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41. 发明申请

WO2015095289A1 DISTORTION CANCELLATION FOR LOW NOISE AMPLIFIER (LNA) NON-LINEAR SECOND ORDER PRODUCTS 审中-公开
标题翻译：低噪声放大器（LNA）非线性第二订单产品的失败消除
公开(公告)号：WO2015095289A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：PCT/US2014/070772
申请日：2014-12-17
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： SANKARANARAYANAN, Janakiram Ganesh
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/32 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F3/68 , H03F2200/09 , H03F2200/144 , H03F2200/151 , H03F2200/181 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2200/541
摘要： A device includes a main low noise amplifier, LNA, stage (410) configured to amplify a single-ended communication signal (RFin), an auxiliary LNA stage (420) coupled to the main LNA stage (410), the auxiliary LNA stage (420) configured to cancel non-linear second order products generated by the main LNA stage (410), and a load circuit (430) configured to receive an output of the main LNA stage (410) and an output of the auxiliary LNA stage (420), the load circuit (430) configured to convert the single-ended communication signal (RFin) to a differential signal.
摘要翻译：一种装置包括主低噪声放大器LNA，配置成放大单端通信信号（RFin）的级（410），耦合到主LNA级（410）的辅助LNA级（420），辅助LNA级（ 420），被配置为消除由主LNA级（410）产生的非线性二阶乘积;以及负载电路（430），被配置为接收主LNA级（410）的输出和辅助LNA级（的输出） 420），被配置为将单端通信信号（RFin）转换为差分信号的负载电路（430）。

42. 发明申请

WO2013088635A1 高出力電力増幅器审中-公开
标题翻译：高输出功率放大器
公开(公告)号：WO2013088635A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2012/007200
申请日：2012-11-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：岡島　利幸
IPC分类号： H03F1/52 , H03F3/24
CPC分类号： H03F3/213 , H03F1/0261 , H03F1/523 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/108 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/181 , H03F2200/451 , H03F2200/471 , H03F2200/555 , H03F2203/7206 , H03F2203/7221 , H03F2203/7227
摘要：　デプレッション型ＦＥＴを用いた高出力電力増幅器において、過電流によるＦＥＴの破壊を確実に防止するために、デプレッション型ＦＥＴのドレーン端子に印加する正電圧を生成するドレーン電圧供給部１２０，２２０，３２０と、デプレッション型ＦＥＴのゲート端子に印加する負電圧を生成するゲートバイアス電圧供給部１３０，２３０，３３０とを備え、ドレーン電圧供給部は電力源として外部商用電源を使用し、ゲートバイアス電圧供給部は電力源として電池を使用している。
摘要翻译：为了可靠地防止由于过电流导致的FET的破坏，使用按压型FET的高输出功率放大器设置有：产生要施加的正电压的漏极电压供给单元（120,220,320）到所述凹陷型FET的漏极端子; 以及栅极偏置电压供给单元（130,230,330），其产生要施加到所述按压型FET的栅极端子的负电压。漏极电压供给单元使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给单元使用电池作为电源。

43. 发明申请

WO2017133776A1 MATRIX POWER AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：矩阵功率放大器
公开(公告)号：WO2017133776A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/EP2016/052386
申请日：2016-02-04
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： VAN RAAY, Dr.-Ing. Friedbert
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/42 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F1/52
CPC分类号： H03F3/211 , H01Q23/00 , H03F1/523 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/423 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/604 , H03F3/607 , H03F2200/06 , H03F2200/108 , H03F2200/135 , H03F2200/181 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/315 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/42 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/498 , H03F2200/75 , H03F2203/45138 , H03F2203/45148 , H03F2203/45151 , H03F2203/45156 , H03F2203/45166 , H03F2203/45202 , H03F2203/45208 , H03F2203/45224 , H03F2203/45258 , H03F2203/45338 , H03F2203/45458 , H03F2203/45488 , H03F2203/45496 , H03F2203/45528 , H03F2203/45544 , H03F2203/45594 , H03F2203/45631 , H03F2203/45696 , H03F2203/45702
摘要： A power amplifier includes a two-dimensional matrix of NxM active cells formed by stacking main terminals of multiple active cells in series. The stacks are coupled in parallel to form the two-dimensional matrix. The power amplifier includes a driver structure to coordinate the driving of the active cells so that the effective output power of the two-dimensional matrix is approximately NxM the output power of each of the active cells.
摘要翻译：功率放大器包括通过串联堆叠多个有源单元的主端子而形成的N×M个有源单元的二维矩阵。这些堆栈被平行耦合以形成二维矩阵。功率放大器包括驱动器结构以协调有源单元的驱动，使得二维矩阵的有效输出功率近似为N×M每个有源单元的输出功率。

