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51. 发明申请

US20140225154A1 FILM FORMING METHOD, VACUUM PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ILLUMINATING DEVICE 有权
标题翻译：薄膜成型方法，真空加工装置，半导体发光元件制造方法，半导体发光元件和照明装置
公开(公告)号：US20140225154A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：US14253169
申请日：2014-04-15
申请人： CANON ANELVA CORPORATION
发明人： YOSHIAKI DAIGO
IPC分类号： C30B25/10 , H01L33/18
CPC分类号： C30B25/10 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L33/007 , H01L33/18
摘要： In one embodiment of the present invention, a film forming method of epitaxially growing a semiconductor film having a wurtzite structure by sputtering on a substrate for epitaxial growth heated to a desired temperature by using a heater, comprises the following steps. First, the substrate is disposed on a substrate holder including the heater in such a way that the substrate is disposed away from the heater by a predetermined distance. Then, the epitaxial film of the semiconductor film having the wurtzite structure is formed on the substrate in the state where the substrate is disposed away from the heater by the predetermined distance.
摘要翻译：在本发明的一个实施方案中，通过使用加热器将通过溅射在具有纤锌矿结构的半导体膜外延生长的外延生长的外延生长加热至所需温度的成膜方法包括以下步骤。首先，将衬底设置在包括加热器的衬底保持器上，使得衬底远离加热器远离预定距离。然后，在基板远离加热器预定距离的状态下，在基板上形成具有纤锌矿结构的半导体膜的外延膜。

52. 发明申请

US20140206197A1 METHOD OF FABRICATING FIN FET AND METHOD OF FABRICATING DEVICE 有权
标题翻译：制造Fin FET的方法和制造装置的方法
公开(公告)号：US20140206197A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：US14159763
申请日：2014-01-21
申请人： CANON ANELVA CORPORATION
发明人： Takashi NAKAGAWA , Masayoshi IKEDA , Yukito NAKAGAWA , Yasushi KAMIYA , Yoshimitsu KODAIRA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01L29/66795 , H01L29/66803
摘要： In fin FET fabrication, side walls of a semiconductor fin formed on a substrate have certain roughness. Using such fins having roughness may induce variations in characteristics between transistors due to their shapes or the like. An object of the present invention is to provide a fin FET fabrication method capable of improving device characteristic by easily reducing the roughness of the side walls of fins after formation. In one embodiment of the present invention, side walls of a semiconductor fin are etched by an ion beam extracted from a grid to reduce the roughness of the side walls.
摘要翻译：在鳍式FET制造中，形成在基板上的半导体翅片的侧壁具有一定的粗糙度。使用具有粗糙度的这种翅片可能由于其形状等而引起晶体管之间的特性变化。本发明的目的是提供一种能够通过容易地降低形成后的翅片的侧壁的粗糙度来提高装置特性的翅片式FET制造方法。在本发明的一个实施例中，通过从栅格提取的离子束蚀刻半导体鳍片的侧壁，以减小侧壁的粗糙度。

53. 发明申请

US20140174355A1 PLASMA CVD APPARATUS AND VACUUM TREATMENT APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体CVD装置和真空处理装置
公开(公告)号：US20140174355A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：US14107005
申请日：2013-12-16
申请人： CANON ANELVA CORPORATION
发明人： Hiroshi YAKUSHIJI , Masahiro SHIBAMOTO , Kazuto YAMANAKA , Shogo HIRAMATSU , Susumu KARINO
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： C23C14/568 , C23C16/26 , C23C16/4401 , C23C16/509 , G11B5/85
摘要： In one embodiment of the invention, a protective film formation chamber for forming a carbon protective film on a magnetic film includes: a gas introduction part which introduces a source gas to a vacuum vessel; a discharge electrode having a discharge surface at a position facing a substrate conveyed to a predetermined position in the vacuum vessel; a plasma formation part which applies voltage between the discharge surface and the substrate conveyed to the predetermined position; a permanent magnet being provided on a back side of the discharge surface and having a first magnet and a second magnet provided such that their magnetic poles facing the discharge surface are opposite to each other; and a no-erosion-portion mask being provided in parallel to the discharge surface and covering an area of the discharge surface surrounding a portion facing the permanent magnet.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，用于在磁性膜上形成碳保护膜的保护膜形成室包括：将源气体引入真空容器的气体导入部; 放电电极，其在与被输送到所述真空容器中的预定位置的衬底相对的位置处具有放电表面; 等离子体形成部，其在所述放电面与被输送到所述规定位置的所述基板之间施加电压; 永磁体设置在排出表面的背面，并且具有第一磁体和第二磁体，第一磁体和第二磁体设置成使得它们的面对排出表面的磁极彼此相反; 以及与排放表面平行地设置并覆盖围绕面对永磁体的部分的排出表面的区域的无腐蚀部分掩模。

