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41. 发明专利

JP2015179702A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2015179702A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014055666
申请日：2014-03-18
申请人： TOSHIBA CORP
发明人： NISHIUCHI HIDEO , TOGASAKI TAKASHI , TAJIMA NAOYUKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/48 , H01L25/18
摘要：【課題】小型化、信頼性の向上を図ることができるとともに、密に並べて設置することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1乃至第4導電体と、第1乃至第4半導体素子と、第1乃至第3電力端子と、第1及び第2信号端子と、第1乃至第4導電体を覆う絶縁体とを備え、絶縁体は、第1乃至第4半導体素子に対して垂直に延びていると共に第1乃至第4導電体の各底面が露出した平坦な底面と、底面に対して垂直な第1側面と、底面に対して垂直で第1側面と対向する第2側面と、底面と対向する天井面と、底面及び第1、第2側面の一端と交差して延びる第1端面と、底面及び第1、第2側面の他端と交差して延びる第2端面と、を有し、第1乃至第3電力端子、第1及び第2信号端子は天井面から外方に延出し、第1乃至第3電力端子は絶縁体より露出している部分が天井面と平行に折曲げられていることを特徴とする。【選択図】図4

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