44. 发明申请

WO2012156946A1 RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：无线电频率综合电路
公开(公告)号：WO2012156946A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/IB2012/052499
申请日：2012-05-18
申请人： RENESAS MOBILE CORPORATION , HEIKKINEN, Jari Johannes , RIEKKI, Jonne Juhani , KAUKOVUORI, Jouni Kristian
发明人： HEIKKINEN, Jari Johannes , RIEKKI, Jonne Juhani , KAUKOVUORI, Jouni Kristian
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/22 , H03F1/26 , H03F1/30 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/45 , H03F3/72
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F3/45645 , H03F3/72 , H03F2200/135 , H03F2200/144 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/165 , H03F2200/181 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/39 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2203/45154 , H03F2203/45194 , H03F2203/45196 , H03F2203/45286 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45396 , H03F2203/45424 , H03F2203/45434 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45554 , H03F2203/45576 , H03F2203/45596 , H03F2203/45618 , H03F2203/45628 , H03F2203/45641 , H03F2203/45652 , H03F2203/45682 , H03F2203/45692 , H03F2203/45704 , H03F2203/7203 , H03F2203/7209 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236
摘要： Embodiments of the invention are concerned with configurable RFICs. In an embodiment there is provided a configurable radio -frequency integrated circuit (RFIC) comprising one or more configurable low noise amplifier circuits, each of said one or more configurable low noise amplifier circuits being configurable between: an internal input impedance matching topology in which the respective low noise amplifier circuit comprises one or more internal input impedance matching components adapted to match the input impedance of the respective low noise amplifier to a given input, said one or more internal input impedance matching components being located internally to the respective low noise amplifier circuit; and a topology different from said internal input impedance matching topology.
摘要翻译：本发明的实施例涉及可配置的RFIC。在一个实施例中，提供了一种包括一个或多个可配置低噪声放大器电路的可配置射频集成电路（RFIC），所述一个或多个可配置低噪声放大器电路中的每一个可配置于：内部输入阻抗匹配拓扑，其中相应的低噪声放大器电路包括一个或多个内部输入阻抗匹配部件，其适于将各个低噪声放大器的输入阻抗与给定输入进行匹配，所述一个或多个内部输入阻抗匹配部件位于各自的低噪声放大器电路内部 ; 以及与所述内部输入阻抗匹配拓扑不同的拓扑。

45. 发明申请

WO2009025083A1 アンテナ装置及びこのアンテナ装置が搭載された電子機器审中-公开
标题翻译：具有天线装置的天线装置和电子装置
公开(公告)号：WO2009025083A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/002228
申请日：2008-08-19
申请人：パナソニック株式会社 , 佐古元彦 , 岩井浩 , 北村英則 , 岳山基之 , 山本雄大
发明人：佐古元彦 , 岩井浩 , 北村英則 , 岳山基之 , 山本雄大
IPC分类号： H04B1/18 , H01Q23/00 , H03F3/191
CPC分类号： H03F3/1935 , H01Q1/2266 , H01Q23/00 , H03F2200/181 , H03F2200/492
摘要：　アンテナ素子と、このアンテナ素子に接続されるとともにアンテナ素子から出力される高周波信号を増幅させる増幅回路と、この増幅回路を接地する接地端子と、を備え、第１周波数帯においてアンテナ素子の出力インピーダンスが容量性であるとともに増幅回路の入力インピーダンスが誘導性であり、第１周波数帯よりも高い第２周波数帯においてアンテナ素子の出力インピーダンスが誘導性であるとともに増幅回路の入力インピーダンスが容量性であり、増幅回路と接地端子との間には位相調整部が接続された構成としたので、増幅回路のゲインを周波数によって選択的に低下させることにより、増幅回路の動作を安定化させることができる。
摘要翻译：天线装置设有天线元件; 连接到天线元件的放大电路，用于放大从天线元件输出的高频信号; 以及用于使放大电路接地的接地端子。在第一频带中，天线元件的输出阻抗是电容性的，放大电路的输入阻抗是电感的。在高于第一频带的第二频带中，天线元件的输出阻抗是电感的，并且输入阻抗放大电路是电容的。相位调整部分连接在放大电路和接地端子之间。因此，通过根据频率选择性地降低放大电路的增益来稳定放大电路的工作。

