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41. 发明公开

CN106406022A 光掩模坯和制备光掩模的方法有权
公开(公告)号：CN106406022A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597860.7
申请日：2016-07-27
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：笹本纮平 , 深谷创一 , 稻月判臣
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/68
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/68
摘要：本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。

42. 发明公开

CN105518528A 在衬底上形成期望的图案的方法无效
公开(公告)号：CN105518528A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049625.5
申请日：2014-07-21
申请人：卑尔根技术交易股份公司
发明人： B·霍尔斯特
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/78 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2037 , G03F1/20 , G03F7/2045 , G03H1/0891 , G03H5/00 , G03H2001/0094 , G03H2001/2234
摘要：本发明涉及在衬底上形成期望的图案的方法，所述方法包括步骤：a)产生原子束或分子束，尤其是He原子束；b)提供具有期望图案，例如在所述衬底上期望的图案的傅里叶变换的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底，据此通过与穿透掩模的部分所述原子束或分子束相互作用，在所述衬底上形成图案，所述图案基于掩模的图案，其中所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。本发明的方法对于制备导电电路结构(微芯片)或微机电系统(MEMS)或微米/纳米射流结构或一般纳米结构的表面(即，疏水或亲水的表面或反射/抗反射表面)是有用的。

43. 发明公开

CN103676493A 降低线条粗糙度的混合光刻方法有权转让
公开(公告)号：CN103676493A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210357244.6
申请日：2012-09-21
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：孟令款 , 李春龙 , 贺晓彬 , 李俊峰 , 闫江
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/20 , H01L21/027
摘要：本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。

44. 实用新型

CN203444236U 掩膜板失效
公开(公告)号：CN203444236U
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201320526670.8
申请日：2013-08-27
申请人：合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人：宋萍 , 陆相晚
IPC分类号： G03F1/20
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，包括掩膜面及与所述掩膜面相对的非掩膜面，其特征在于，所述非掩膜面为由四周至中心凹陷的曲面。本实用新型通过在掩膜板制作程序中，对掩膜板的非掩膜面进行研磨，使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向内凹陷呈曲面，以达到对自重导致的弯曲进行补偿，使掩膜面接近于平面，从而达到曝光后的光刻胶图形关键尺寸值在整体区域精细化、均匀化的效果。

45. 发明授权

EP3633452B1 PHOTOMASK BLANK 有权
公开(公告)号：EP3633452B1
公开(公告)日：2023-12-13
申请号：EP19209242.7
申请日：2016-08-18
发明人： SASAMOTO, Kouhei , INAZUKI, Yukio
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/26 , G03F1/80 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/54

46. 发明授权

EP3025194B1 METHOD OF FORMING A DESIRED PATTERN ON A SUBSTRATE 有权转让
公开(公告)号：EP3025194B1
公开(公告)日：2022-01-26
申请号：EP14742345.3
申请日：2014-07-21
发明人： HOLST, Bodil
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/20 , G03F7/20

47. 发明公开

EP3139211A2 PHOTOMASK BLANK 有权
标题翻译： PHOTOMASK空白
公开(公告)号：EP3139211A2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：EP16184791.8
申请日：2016-08-18
申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
发明人： SASAMOTO, Kouhei , INAZUKI, Yukio
IPC分类号： G03F1/20
摘要： A photomask blank comprising a transparent substrate (1) and a chromium-containing film (2) is provided. The chromium-containing film is constructed by one or more chromium compound layers which are formed of a chromium compound containing Cr, N and optionally O, and have a composition having a Cr content ≥ 30 at% and a total Cr+N+O content ≥ 93 at%, and meeting the formula: 3Cr ≤ 20 + 3N. A chromium compound layer meeting a first composition having an N/Cr atomic ratio ≥ 0.95, a Cr content ≥ 40 at%, a total Cr+N content ≥ 80 at%, and an 0 content ≤ 10 at% is included to a thickness of more than 70% to 100% of the overall thickness of the chromium-containing film.
摘要翻译：提供包括透明基板（1）和含铬膜（2）的光掩模坯。含铬膜由一种或多种铬化合物层构成，所述铬化合物层由含有Cr，N和任选的O的铬化合物形成，并且具有Cr含量≥30原子％和总Cr + N + O含量 ≥93原子％，满足公式：3Cr≤20+ 3N。满足N / Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40原子％，总Cr + N含量≥80原子％，且O含量≤10原子％的第一组成的铬化合物层被包括在厚度大于含铬膜总厚度的70％至100％。

