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51. 发明专利

TW200631922A 燒結體、濺鍍標靶及成形模以及使用它的燒結體製造方法审中-公开
简体标题：烧结体、溅镀标靶及成形模以及使用它的烧结体制造方法
公开(公告)号：TW200631922A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095103530
申请日：2006-01-27
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：伊藤謙一 ITOH, KENICHI , 召田雅實 MESUDA, MASAMI , 永山仁士 NAGAYAMA, HITOSHI , 澀田見哲夫 SHIBUTAMI, TETSUO , 八波俊祐 YATSUNAMI, SHUNSUKE
IPC分类号： C04B , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B28B3/003 , B28B7/0097 , B30B15/024 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C23C14/086 , H01J37/3426 , Y10T428/266 , B22F5/007 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要：提供濺鍍標靶時的放電特性或所得到的薄膜的特性良好的大型濺鍍標靶。又，提供使用冷靜水壓壓機，未施以預備成形，就可直接得到形狀精度優異的大型成形體，而將可得到上述良好濺鍍標靶的燒結體加以可低成本地有效率地製造的燒結體的製造方法。將作為不純物所含有的碳的含有量使用作為不足0.005重量％的燒結體來製造濺鍍標靶。又，此種燒結體，是未添加含有有機物的黏結劑或成形助劑而直接藉由冷靜水壓壓機施以成形原料粉末之後，藉由施以燒成可得到。又，藉由使用具有在加壓壓縮時對於填充的原料粉末實質上僅從一軸方向施以加壓，在結束加壓後的減壓時對於成形體各向同性地可開放壓力的構造的成形模，成為可製造上述燒結體。又，良品率優異而容易地可製造將腐蝕領域的厚度加以加厚的大型標靶，而可提高標靶的使用效率。
简体摘要：提供溅镀标靶时的放电特性或所得到的薄膜的特性良好的大型溅镀标靶。又，提供使用冷静水压压机，未施以预备成形，就可直接得到形状精度优异的大型成形体，而将可得到上述良好溅镀标靶的烧结体加以可低成本地有效率地制造的烧结体的制造方法。将作为不纯物所含有的碳的含有量使用作为不足0.005重量％的烧结体来制造溅镀标靶。又，此种烧结体，是未添加含有有机物的黏结剂或成形助剂而直接借由冷静水压压机施以成形原料粉末之后，借由施以烧成可得到。又，借由使用具有在加压压缩时对于填充的原料粉末实质上仅从一轴方向施以加压，在结束加压后的减压时对于成形体各向同性地可开放压力的构造的成形模，成为可制造上述烧结体。又，良品率优异而容易地可制造将腐蚀领域的厚度加以加厚的大型标靶，而可提高标靶的使用效率。

