要翻译：目的：提供半导体和TFT-LCD的水性清洁剂组合物，其对各种金属膜的耐腐蚀性优异，有效地除去有机材料和颗粒，并且可以代替异丙醇。构成：清洁剂组合物含有0.01-5重量％的由式1（R1R2-N-R3）表示的链烷醇胺化合物，其中链烷醇胺化合物为选自单乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，单异丙醇胺，二异丙醇胺，N-甲基氨基乙醇和N，N-二甲基氨基乙醇; 2-30重量％的由式2表示的有机溶剂（R4-O-（CkH2kO）1-R5）），其中有机溶剂是选自二甘醇单甲醚，二甘醇单乙醚，二丙二醇单丙醚，乙二醇单丁醚等; 0.01-5重量％的由式3表示的螯合化合物（HOOC-（CH 2）m -COOH）），其中螯合化合物是选自有机酸基螯合物和多羟基苯类螯合物中的至少一种; 水的平衡。在该式中，R 1和R 2独立地或相同地是氢原子，甲基，乙基，羟基甲基或羟基乙基，R 3是羟基甲基或羟基乙基，R 4和R 5独立地或相同地是氢原子，甲基，乙基，丙基或丁基，k为2-3的整数，l为1-3的整数，m为0〜4的整数。

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