48. 发明公开

EP3987077A1 BEAM COLLIMATION TOOL 审中-公开
公开(公告)号：EP3987077A1
公开(公告)日：2022-04-27
申请号：EP19748783.8
申请日：2019-07-29
申请人： Microsoft Technology Licensing, LLC
发明人： KOSTAMO, Pasi , STANKEVIC, Tomas , JEPPESEN, Peter Krogstrup
IPC分类号： C23C14/04 , C23C16/04 , G03F1/20 , G03F7/12 , H01L39/22 , H01L39/24

49. 发明公开

EP3444670A1 PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK BLANK MAKING METHOD, AND PHOTOMASK MAKING METHOD 有权
公开(公告)号：EP3444670A1
公开(公告)日：2019-02-20
申请号：EP18183740.2
申请日：2018-07-16
申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
发明人： KOSAKA, Takuro , KANEKO, Hideo , IRIE, Shigeo , KAWAURA, Naoki
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/20 , G03F1/26 , G03F1/32
摘要： A photomask blank is provided comprising a transparent substrate (1), a first film (21) of chromium-containing material on the substrate, and a second film (22) of silicon/oxygen-containing material disposed contiguous to the first film. The second film includes a first layer (221) contiguous to the first film and a second layer (222) spaced apart from the first layer in the film thickness direction. The oxygen content of the first layer (221) is lower than the oxygen content of the second layer (222). During etching of the first film, this prevents the etching rate from ramping up at the interface between the first and second films.

50. 发明公开

EP3188215A3 AN ADJUSTABLE SHADOW MASK ASSEMBLY FOR USE IN SOLAR CELL FABRICATIONS 审中-公开
标题翻译：一种用于太阳能电池制造的可调阴影掩膜组件
公开(公告)号：EP3188215A3
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：EP16163887.9
申请日：2011-02-09
申请人： Intevac, Inc.
发明人： CHUN, Moon , ADIBI, Babak
IPC分类号： H01L21/426 , H01J37/317 , H01L21/266 , G03F1/20
CPC分类号： H01J37/3171 , G03F1/20 , H01J2237/31711 , H01L21/266
摘要： An adjustable shadow mask implantation system comprising:
an ion source configured to provides ions; and an shadow mask assembly configured to selectively allow ions from the ion source to pass there through to a substrate where they are implanted, wherein the shadow mask assembly is configured to adjust between a first position and a second position,
wherein the shadow mask assembly enables ion implantation of multiple substantially parallel lines absent any lines with an intersecting orientation with respect to the multiple substantially parallel lines when set in the first position, and wherein the shadow mask assembly enables ion implantation of multiple substantially parallel lines and a line with an intersecting orientation with respect to the multiple substantially parallel lines when set in the second position.
摘要翻译：一种可调节荫罩植入系统，包括：配置成提供离子的离子源; 以及荫罩组件，所述荫罩组件被配置为选择性地允许来自所述离子源的离子通过所述离子源到达它们被植入的基板，其中所述荫罩组件被配置为在第一位置和第二位置之间调节，其中所述荫罩组件能够在设置于所述第一位置时，不存在具有相对于所述多条基本上平行的线的交叉取向的任何线的多条基本上平行的线的离子注入，并且其中所述阴影掩模组件能够离子注入多条基本上平行的线和具有交叉方向的线相对于当设置在第二位置时的多条基本上平行的线。

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