54. 发明授权

US08709218B2 Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and electronic device manufacturing method 有权
标题翻译：真空处理装置，真空处理方法以及电子装置的制造方法
公开(公告)号：US08709218B2
公开(公告)日：2014-04-29
申请号：US13648669
申请日：2012-10-10
申请人： Canon Anelva Corporation
发明人： Hajime Yamamoto , Hiroyuki Imai
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/32 , C25B9/00 , C25B11/00 , C25B13/00 , C23C16/00 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C16/458 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , C23C16/458 , H01J37/3411 , H01J37/3438 , H01L21/6831 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： A vacuum processing apparatus includes an evacuatable vacuum chamber, a substrate holder which is provided in the vacuum chamber, has a substrate chuck surface vertically facing down, and includes an electrostatic chuck mechanism which electrostatically chucks a substrate, a substrate support member which is provided in the vacuum chamber to keep the substrate parallel to the substrate chuck surface and support the substrate in an orientation that allows the substrate chuck surface to chuck the substrate, and a moving mechanism which moves at least one of the substrate holder and the substrate supported by the substrate support member so as to bring the substrate and the substrate holder into contact with each other, thereby causing the substrate holder to chuck the substrate.
摘要翻译：真空处理装置包括可抽空的真空室，设置在真空室中的基板保持器，具有垂直朝下的基板卡盘表面，并且包括静电卡盘基板的静电卡盘机构，设置在基板支撑部件中的基板支撑部件所述真空室保持所述基板平行于所述基板卡盘表面并且以允许所述基板卡盘表面卡住所述基板的取向支撑所述基板;以及移动机构，其移动所述基板保持器和所述基板中的至少一个，衬底支撑构件，以使衬底和衬底保持器彼此接触，从而使衬底保持器卡住衬底。

55. 发明申请

US20140097079A1 FILM FORMING METHOD BY SPUTTERING APPARATUS AND SPUTTERING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：溅射装置和溅射装置的成膜方法
公开(公告)号：US20140097079A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：US14098892
申请日：2013-12-06
申请人： Canon Anelva Corporation
发明人： Tetsuya ENDO , Hiroyuki HOSOYA
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/044 , C23C14/225 , C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3447
摘要： The present invention provides a film forming method which can reduce deterioration of film thickness distribution even if the thickness of a film to be formed is extremely small while improving use efficiency of a target and a sputtering apparatus. A film forming method by a sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention has a first step of fixing a magnet to a first position and performing film formation on a substrate on a substrate support surface, a second step of moving the magnet to a second position different from the first position after finishing the film formation on the substrate and then fixing it thereto, and a third step of performing film formation on the substrate on the substrate support surface by using the magnet fixed to the second position.
摘要翻译：本发明提供了即使要形成的膜的厚度非常小，同时提高靶和溅射装置的使用效率，也能够降低膜厚分布的劣化的成膜方法。通过根据本发明的一个实施例的溅射装置的成膜方法具有将磁体固定到第一位置并在基板支撑表面上的基板上进行成膜的第一步骤，将磁体移动到在完成基板上的成膜并然后固定之后的第一位置的第二位置，以及通过使用固定到第二位置的磁体在基板支撑表面上的基板上进行成膜的第三步骤。

