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41. 外观设计

KR3006014400000S 失效
公开(公告)号：KR3006014400000S
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR3020100019739
申请日：2010-05-03
申请人： 류광현
设计人： 류광현

42. 外观设计

KR3020110000544S 失效
公开(公告)号：KR3020110000544S
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR3020110012616
申请日：2011-03-29
申请人： 류광현
设计人： 류광현

43. 外观设计

KR3020110000542S 失效
公开(公告)号：KR3020110000542S
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR3020110012614
申请日：2011-03-29
申请人： 류광현
设计人： 류광현

44. 外观设计

KR3020110000541S 失效
公开(公告)号：KR3020110000541S
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR3020110012613
申请日：2011-03-29
申请人： 류광현
设计人： 류광현

45. 外观设计

KR3020110000521S 无效
公开(公告)号：KR3020110000521S
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR3020110012177
申请日：2011-03-25
申请人： 류광현
设计人： 류광현

46. 外观设计

KR3020110000516S 失效
公开(公告)号：KR3020110000516S
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR3020110012046
申请日：2011-03-25
申请人： 류광현
设计人： 류광현

47. 外观设计

KR3020110000514S 失效
公开(公告)号：KR3020110000514S
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR3020110012043
申请日：2011-03-25
申请人： 류광현
设计人： 류광현

48. 发明授权

KR100582525B1 인산 함유 폐식각액의 재생방법 失效
标题翻译：再生含磷废弃蚀刻剂的方法
公开(公告)号：KR100582525B1
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040008608
申请日：2004-02-10
申请人： 류광현
发明人： 류광현
IPC分类号： C23F1/46
摘要： 본 발명은 반도체와 TFT-LCD 등의 제조 공정에서 발생하는 인산 함유 폐식각액의 재생방법에 관한 것으로서, 인산 함유 폐식각액을 감압증류하여 얻어진 증류여액(고농도 인산)을 증류수로 희석시킨 희석액(인산 수용액)을 양이온교환수지로 처리하기 전에 상기 희석액에 전기 에너지를 가하여 상기 희석액을 전기화학적으로 활성화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 인산 함유 폐식각액 내에 녹아있는 금속이온을 99.9%이상 제거하여 고순도의 인산을 회수할 수 있고, 회수된 고순도의 인산을 사용하여 인산 함유 식각액을 재조성함으로서 인산 함유 폐식각액을 연속적으로 재생할 수 있다.
인산정제, 폐식각액, 고순도 인산, 재생, 이온교환수지, 전기화학적 활성화.
摘要翻译：本发明是一种半导体，和TFT-LCD的例子，如在制造过程中产生的含磷酸的废物蚀刻剂，通过蚀刻液的滤液（高浓度磷酸）的量，稀释液用蒸馏水（磷酸的水溶液稀释含酸废物的真空蒸馏得到的馏出物的再生方法的）时，其特征在于它包括与该阳离子交换树脂，以治疗将电能施加到所述稀释液活化稀释剂电化学之前的步骤。

49. 外观设计

KR3004023250000S 失效
公开(公告)号：KR3004023250000S
公开(公告)日：2005-12-23
申请号：KR3020040030742
申请日：2004-10-07
申请人： 류광현
设计人： 류광현

50. 发明公开

KR1020040105553A 인산 함유 폐식각액의 재생방법 失效
标题翻译：通过使用回收的磷酸从废物回收物中回收磷酸盐和回收含磷酸的植物来再生含有含磷酸的磷酸的方法
公开(公告)号：KR1020040105553A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：KR1020040008608
申请日：2004-02-10
申请人： 류광현
发明人： 류광현
IPC分类号： C23F1/46
CPC分类号： C23F1/46 , B01D15/361
摘要： PURPOSE: To provide a method for regenerating the used etchant containing phosphoric acid by recomposing a phosphoric acid contained etchant using the recovered phosphoric acid after recovering high purity phosphoric acid from a used etchant containing phosphoric acid generated from fabrication process of semiconductors and thin film transistor liquid crystal displays. CONSTITUTION: In a method for regenerating a used etchant containing phosphoric acid by reduced pressure distillation and cation exchange resin treatment processes, the method comprises a process of electrochemically activating the diluted solution by applying an electrical energy to the diluted solution before performing cation exchange resin treatment on a diluted solution(aqueous phosphoric acid solution) prepared by diluting distillation filtrate(high concentration phosphoric acid) obtained by performing reduced pressure distillation on the used etchant containing phosphoric acid using distilled water.
摘要翻译：目的：提供一种通过在从半导体和薄膜晶体管液体的制造过程产生的含有磷酸的所用蚀刻剂中回收高纯度磷酸之后，使用回收的磷酸重新构成含有蚀刻剂的磷酸来再生所使用的蚀刻剂的方法水晶显示。构成：在通过减压蒸馏和阳离子交换树脂处理方法再生含有磷酸的蚀刻剂的方法中，该方法包括通过在进行阳离子交换树脂处理之前向稀释溶液施加电能来电化活化稀释溶液的方法在通过使用蒸馏水对使用的含有磷酸的蚀刻剂进行减压蒸馏而获得的蒸馏滤液（高浓度磷酸）制备的稀释溶液（磷酸水溶液）上。

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