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41. 发明公开

EP3040143A1 COATED TOOL 有权
标题翻译：涂层工具
公开(公告)号：EP3040143A1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：EP14840060.9
申请日：2014-08-27
申请人： Kyocera Corporation
发明人： TANIBUCHI,Takahito , KODAMA,Yoshikazu
IPC分类号： B23B27/14 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/403 , C23C16/347 , C23C28/042 , C23C28/044
摘要： Provided is a coated tool exhibiting enhanced wear resistance and adhesiveness of an aluminum oxide layer and superior wear resistance and defect resistance. A cutting tool (1) in which at least a titanium carbonitride layer (8) and an aluminum oxide layer (10) having an α-type crystalline structure are laminated in that order on a surface of a substrate (5). A surface-side Tc(116) in a surface-side peak is greater than a substrate-side Tc(116) in a substrate-side peak where Tc(116) is an orientation factor of the aluminum oxide layer (10) when comparing the substrate-side peak detected by measuring a portion on a substrate (5) side of the aluminum oxide layer (10) and the surface-side peak detected by measuring a portion on a surface side of the aluminum oxide layer (10) in X-ray diffraction analysis of the aluminum oxide layer (10).
摘要翻译：本发明提供一种涂层工具，其表现出增强的氧化铝层的耐磨性和粘附性以及优异的耐磨性和耐缺陷性。一种切削工具，其特征在于，在基材的表面上至少依次层叠碳氮化钛层和具有α型结晶结构的氧化铝层而成的切削工具。当比较时，Tc（116）是氧化铝层（10）的取向因子的表面侧峰值中的表面侧Tc（116）大于衬底侧峰值中的衬底侧Tc（116）通过测量氧化铝层（10）的衬底（5）侧上的部分和通过测量X中的氧化铝层（10）的表面侧上的部分而检测到的表面侧峰来检测衬底侧峰值 - 氧化铝层（10）的X-射线衍射分析。

42. 发明公开

EP2205383A1 A NEW PRODUCT AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE WITHIN MATERIAL PROCESSING 有权
标题翻译：新产品和生产材料中的处理方法
公开(公告)号：EP2205383A1
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：EP08836501.0
申请日：2008-09-29
申请人： Mircona Ab
发明人： MIHIC, Ragnhild , MIHIC, Peter
IPC分类号： B23B29/02 , B23B27/00 , B23Q11/00 , C23C16/34
CPC分类号： C23C14/0658 , B23B27/002 , B23B27/007 , B23B29/043 , B23B31/005 , B23B2226/18 , B23B2228/10 , C23C14/0057 , C23C16/347 , C23C28/023 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/347 , C23C28/42 , Y10S428/9088 , Y10T407/1906 , Y10T407/22 , Y10T408/76 , Y10T409/304312 , Y10T428/12535 , Y10T428/12576 , Y10T428/249921 , Y10T428/26 , Y10T428/2982 , Y10T428/31678
摘要： The present invention provides an appliance for chip removal applications comprising a vibration-damping material wherein the vibration-damping material is a material arranged by nano-dimensional cluster form. The present invention additionally provides a method for manufacturing said appliance. The present invention provides also an appliance obtainable by said method. Additionally the present invention provides an article or work piece for use in an appliance for chip removal applications. Also a computer program is provided for controlling the above method.

43. 发明申请

WO2016054566A1 ORGANODISILANE PRECURSORS FOR ALD/CVD SILICON-CONTAINING FILM APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译： ALD / CVD含硅薄膜应用的组织前体
公开(公告)号：WO2016054566A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/US2015/053818
申请日：2015-10-02
申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , AMERICAN AIR LIQUIDE, INC.
发明人： HUSSON, Guillaume , KUCHENBEISER, Glenn , PALLEM, Venkateswara R.
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/325 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/4482
摘要： Disclosed are Si-containing film forming composition comprising organodisilane precursors. The organodisilane precursors have the formula (E-(CR) n -E)SiH 2 -SiH x (E-(CR) n -E) 3-x , wherein x is 2 or 3; each n is independently 1 or 3; each (E-(CR) n -E) group is a monoanionic bidentate ligand bonding to the Si through each E; each E is independently chosen from NR, O or S; and each R is independently selected from the group consisting of H, a C1 to C6 alkyl group, and a C3-C20 aryl or heterocycle group. Also disclosed are methods of synthesizing the Si-containing film forming compositions and methods of using the same to deposit silicon-containing films using vapor deposition processes for manufacturing semiconductors, photovoltaics, LCD-TFT, flat panel-type devices, refractory materials, or aeronautics.
摘要翻译：公开了含有有机硅烷前体的含Si成膜组合物。有机硅烷前体具有式（E-（CR）n -E）SiH 2 -SiHx（E-（CR）n -E）3-x，其中x为2或3; 每个n独立地为1或3; 每个（E-（CR）n -E）基团是通过每个E键合到Si的单阴离子二齿配体; 每个E独立地选自NR，O或S; 并且每个R独立地选自H，C1-C6烷基和C3-C20芳基或杂环基。还公开了合成含Si成膜组合物的方法及其使用方法以使用用于制造半导体，光伏，LCD-TFT，平板型装置，耐火材料或航空的气相沉积工艺沉积含硅膜。

