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41. 发明专利

TWI548103B 電洞傳輸分子與其於太陽能電池中之用途有权
简体标题：电洞传输分子与其于太阳能电池中之用途
公开(公告)号：TWI548103B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW103140360
申请日：2014-11-21
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY , 戴索有限公司 , DYESOL LIMITED
发明人：李海榮 , LI, HAIRONG , 蒂魯馬爾克里希納穆爾蒂 , THIRUMAL, KRISHNAMOORTHY , 格里姆斯戴爾安德烈 , GRIMSDALE, ANDREW CLIVE , 瑪瑟卡蘇博G , MHAISALKAR, SUBODH G
IPC分类号： H01L31/0256
CPC分类号： C07D333/20 , C07D409/04 , C07D495/04

42. 发明专利

TW201601192A 回收基板和載體基板的方法审中-公开
简体标题：回收基板和载体基板的方法
公开(公告)号：TW201601192A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104107540
申请日：2015-03-10
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：德米爾希勒米沃爾坎 , DEMIR, HILMI VOLKAN , 陳瑞添 , TAN, SWEE TIAM
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/64 , H01L21/77 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381
摘要：本發明於各種實施例中提供一種回收載體基板的方法。該方法可以包含提供該載體基板。該方法可以進一步包含藉由沉積一合宜材料於該載體基板上而形成一緩衝層，從而形成一包括該載體基板與該緩衝層的合成基板。該方法還可以包含形成一或更多個器件層於該緩衝層上方。該方法可以額外包含於一分離製程中將該一或更多個器件層與該載體基板分離，俾使得當該一或更多個器件層與該載體基板分離時該緩衝層的至少一部分仍會殘留在該載體基板上。該方法可以進一步包含在該分離製程之後藉由沉積該合宜材料而以該緩衝層的該部分形成另一緩衝層，以便回收該載體基板。
简体摘要：本发明于各种实施例中提供一种回收载体基板的方法。该方法可以包含提供该载体基板。该方法可以进一步包含借由沉积一合宜材料于该载体基板上而形成一缓冲层，从而形成一包括该载体基板与该缓冲层的合成基板。该方法还可以包含形成一或更多个器件层于该缓冲层上方。该方法可以额外包含于一分离制程中将该一或更多个器件层与该载体基板分离，俾使得当该一或更多个器件层与该载体基板分离时该缓冲层的至少一部分仍会残留在该载体基板上。该方法可以进一步包含在该分离制程之后借由沉积该合宜材料而以该缓冲层的该部分形成另一缓冲层，以便回收该载体基板。

43. 发明专利

TW201535787A 發光裝置以及形成其之方法审中-公开
简体标题：发光设备以及形成其之方法
公开(公告)号：TW201535787A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140758
申请日：2014-11-25
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：張雪亮 , ZHANG, XUELIANG , 張紫輝 , ZHANG, ZI-HUI , 紀云 , JI, YUN , 鞠振剛 , JU, ZHEN GANG , 劉偉 , LIU, WEI , 陳瑞添 , TAN, SWEE TIAM , 孫小衛 , SUN, XIAOWEI , 德米爾希勒米沃爾坎 , DEMIR, HILMI VOLKAN
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要：發光裝置可以包括作用層。發光裝置可以包括第一導電類型的第一半導體層。第一半導體層可以實體接觸作用層。發光裝置也可以包括第二導電類型的第二半導體層。第二半導體層可以實體接觸作用層並且面對於第一導電層。發光裝置可以進一步包括第一電極，其實體接觸第一半導體層的第一側。發光裝置可以額外包括第二電極，其實體接觸第一半導體層的第二側。第一半導體層的第二側可以異於第一半導體層的第一側。發光裝置也可以包括第三電極，其實體接觸第二半導體層。
简体摘要：发光设备可以包括作用层。发光设备可以包括第一导电类型的第一半导体层。第一半导体层可以实体接触作用层。发光设备也可以包括第二导电类型的第二半导体层。第二半导体层可以实体接触作用层并且面对于第一导电层。发光设备可以进一步包括第一电极，其实体接触第一半导体层的第一侧。发光设备可以额外包括第二电极，其实体接触第一半导体层的第二侧。第一半导体层的第二侧可以异于第一半导体层的第一侧。发光设备也可以包括第三电极，其实体接触第二半导体层。

