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41. 发明授权

US07554100B2 Fabricating method of semiconductor light-emitting device 有权
标题翻译：半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：US07554100B2
公开(公告)日：2009-06-30
申请号：US11510065
申请日：2006-08-24
申请人： Mayuko Fudeta
发明人： Mayuko Fudeta
IPC分类号： F21V9/16
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： A fabricating method of a semiconductor light-emitting device includes the step of forming a wafer including a multi-layered semiconductor film epitaxially grown on a base substrate and containing an active layer, the step of performing pass/fail judgment of the active layer by photo-exciting the active layer in the wafer and by measuring emission intensity from the active layer at least at two temperature points, and the step of forming a light-emitting device structure with the multi-layered semiconductor film containing the active layer judged to be of good quality in the pass/fail judgment.
摘要翻译：一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上外延生长并含有有源层的包含多层半导体膜的晶片的形成工序，通过照片进行有源层的通过/不合格判断的工序 - 激活晶片中的有源层并且至少在两个温度点测量有源层的发射强度，并且将包含有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤判定为通过/失败判断质量好。

42. 发明申请

US20060240584A1 Method of producing nitride-based semiconductor device, and light-emitting device produced thereby 失效
标题翻译：生产氮化物基半导体器件的方法和由此制造的发光器件
公开(公告)号：US20060240584A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：US11408689
申请日：2006-04-20
申请人： Mayuko Fudeta , Hiroshi Nakatsu
发明人： Mayuko Fudeta , Hiroshi Nakatsu
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： A method of producing a nitride-based semiconductor device includes the steps of growing an InxAlyGa1-x-yN(0≦x, 0≦y, x+y
摘要翻译：一种生产氮化物基半导体器件的方法包括以下步骤：生长In N x Al 2 O 3（0 < 在第一衬底温度下在衬底（1; 11; 21; 31; 41）上形成第一衬底温度的x，0 <= y，x + y <1）缓冲层（2; 12; 22; 32; 在第二衬底温度下在缓冲层上的导电型氮化物基半导体层（4; 14; 24; 34; 44）。第一个温度高于第二个温度。

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