44. 发明申请

WO2014098251A1 ｇ－Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用审中-公开
标题翻译： g-C3N4薄膜生产方法和使用电影
公开(公告)号：WO2014098251A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/JP2013/084543
申请日：2013-12-24
申请人：独立行政法人理化学研究所
发明人：宮島　大吾 , 荒添　弘樹 , 川本　益揮 , 赤池　幸紀 , 小泉　美子 , 相田　卓三
IPC分类号： C01B21/082 , C01B3/04 , C23C16/34 , B01J35/02
CPC分类号： B01J31/06 , B01J27/24 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J35/02 , B01J37/0219 , B01J37/08 , B01J2231/62 , B01J2531/002 , B01J2531/008 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01B21/0605 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C07D487/16 , C23C16/01 , C23C16/347 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/04 , H01M4/58 , H01M4/587 , Y02E60/364 , Y02E60/366
摘要：　簡便かつ容易な取り扱いが可能なｇ－Ｃ３Ｎ４を提供するために、Ｘ＋ｍＹｍ－で表される化合物（Ｘ＋は、グアニジウムイオン等であり、Ｙｍ－は陰イオンである）を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で重合させてｇ－Ｃ３Ｎ４を生成させて、ｇ－Ｃ３Ｎ４のフィルムを製造する。
摘要翻译：为了提供能够方便且易于处理的g-C3N4，使用由X + mYm-（X +表示胍离子等，Ym-表示负离子）表示的化合物作为原料，加热，将化合物或其反应物蒸发沉积在带有负电荷或具有电荷的加热的基底材料表面上，并在基材上聚合以形成g-C3N4，从而产生g-C3N4膜。

45. 发明申请

WO2010039363A3 METHODS FOR FORMING SILICON NITRIDE BASED FILM OR SILICON CARBON BASED FILM 审中-公开
标题翻译：形成基于硅的薄膜或硅基膜的方法
公开(公告)号：WO2010039363A3
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/US2009055073
申请日：2009-08-26
申请人： APPLIED MATERIALS INC , MALLICK ABHIJIT BASU , NEMANI SRINIVAS D
发明人： MALLICK ABHIJIT BASU , NEMANI SRINIVAS D
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3148 , C23C16/325 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/505 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： A method for depositing a silicon nitride based dielectric layer is provided. The method includes introducing a silicon precursor and a radical nitrogen precursor to a deposition chamber. The silicon precursor has a N-Si-H bond, N-Si-Si bond and/or Si-Si-H bond. The radical nitrogen precursor is substantially free from included oxygen. The radical nitrogen precursor is generated outside the deposition chamber. The silicon precursor and the radical nitrogen precursor interact to form the silicon nitride based dielectric layer.
摘要翻译：提供了一种沉积氮化硅基电介质层的方法。该方法包括将硅前体和自由基氮前体引入沉积室。硅前体具有N-Si-H键，N-Si-Si键和/或Si-Si-H键。自由基氮前体基本上不含有氧。在沉积室外产生自由基氮前体。硅前体和自由基氮前体相互作用以形成基于氮化硅的介电层。

46. 发明授权

EP2535343B1 Organoaminosilane precursors and methods for making and using same 有权
标题翻译：有机氨基硅烷前体和制造和使用它们的方法
公开(公告)号：EP2535343B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：EP12169229.7
申请日：2012-05-24
申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人： Xiao, Manchao , Lei, Xinjian , Han, Bing , O'Neill, Mark Leonard , Pearlstein, Ronald Martin , Ho, Richard , Chandra, Haripin , Derecskei-Kovacs, Agnes
IPC分类号： C07F7/02 , C23C16/36 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/24 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/308 , C23C16/32 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228