52. 发明专利

TW200508394A 微轉移的檢驗方法 METHOD OF DETECTING MICROMETASTASIS 失效
简体标题：微转移的检验方法 METHOD OF DETECTING MICROMETASTASIS
公开(公告)号：TW200508394A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093111688
申请日：2004-04-27
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：大仲悟 SATORU OONAKA , 林俊典 TOSHINORI HAYASHI
IPC分类号： C12Q
CPC分类号： C12Q1/6865
摘要：本發明提供一種偵測微轉移之方法，該微轉移係取自一個體之非初級(primary)腫瘤病灶(focus)樣本中的腫瘤細胞微轉移，使用一個與一腫瘤細胞RNA特定序列中一部分互補之第一引子(primer)，及一與該特定序列之部分同源之第二引子(該第一及第二引子其中之一的5’端具有一RNA聚合的啟動子序列(promoter sequence))，該方法包含下列步驟：(1)經由一具有RNA–依賴DNA聚合活性之酵素，使用該特定序列為模板(template)合成一cDNA；以一具有核糖核酸H(ribonuclease H)活性之酵素將所得之RNA–DNA雙股中的RNA股分解(取得一單股DNA)；(3)形成一具有一啟動子(promoter)序列之雙股DNA，其可經由以該單股DNA為一模板，使用具有DNA–依賴DNA聚合活性之酵素被轉錄成一與該特定序列同源或互補之RNA；(4)經由一具有RNA聚合活性之酵素將該雙股DNA轉錄成一RNA轉錄物(其在後續cDNA合成反應(1)中做為一模板)，並偵測該mRNA。
简体摘要：本发明提供一种侦测微转移之方法，该微转移系取自一个体之非初级(primary)肿瘤病灶(focus)样本中的肿瘤细胞微转移，使用一个与一肿瘤细胞RNA特定串行中一部分互补之第一引子(primer)，及一与该特定串行之部分同源之第二引子(该第一及第二引子其中之一的5’端具有一RNA聚合的启动子串行(promoter sequence))，该方法包含下列步骤：(1)经由一具有RNA–依赖DNA聚合活性之酶，使用该特定串行为模板(template)合成一cDNA；以一具有核糖核酸H(ribonuclease H)活性之酶将所得之RNA–DNA双股中的RNA股分解(取得一单股DNA)；(3)形成一具有一启动子(promoter)串行之双股DNA，其可经由以该单股DNA为一模板，使用具有DNA–依赖DNA聚合活性之酶被转录成一与该特定串行同源或互补之RNA；(4)经由一具有RNA聚合活性之酶将该双股DNA转录成一RNA转录物(其在后续cDNA合成反应(1)中做为一模板)，并侦测该mRNA。

53. 发明专利

TW200418916A 乙烯共聚物粉片 ETHYLENE COPOLYMER PELLETS 审中-公开
公开(公告)号：TW200418916A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW093103297
申请日：2004-02-12
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人： 野博英 HIROHIDE SAKANO , 雪岡聰 SATOSHI YUKIOKA
IPC分类号： C08L , C08J , C08K
摘要：本發明提供一種乙烯共聚物粉片，以針對阻塞(blocking)提高其不易受影響性(unsusceptibility)，此乙烯共聚物粉片包括一合劑(mixture)：(a)100重量份的一乙烯共聚物；(b)0.01～0.5重量份的一不飽和脂肪酸雙氨(bisamide)具有一100～180℃的融點；以及(c)0.01～0.5重量份的一潤滑劑(lubricant)具有一60～90℃的融點，當用於與成分(b)化合時，可降低成分(b)的融點至少20℃。
简体摘要：本发明提供一种乙烯共聚物粉片，以针对阻塞(blocking)提高其不易受影响性(unsusceptibility)，此乙烯共聚物粉片包括一合剂(mixture)：(a)100重量份的一乙烯共聚物；(b)0.01～0.5重量份的一不饱和脂肪酸双氨(bisamide)具有一100～180℃的融点；以及(c)0.01～0.5重量份的一润滑剂(lubricant)具有一60～90℃的融点，当用于与成分(b)化合时，可降低成分(b)的融点至少20℃。