46. 发明申请

WO2017027354A1 MULTI-STAGE AMPLIFIER WITH CASCODE STAGE AND DC BIAS REGULATOR 审中-公开
标题翻译：多级放大器和直流偏置调节器
公开(公告)号：WO2017027354A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/US2016/045723
申请日：2016-08-05
申请人： RAYTHEON COMPANY
发明人： KAPER, Valery, S.
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/30 , H03F1/08 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/086 , H03F1/223 , H03F1/301 , H03F3/193 , H03F2200/18 , H03F2200/181 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： A multi-stage amplifier (10'') having a first amplifier stage (12) comprising: a pair of transistors arranged in a cascode amplifier arrangement; and an isolation circuit; and a second amplifier stage (13) coupled to an output of the first amplifier stage (12); and bias regulator (14) having a reference transistor. The cascode amplifier stage includes a pair of transistors arranged in a cascode amplifier arrangement. The bias regulator (14) produces a reference current through the reference transistor and DC bias voltages for the control electrodes of each of the pair of transistors in the cascode amplifier arrangement and for the second stage's transistor as a function of the reference current through the reference transistor.
摘要翻译：具有第一放大器级（12）的多级放大器（10“）包括：以共源共栅放大器布置的一对晶体管; 和隔离电路; 以及耦合到所述第一放大器级（12）的输出端的第二放大器级（13）。和具有参考晶体管的偏置调节器（14）。共射共基放大器级包括以共源共栅放大器布置布置的一对晶体管。偏置调节器（14）产生通过参考晶体管的参考电流和用于共源共栅放大器布置中的该对晶体管中的每一个的控制电极的直流偏置电压以及用于第二级晶体管的参考电流作为通过参考的参考电流的函数晶体管。

47. 发明申请

WO2014029412A1 DEVICE FOR NEGATIVE GROUP DELAY 审中-公开
标题翻译：负组延迟的设备
公开(公告)号：WO2014029412A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2012/065438
申请日：2012-08-07
申请人： TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (publ) , BAO, Mingquan , SU, Yu
发明人： BAO, Mingquan , SU, Yu
IPC分类号： H03F3/193 , H03F3/60 , H04B1/04 , H04L27/36 , H03F1/22
CPC分类号： H03H11/26 , H01P1/38 , H01P5/12 , H03F1/22 , H03F3/193 , H03F3/601 , H03F3/608 , H03F2200/108 , H03F2200/181 , H03H5/12 , H03H7/32 , H03H11/04
摘要： A negative group delay circuit (200, 300) comprising a negative group delay component (205, 600, 100), also comprising a circulator (220, 320) with three ports (206, 207, 250), further comprising a first resonator (230), with the negative group delay component (205) arranged between an input port (210) of the negative group delay circuit (200, 300) and a first port (206) in the circulator (220, 320). The first resonator (230) is arranged between a second port (207) of the circulator (220, 320) and a first reflection amplifier (240), so that signals reflected from the first reflection amplifier (240) to the second port (207) of the circulator (220; 320) through the first resonator (230) are emitted at the third port (250) of the circulator (220; 320). The third port is arranged to be used as an output port of the negative group delay circuit (200, 300).
摘要翻译：包括负组延迟组件（205,600,100）的负组延迟电路（200,300）还包括具有三个端口（206,207,250）的循环器（220,320），还包括第一谐振器 230），其中负组延迟分量（205）布置在负组延迟电路（200,300）的输入端口（210）和循环器（220,320）中的第一端口（206）之间。第一谐振器（230）布置在循环器（220,320）的第二端口（207）和第一反射放大器（240）之间，使得从第一反射放大器（240）反射到第二端口（207）的信号）通过第一谐振器（230）的循环器（220; 320）在循环器（220; 320）的第三端口（250）处被发射。第三端口布置成用作负组延迟电路（200,300）的输出端口。