47. 发明公开

EP2535343A2 Organoaminosilane precursors and methods for making and using same 有权
标题翻译： Organoaminosilan-Vorläufersowie Herstellungs- und Verwendungsverfahrendafür
公开(公告)号：EP2535343A2
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：EP12169229.7
申请日：2012-05-24
申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人： Xiao, Manchao , Lei, Xinjian , Han, Bing , O'Neill, Mark Leonard , Pearlstein, Ronald Martin , Ho, Richard , Chandra, Haripin , Derecskei-Kovacs, Agnes
IPC分类号： C07F7/02 , C23C16/36 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/24 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/308 , C23C16/32 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228
摘要： Described herein are organoaminosilane precursors which can be used to deposit silicon containing films which contain silicon and methods for making these precursors. Also disclosed herein are deposition methods for making silicon-containing films or silicon containing films using the organoaminosilane precursors described herein. Also disclosed herein are the vessels that comprise the organoaminosilane precursors or a composition thereof that can be used, for example, to deliver the precursor to a reactor in order to deposit a silicon-containing film.
摘要翻译：本文描述了可用于沉积含有硅的含硅膜的有机氨基硅烷前体和用于制备这些前体的方法。本文还公开了使用本文所述的有机氨基硅烷前体制备含硅膜或含硅膜的沉积方法。还公开了包含有机氨基硅烷前体或其组合物的容器，其可以用于例如将前体输送到反应器以沉积含硅膜。

48. 发明公开

EP2326743A1 KUNSTOFFPRODUKT MIT GUTER BARRIEREWIRKUNG NACH STERILISIERBEHANDLUNG 审中-公开
标题翻译：效果好BY消毒KUNSTOFFPRODUKT屏障
公开(公告)号：EP2326743A1
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：EP09814086.6
申请日：2009-07-27
申请人： Amcor Flexibles Kreuzlingen Ltd.
发明人： KOERNER, Lutz , SONNENFELD, Axel , RUDOLF VON ROHR, Philipp
IPC分类号： C23C16/26 , B65D25/34 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/56
CPC分类号： C23C16/26 , B65D2565/387 , C08J7/045 , C08J7/123 , C23C16/0272 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/56 , Y02W30/806
摘要： The invention relates to a plastic film for packaging purposes or a packaging part made of molded plastic, having good impermeability against gases, water vapor, and odors after a sterilization treatment, comprising a barrier layer generated by plasma-enhanced chemical vapor phase deposition (PECVD) made of amorphous hydrated carbon doped with nitrogen (N) (a-C:N:H) as a bonding base for a second barrier layer made of metals, metal oxides, or metal nitrides.

49. 发明公开

EP0787222A1 PROCEDE DE DEPOT D'UN REVETEMENT PROTECTEUR DE GRANDE DURETE 失效
标题翻译：一种用于生产ARTSTOFFSCHUTZSCHICHT
公开(公告)号：EP0787222A1
公开(公告)日：1997-08-06
申请号：EP95939327.0
申请日：1995-11-06
申请人： Neuville, Stéphane
发明人： Neuville, Stéphane
IPC分类号： C23C14 , C23C16
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0036 , C23C14/0605 , C23C14/0641 , C23C14/0658 , C23C16/26 , C23C16/347
摘要： A method for depositing a hard protective coating on at least one part, wherein 10-70 % of nitrogen combined with 10-70 % of a mixture of helium and argon, or 10-70 % of neon for strongly exciting and dissociating the nitrogen and hydrogen, is added to a precursor gas, and the energy delivered to each atom of the precursor gas is selected so as to achieve so-called 'Lifschitz' conditions which define the energy range in which a maximum number of diamond-like tetrahedral structures are produced instead of graphite structures.

50. 发明公开

EP0724026A1 Verfahren zur reaktiven Schichtabscheidung 失效
公开(公告)号：EP0724026A1
公开(公告)日：1996-07-31
申请号：EP96100200.3
申请日：1996-01-09
申请人： BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Karner, Johann, Dr. , Pedrazzini, Mauro , Bergmann, Erich, Dr.
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01J37/00 , H05H1/48
CPC分类号： C23C16/276 , C23C16/342 , C23C16/347 , C23C16/4584 , C23C16/513 , H01J37/32055 , H05H1/50
摘要： Für die Behandlung von Werkstücken mittels eines reaktiven Prozesses wird ein gebündelter Plasmastrahl (1) erzeugt und die zu behandelnden Werkstückoberflächen werden entlang einer zur Plasmastrahlachse (A) koaxialen Rotationsfläche (F) verteilt und zwar in einem Bereich, in welchem die Plasmadichte höchstens 20% der im Zentrum des Strahls vorherrschenden Plasmadichte beträgt.
摘要翻译：在真空容器（10）中产生等离子体束（1），而工件平行于射束轴线（A）设置，其中径向偏离。将新鲜的反应气体（R）引入容器中，而从其中吸入使用的气体。该方法的特征在于，待同时处理的工件沿着等离子体束周围的细长旋转表面布置。 appts。包括同轴围绕等离子体束的工件载体系统（24）。

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