44. 发明专利

TW200806965A 利用薄膜和透膜壓力比的檢測設備和方法 DETECTION APPARATUS AND METHOD UTILIZING MEMBRANES AND RATIO OF TRANSMEMBRANE PRESSURES 审中-公开
简体标题：利用薄膜和透膜压力比的检测设备和方法 DETECTION APPARATUS AND METHOD UTILIZING MEMBRANES AND RATIO OF TRANSMEMBRANE PRESSURES
公开(公告)号：TW200806965A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096116607
申请日：2007-05-10
申请人：南洋理工大學 NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：吉拉喬法塔倫納維克 PHATTARANAWIK, JIRACHOTE , 安東尼G 費尼 FANE, ANTHONY G. , 黃福勝 WONG, FOOK-SIN
IPC分类号： G01L , B01D
CPC分类号： B01D65/102 , B01D61/025 , B01D61/147 , B01D2311/14 , B01D2311/24 , G01N33/18
摘要：使用一種薄膜式檢測器來檢測一上游過濾薄膜失效,或是在流體中存在阻塞物。該流體或是來自過濾薄膜的出流物被導引滲透經過第一滲透薄膜,且從第一滲透薄膜滲透經過第二滲透薄膜。一個介於(P1-P2)與(P2-P3)之間的比率被決定,其中P1為第一薄膜進流側的第一壓力,P2為介於第一薄膜與第二薄膜之間的第二壓力,且P3為第二薄膜滲透側的第三壓力。該比率値是與該過濾薄膜的失效或是阻塞物的存在有關聯。
简体摘要：使用一种薄膜式检测器来检测一上游过滤薄膜失效,或是在流体中存在阻塞物。该流体或是来自过滤薄膜的出流物被导引渗透经过第一渗透薄膜,且从第一渗透薄膜渗透经过第二渗透薄膜。一个介于(P1-P2)与(P2-P3)之间的比率被决定,其中P1为第一薄膜进流侧的第一压力,P2为介于第一薄膜与第二薄膜之间的第二压力,且P3为第二薄膜渗透侧的第三压力。该比率値是与该过滤薄膜的失效或是阻塞物的存在有关联。

45. 发明专利

TW201907479A 促進用於半導體製造的半導體元件的伸張之方法，藉由此方法獲得的半導體平台，及包含此半導體平台的光電裝置审中-公开
简体标题：促进用于半导体制造的半导体组件的伸张之方法，借由此方法获得的半导体平台，及包含此半导体平台的光电设备
公开(公告)号：TW201907479A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107120633
申请日：2018-06-15
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY , 麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：林一丁 , LIN, YIDING , 米契爾爵根 , MICHEL, JURGEN , 陳全勝 , TAN, CHUAN SENG
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明揭示一種促進用於半導體製造的一半導體元件(331)之伸張的方法。在一所描述之具體實例中，該方法包含：提供一基層(320)，其中該半導體元件(331)配置在該基層(320)之一第一基部(321)上，該半導體元件(331)經受與該第一基部(321)之一特性有關之一應變；以及調整該第一基部(321)之該特性以促進該半導體元件(331)之伸張。
简体摘要：本发明揭示一种促进用于半导体制造的一半导体组件(331)之伸张的方法。在一所描述之具体实例中，该方法包含：提供一基层(320)，其中该半导体组件(331)配置在该基层(320)之一第一基部(321)上，该半导体组件(331)经受与该第一基部(321)之一特性有关之一应变；以及调整该第一基部(321)之该特性以促进该半导体组件(331)之伸张。

46. 发明专利

TW201904228A 用以反制側通道攻擊的硬體安全审中-公开
简体标题：用以反制侧信道攻击的硬件安全
公开(公告)号：TW201904228A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107109468
申请日：2018-03-20
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：張坤翔 , CHONG, KWEN SIONG , 魏峇輝 , GWEE, BAH HWEE , 帕姆阿里阿卡巴 , PAMMU, ALI AKBAR
IPC分类号： H04L9/00 , G06F21/55
摘要：本發明提供用於反制側通道攻擊的硬體安全之方法及設備。該方法或設備可引入至少一個冗餘或部分冗餘計算，及/或以一不同順序對操作疊代進行重排序，在與密碼編譯裝置之一真操作的功率消耗輪廓或電磁發射輪廓相比時，該至少一個冗餘或部分冗餘計算具有一類似功率消耗輪廓或一電磁發射輪廓。該冗餘或部分冗餘計算可藉由使用一不同密碼金鑰及/或一不同原始資料(例如，明文)來執行。該冗餘或部分冗餘計算之存在，在難以清楚地識別真或冗餘/部分冗餘操作的意義上將使側通道攻擊難以進行，因此充當用於硬體安全之一反制。
简体摘要：本发明提供用于反制侧信道攻击的硬件安全之方法及设备。该方法或设备可引入至少一个冗余或部分冗余计算，及/或以一不同顺序对操作叠代进行重排序，在与密码编译设备之一真操作的功率消耗轮廓或电磁发射轮廓相比时，该至少一个冗余或部分冗余计算具有一类似功率消耗轮廓或一电磁发射轮廓。该冗余或部分冗余计算可借由使用一不同密码密钥及/或一不同原始数据(例如，明文)来运行。该冗余或部分冗余计算之存在，在难以清楚地识别真或冗余/部分冗余操作的意义上将使侧信道攻击难以进行，因此充当用于硬件安全之一反制。