48. 发明申请

WO2010038111A1 WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE DEVICE HAVING A POWER AMPLIFIER THEREFOR 审中-公开
标题翻译：无线通信设备和具有该功率放大器的半导体封装设备
公开(公告)号：WO2010038111A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/IB2008/055635
申请日：2008-09-30
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , BOUISSE, Gerard
发明人： BOUISSE, Gerard
IPC分类号： H03F1/08 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F3/26
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/086 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/265 , H03F2200/108 , H03F2200/181 , H03F2200/216 , H03F2200/301 , H03F2203/21112 , H03F2203/21157
摘要： A semiconductor package device (500) comprises a first amplifier block (510), at least one further amplifier block (520) operably coupled in parallel with the first amplifier block (510) between a common input (505) and a common output (570), and at least one stabilisation network (580, 910, 920, 930) operably coupled between a node (590, 912, 922, 932) of the first amplifier block (510) and a corresponding node (595, 914, 924, 934) of the at least one further amplifier block (520). The at least one stabilisation network (580, 910, 920, 930) comprises an inductance (582, 682, 584) operably coupled between the corresponding nodes (590, 912, 922, 932, 595, 914, 924, 934) of the first and at least one further amplifier blocks (510, 520), and a capacitance (584) operably coupling a mid-point of the inductance (582, 682, 684) to a ground plane (586).
摘要翻译：半导体封装器件（500）包括第一放大器块（510），至少一个另外的放大器块（520），其在公共输入（505）和公共输出（570）之间可操作地与第一放大器块（510）并联）和可操作地耦合在第一放大器块（510）的节点（590,912,922,932）之间的至少一个稳定网络（580,910,920,930）和相应的节点（595,914,924,930） 934）的至少一个另外的放大器块（520）。所述至少一个稳定网络（580,910,920,930）包括可操作地耦合在所述至少一个稳定网络（580,910,930,930）上的相应节点（590,912,922,932,595,914,924,934）之间的电感（582,682,584）第一和至少一个另外的放大器块（510,520）和可操作地将电感（582,682,684）的中点耦合到接地平面（586）的电容（584）。

49. 发明公开

KR1020110008908A 개선된 선형성을 가지는 신호 증폭 장치 有权
标题翻译：用于信号放大与高级线性化的装置
公开(公告)号：KR1020110008908A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：KR1020090066467
申请日：2009-07-21
申请人： 중앙대학교 산학협력단
发明人： 최영완 , 김도균 , 홍남표
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/32
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F2200/108 , H03F2200/181 , H03F2200/451
摘要： PURPOSE: A signal amplification device having the improved linearity is provided to adjust the magnitudes of amplification signal and non linear signal same by additionally connecting a passive component. CONSTITUTION: A driving unit(310) has the structure of a cascade amplifier comprising a first active component and a second active component. The driving unit outputs the amplification signal amplified the input signal to the output terminal. A third active component(320) is inputted with the split signal between the first active component and the second active component by closing a gate terminal and a drain terminal.
摘要翻译：目的：提供具有改善的线性度的信号放大装置，通过另外连接无源部件来调节放大信号和非线性信号的幅度。构成：驱动单元（310）具有包括第一有源部件和第二有源部件的级联放大器的结构。驱动单元将输入信号放大的放大信号输出到输出端子。通过关闭栅极端子和漏极端子，在第一有源部件和第二有源部件之间通过第三有源部件（320）输入分离信号。

50. 发明专利

JP5330464B2 Power amplification system by improving supply and bias 有权
公开(公告)号：JP5330464B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2011156505
申请日：2011-07-15
申请人：スカイワークスソリューションズ,インコーポレイテッドSkyworks Solutions,Inc.
发明人：ジェイムズシー．キャニオン、 , ステファンエム．ロールフィング、
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03G3/00 , H03G3/20 , H03G3/30 , H04B1/04
CPC分类号： H03F1/0261 , H03F1/0211 , H03F1/30 , H03F1/302 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/18 , H03F2200/181 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/372 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2200/516 , H03F2200/555 , H03F2203/7227 , H03G3/004 , H03G3/3042
摘要： A radio frequency (RF) power amplifying system. The power amplifying system includes a power controller and power amplifiers comprising power transistors and bias circuitry. The bias circuitry provides current to the base of the one or more power transistors in such as manner as to automatically maintain the power transistors in substantially linear operation throughout the variation in voltage as supplied by the power controller.

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