54. 发明专利

TW200416294A 耐腐蝕性之構件及其製造方法审中-公开
简体标题：耐腐蚀性之构件及其制造方法
公开(公告)号：TW200416294A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW093101872
申请日：2004-01-28
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：阿部昌則 ABE, MASANORI , 高橋小彌太 TAKAHASHI, KOYATA , 新井一喜 ARAI, KAZUYOSHI , 高努 TAKAHATA, TSUTOMU , 橋本真吉 HASHIMOTO, SHINKICHI , 向後雅則 KOHGO, MASANORI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C03C17/04 , C03C3/062 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/095 , C03C8/02 , C03C15/00 , C03C17/002 , C03C17/007 , C03C17/3417 , C03C19/00 , C03C2217/78 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23D5/04 , Y02T50/67
摘要：本發明係提供一種耐腐蝕性之構件及其製造方法。用於CVD裝置、電漿處理裝置等的構件，與腐蝕性氣體的反應，或因電漿之蝕刻而消耗，粒子的產生而有製品的污染，良率生產性低的問題。此外，對腐蝕性氣體、電漿具耐性的玻璃，因耐熱性低、限制可使用的用途。於耐熱性高的基材上，至少包含一元素選自2a族、3a族、以及4a族所成群的元素之耐腐蝕性玻璃，特別包覆矽酸鋁或矽酸鋯系的玻璃熱噴鍍膜之構件，對於腐蝕性氣體及電漿之耐腐蝕性與耐熱強度高，粒子的產生少。
简体摘要：本发明系提供一种耐腐蚀性之构件及其制造方法。用于CVD设备、等离子处理设备等的构件，与腐蚀性气体的反应，或因等离子之蚀刻而消耗，粒子的产生而有制品的污染，良率生产性低的问题。此外，对腐蚀性气体、等离子具耐性的玻璃，因耐热性低、限制可使用的用途。于耐热性高的基材上，至少包含一元素选自2a族、3a族、以及4a族所成群的元素之耐腐蚀性玻璃，特别包覆硅酸铝或硅酸锆系的玻璃热喷镀膜之构件，对于腐蚀性气体及等离子之耐腐蚀性与耐热强度高，粒子的产生少。

55. 发明专利

TW200413416A 透明耐熱樹脂光學材料及薄膜 TRANSPARENT HEAT-RESISTANT RESIN OPTICAL MATERIAL AND FILM 审中-公开
简体标题：透明耐热树脂光学材料及薄膜 TRANSPARENT HEAT-RESISTANT RESIN OPTICAL MATERIAL AND FILM
公开(公告)号：TW200413416A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092126098
申请日：2003-09-22
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：豊增信之 SHINSUKE TOYOMASU , 豬飼陽二郎
IPC分类号： C08F
CPC分类号： G02B5/3083 , C08F210/10 , C08F222/40 , G02B1/04 , Y10S264/901 , C08L35/00 , C08F4/34 , C08F2500/03 , C08F2500/26
摘要：一種透明耐熱樹脂光學材料，其具良好耐熱性和動力性質，具負雙折射值和高折射指數及高Abbe數，特別是光學補償膜，如：膜、片和用於LCD顯示器元件的阻滯膜。此透明耐熱樹脂光學材料製自含有特定烯烴基團單元和特定N–苯基–取代的馬來醯亞胺基團單元之共聚物，其重量平均分子量(以聚苯乙烯為標準品)是5×10^3至5×10^6，此透明耐熱樹脂光學材料具負雙折射值；阻滯膜的三維折射指數關係是nz≧ny＞nx，nz＞ny≧nx或nz＞nx≧ny。092126098p01.bmp
简体摘要：一种透明耐热树脂光学材料，其具良好耐热性和动力性质，具负双折射值和高折射指数及高Abbe数，特别是光学补偿膜，如：膜、片和用于LCD显示器组件的阻滞膜。此透明耐热树脂光学材料制自含有特定烯烃基团单元和特定N–苯基–取代的马来酰亚胺基团单元之共聚物，其重量平均分子量(以聚苯乙烯为标准品)是5×10^3至5×10^6，此透明耐热树脂光学材料具负双折射值；阻滞膜的三维折射指数关系是nz≧ny＞nx，nz＞ny≧nx或nz＞nx≧ny。092126098p01.bmp