56. 发明申请

US20130049064A1 EPITAXIAL FILM FORMING METHOD, VACUUM PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ILLUMINATING DEVICE 有权
标题翻译：外延膜成型方法，真空加工装置，半导体发光元件制造方法，半导体发光元件和照明装置
公开(公告)号：US20130049064A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：US13661948
申请日：2012-10-26
申请人： Canon Anelva Corporation
发明人： Yoshiaki DAIGO , Keiji Ishibashi
IPC分类号： H01L33/04 , C23C14/34 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
摘要： The present invention provides: an epitaxial film forming method capable of fabricating a +c-polarity epitaxial film made of a Group III nitride semiconductor by sputtering; and a vacuum processing apparatus suitable for this epitaxial film forming method. In one embodiment of the present invention, a Group III nitride semiconductor thin film is epitaxially grown by sputtering on an α-Al2O3 substrate heated to a desired temperature by using a heater. First, the α-Al2O3 substrate is disposed on a substrate holder including the heater in such a way that the α-Al2O3 substrate is disposed away from the heater by a predetermined distance. Then, an epitaxial film of a Group III nitride semiconductor thin film is formed on the α-Al2O3 substrate in the state where the α-Al2O3 substrate is disposed away from the heater by the predetermined distance.
摘要翻译：本发明提供：能够通过溅射制造由III族氮化物半导体构成的+ c极性外延膜的外延膜形成方法; 以及适用于该外延膜形成方法的真空处理装置。在本发明的一个实施例中，通过使用加热器通过溅射在加热到期望温度的α-Al 2 O 3衬底上外延生长III族氮化物半导体薄膜。首先，将α-Al 2 O 3衬底设置在包括加热器的衬底保持器上，使得α-Al 2 O 3衬底远离加热器设置预定距离。然后，在α-Al 2 O 3衬底远离加热器预定距离的状态下，在α-Al 2 O 3衬底上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜。

57. 发明专利

TWI673891B 氧化處理裝置、氧化方法、及電子裝置的製造方法有权
简体标题：氧化处理设备、氧化方法、及电子设备的制造方法
公开(公告)号：TWI673891B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW102146655
申请日：2013-12-17
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：島根由光 , SHIMANE, YOSHIMITSU , 清野拓哉 , SEINO, TAKUYA
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12

58. 发明专利

TW201907756A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201907756A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107121806
申请日：2018-06-26
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：田名部正治 , TANABE, MASAHARU , 関谷一成 , SEKIYA, KAZUNARI , 井上忠 , INOUE, TADASHI , 笹本浩 , SASAMOTO, HIROSHI , 佐藤辰憲 , SATO, TATSUNORI , 土屋信昭 , TSUCHIYA, NOBUAKI , 竹田敦 , TAKEDA, ATSUSHI
IPC分类号： H05H1/38
摘要：電漿處理裝置，係具備：　　具有第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子的巴倫；　　被接地的真空容器；　　被電性連接至前述第1平衡端子的第1電極；　　被電性連接至前述第2平衡端子的第2電極；　　影響被施加於前述第1電極的第1電壓與被施加於前述第2電極的第2電壓的關係之調整電抗器。　　保持基板的基板保持部；及　　使前述基板保持部旋轉的驅動機構。
简体摘要：等离子处理设备，系具备：　　具有第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子及第2平衡端子的巴伦；　　被接地的真空容器；　　被电性连接至前述第1平衡端子的第1电极；　　被电性连接至前述第2平衡端子的第2电极；　　影响被施加于前述第1电极的第1电压与被施加于前述第2电极的第2电压的关系之调整电抗器。　　保持基板的基板保持部；及　　使前述基板保持部旋转的驱动机构。

59. 发明专利

TWI645746B Ｘ光產生裝置及Ｘ光攝影系統有权
简体标题：Ｘ光产生设备及Ｘ光摄影系统
公开(公告)号：TWI645746B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106138241
申请日：2017-11-06
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：川瀬順也 , KAWASE, JUNYA , 安藤洋一 , ANDO, YOICHI
IPC分类号： H05G1/06 , H05G1/08

60. 发明专利

TWI615490B 真空電弧成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：真空电弧成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI615490B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105119576
申请日：2016-06-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：薬師神弘士 , YAKUSHIJI, HIROSHI , 渡辺勇人 , WATANABE, YUTO , 芝本雅弘 , SHIBAMOTO, MASAHIRO , 三浦譲 , MIURA, YUZURU
IPC分类号： C23C14/24 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0605 , C23C14/0611 , C23C14/568 , G11B5/8408 , H01J37/32055

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