47. 发明专利

TWI647920B 適用於行動通訊之積體電路及相關行動運算裝置有权
简体标题：适用于移动通信之集成电路及相关行动运算设备
公开(公告)号：TWI647920B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104102346
申请日：2015-01-23
申请人：美國麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , 南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：崔弼淳 , CHOI, PILSOON , 高昊 , GAO, JASON , 拉瑪納頓納戴許 , RAMANATHAN, NADESH , 文振財 , BOON, CHIRN CHYE , 法米蘇哈柏 , FAHMY, SUHAIB , 白俐翾 , PEH, LI SHIUAN
IPC分类号： H04B1/38

48. 发明专利

TW201819553A 油墨組成物，形成導電構件方法及導電裝置审中-公开
简体标题：油墨组成物，形成导电构件方法及导电设备
公开(公告)号：TW201819553A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106133233
申请日：2017-09-27
申请人：南洋科技大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY , 美商洛伊馬汀公司 , LOCKHEED MARTIN CORPORATION
发明人：李正剛 , LI, ZHENGGANG , 藍燕明 , LAM, YENG MING , 顏志勵 , GAN, CHEE LIP , 金材爰 , KIM, JAEWON , 辛雅佛地 , ZINN, ALFRED A.
IPC分类号： C09D11/03 , C09D11/52 , H01B1/22 , H01B5/14 , H01L21/445 , H01L51/44 , H01L51/52 , G02F1/1343 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要：根據本發明之具體實施例，提供了一種油墨組成物。該油墨組成物包括複數個奈米結構，其分佈於至少兩種截面尺寸範圍，其中該複數個奈米結構中的每一個奈米結構都不含大於200 nm之截面尺寸。根據本發明之其他具體實施例，也提供了一種用於形成導電構件與導電裝置的方法。
简体摘要：根据本发明之具体实施例，提供了一种油墨组成物。该油墨组成物包括复数个奈米结构，其分布于至少两种截面尺寸范围，其中该复数个奈米结构中的每一个奈米结构都不含大于200 nm之截面尺寸。根据本发明之其他具体实施例，也提供了一种用于形成导电构件与导电设备的方法。

49. 发明专利

TWI615428B 複合材料有权
简体标题：复合材料
公开(公告)号：TWI615428B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW102121999
申请日：2013-06-20
申请人：南洋理工大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：穆特盧金埃夫倫 , MUTLUGUN, EVREN , 德米爾希勒沃爾坎 , DEMIR, HILMI VOLKAN
IPC分类号： C08K9/00 , C07F9/28 , C07C53/126 , C07C57/03 , C07C211/08 , C07C211/20 , G01F23/22 , C08J5/18 , C08J5/24 , H01L33/00
CPC分类号： C08J5/18 , B29C39/10 , B29K2033/12 , B29L2009/00 , B82Y30/00 , C08J2333/12 , C09K11/565 , C09K11/661 , C09K11/883 , C09K11/892 , Y10S977/84 , Y10T428/2438

50. 发明专利

TW201724443A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201724443A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105130547
申请日：2016-09-22
申请人：南洋科技大學 , NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人：林葉 , LIN, YE , 陳全勝 , TAN, CHUAN SENG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L28/92 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L27/10823 , H01L28/40 , H01L28/87 , H01L28/88 , H01L28/91
摘要：一種半導體裝置100包括具有基板貫孔洞106之一基板102及一基板貫孔導體116，該基板貫孔洞106中形成有：一第一電容器電極層108a及一第二電容器電極層108b，以及設置在該第一電容器電極層108a及該第二電容器電極層108b之間的一介電材料層112。一種形成一半導體裝置100的方法，該半導體裝置100包括一基板貫孔洞106，該方法包括在基板貫孔洞106中形成；一第一電容器電極層108a與一第二電容器電極層108b，及設置在該第一電容器電極層108a與該第二電容器電極層108b之間的一介電材料層112；以及一基板貫孔導體116。
简体摘要：一种半导体设备100包括具有基板贯孔洞106之一基板102及一基板贯孔导体116，该基板贯孔洞106中形成有：一第一电容器电极层108a及一第二电容器电极层108b，以及设置在该第一电容器电极层108a及该第二电容器电极层108b之间的一介电材料层112。一种形成一半导体设备100的方法，该半导体设备100包括一基板贯孔洞106，该方法包括在基板贯孔洞106中形成；一第一电容器电极层108a与一第二电容器电极层108b，及设置在该第一电容器电极层108a与该第二电容器电极层108b之间的一介电材料层112；以及一基板贯孔导体116。

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