56. 发明专利

TW575682B 濺鍍標靶及其製造方法失效
简体标题：溅镀标靶及其制造方法
公开(公告)号：TW575682B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW090133315
申请日：2001-12-31
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：望月修 , 黑澤聰
IPC分类号： C23C , G11B
摘要：提供一種製作燒結体時不會發生裂紋或破裂，製造成品率高，且用大電力進行濺鍍亦不破裂之對於形成相變記錄媒体保護膜有用的濺鍍標靶。
係使用Zn，S，Si及O所成燒結体，且將燒結体內之密度雜亂無章控制於所定值以下，即，燒結体任意兩點之相對密度差之絕對值為3%以下的燒結体以構成濺鍍標靶。
简体摘要：提供一种制作烧结体时不会发生裂纹或破裂，制造成品率高，且用大电力进行溅镀亦不破裂之对于形成相变记录媒体保护膜有用的溅镀标靶。系使用Zn，S，Si及O所成烧结体，且将烧结体内之密度杂乱无章控制于所定值以下，即，烧结体任意两点之相对密度差之绝对值为3%以下的烧结体以构成溅镀标靶。

57. 发明专利

TW573017B 形成薄膜用合金、金屬燒結體及其用途失效
简体标题：形成薄膜用合金、金属烧结体及其用途
公开(公告)号：TW573017B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW089127010
申请日：2000-12-16
申请人：吉奧馬科技股份有限公司 GEOMATEC CO., LTD. , 東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：本松徹 , 鈴木光悦 , 黑澤聰 , 滿俊宏
IPC分类号： C22C , G02B , C03C
摘要： [課題]在於提供具有與Cr/Cr化合物同等以上光學特性及耐久性(圖型性、蝕刻特性、耐熱性及耐濕性)之遮光膜的基板、或具有遮光層和吸收層所構成之低反射膜的基板。
[解決手段]使用實質上由Ni及V所構成，含有原子比26~52%V之形成薄膜用合金或金屬燒結體所構成之濺鍍標的物，形成Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物之任何一種薄膜所構成之附有遮光膜的基板、或、將 Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者疊層一層以上之吸收層、與Ni和V之合金、或Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者疊層一層之遮光層，以此順序疊層，作成附有低反射膜之基板。
[選擇圖]無選擇圖
简体摘要： [课题]在于提供具有与Cr/Cr化合物同等以上光学特性及耐久性(图型性、蚀刻特性、耐热性及耐湿性)之遮光膜的基板、或具有遮光层和吸收层所构成之低反射膜的基板。 [解决手段]使用实质上由Ni及V所构成，含有原子比26~52%V之形成薄膜用合金或金属烧结体所构成之溅镀标的物，形成Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物之任何一种薄膜所构成之附有遮光膜的基板、或、将 Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者叠层一层以上之吸收层、与Ni和V之合金、或Ni和V之氧化物、氮化物或氧氮化物薄膜之任一者叠层一层之遮光层，以此顺序叠层，作成附有低反射膜之基板。 [选择图]无选择图

58. 发明专利

TW572811B 研磨用成型體及使用該成型體之研磨用定盤失效
简体标题：研磨用成型体及使用该成型体之研磨用定盘
公开(公告)号：TW572811B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090127778
申请日：2001-11-08
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION , 東曹石英股份有限公司
发明人：倉持豪人 , 高東修二 , 近藤知 , 工藤正行 , 橫溝祐幸 , 淺野睦己
IPC分类号： B24D , B24B
CPC分类号： B24D3/10 , B24B37/24 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要：本發明係一種研磨用成型體及使用該成型體之研磨用定盤，尤指以提供主要能適用於對半導體基板、氧化物單結晶基板、各種玻璃基板、石英玻璃基板、陶瓷基板等之基板材料和需要精密加工之光學材料等施予精加工之前工序(精研工序)中，可將被研磨材料表面更高速地處理，俾獲規定之表面精度，且此種特性穩定，特別是連續使用研磨粒時可使研磨速度穩定之研磨用成型體及使用該成型體之研磨用定盤為所欲解決之課題。
而其解決之手段係使用由無機顆粒作成之研磨用成型體，將前述研磨用成型體參與研磨之面分為摩擦部分與非摩擦部分，使存於前述摩擦部分上，由直徑1μm以下之細孔所成部分之面積佔摩擦部分全面積之15%以下，更且，非摩擦部分之面積佔與研磨面全面積之20%以上60%以下之研磨用成型體及使用該成型體之研磨用定盤者。
简体摘要：本发明系一种研磨用成型体及使用该成型体之研磨用定盘，尤指以提供主要能适用于对半导体基板、氧化物单结晶基板、各种玻璃基板、石英玻璃基板、陶瓷基板等之基板材料和需要精密加工之光学材料等施予精加工之前工序(精研工序)中，可将被研磨材料表面更高速地处理，俾获规定之表面精度，且此种特性稳定，特别是连续使用研磨粒时可使研磨速度稳定之研磨用成型体及使用该成型体之研磨用定盘为所欲解决之课题。而其解决之手段系使用由无机颗粒作成之研磨用成型体，将前述研磨用成型体参与研磨之面分为摩擦部分与非摩擦部分，使存于前述摩擦部分上，由直径1μm以下之细孔所成部分之面积占摩擦部分全面积之15%以下，更且，非摩擦部分之面积占与研磨面全面积之20%以上60%以下之研磨用成型体及使用该成型体之研磨用定盘者。

59. 发明专利

TW202030197A 鈷錯合物、其製造方法以及含鈷薄膜的製造方法审中-公开
简体标题：钴错合物、其制造方法以及含钴薄膜的制造方法
公开(公告)号：TW202030197A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140511
申请日：2019-11-07
申请人：日商東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 早川哲平 , HAYAKAWA, TEPPEI , 山本有紀 , YAMAMOTO, YUKI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18
摘要：本發明提供一種對於在不使用氧化性氣體的條件下製造含鈷薄膜而言有用的室溫下為液體的鈷錯合物。一種由通式（1）所表示的鈷錯合物。 [化1] （式中，L1及L2不同，分別表示由通式（A）所表示的單牙醯胺配位子、由通式（B）所表示的雙牙醯胺配位子或由通式（C）所表示的含雜原子的配位子） [化2] （式中，R1及R2分別獨立地表示碳數1～6的烷基或三(碳數1～6的烷基)矽烷基。波浪線表示與鈷原子的鍵結鍵） [化3] （式中，R3表示三(碳數1～6的烷基)矽烷基。R4及R5分別獨立地表示碳數1～4的烷基。X表示碳數1～6的伸烷基） [化4] （式中，R6及R8分別獨立地表示碳數1～6的烷基。R7表示氫原子或碳數1～4的烷基。Y表示氧原子或NR9。Z表示氧原子或NR10。R9及R10分別獨立地表示碳數1～6的烷基）
简体摘要：本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜而言有用的室温下为液体的钴错合物。一种由通式（1）所表示的钴错合物。 [化1] （式中，L1及L2不同，分别表示由通式（A）所表示的单牙酰胺配位子、由通式（B）所表示的双牙酰胺配位子或由通式（C）所表示的含杂原子的配位子） [化2] （式中，R1及R2分别独立地表示碳数1～6的烷基或三(碳数1～6的烷基)硅烷基。波浪线表示与钴原子的键结键） [化3] （式中，R3表示三(碳数1～6的烷基)硅烷基。R4及R5分别独立地表示碳数1～4的烷基。X表示碳数1～6的伸烷基） [化4] （式中，R6及R8分别独立地表示碳数1～6的烷基。R7表示氢原子或碳数1～4的烷基。Y表示氧原子或NR9。Z表示氧原子或NR10。R9及R10分别独立地表示碳数1～6的烷基）

60. 发明专利

TWI671206B 層積體與該層積體所構成之包裝體有权
简体标题：层积体与该层积体所构成之包装体
公开(公告)号：TWI671206B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104135048
申请日：2015-10-26
申请人：日商東楚股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：川戶大輔 , KAWATO, DAISUKE , 幸田真吾 , KOUDA, SHINGO , 岩本繁樹 , IWAMOTO, SHIGEKI
IPC分类号： B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , B32B15/085 , B32B9/04 , B65D65/40

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