专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明申请

WO2015162236A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2015162236A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/EP2015/058874
申请日：2015-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L33/60 , F21V8/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/486 , G02B6/0073 , H01L27/0248 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), eine erste Kontaktfläche (31) und eine zur ersten Kontaktfläche lateral versetzte und von dieser elektrisch isolierte zweite Kontaktfläche (32), und ein Gehäuseelement (40). Die die erste Kontaktfläche (31) ist elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht (21) und die zweite Kontaktfläche (32) ist elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht (22) des optoelektronischen Halbleiterchips verbunden. Die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) überragen den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich. Das Gehäuseelement (40) ist in Bereichen, in welchen die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich überragen, an der ersten Kontaktfläche (31) und der zweiten Kontaktfläche (32) befestigt. Das Gehäuseelement umgibt den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise. Eine dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberfläche des Gehäuseelements ist zumindest in Teilbereichen reflektierend ausgebildet ist. Eine Wand des Gehäuseelements weist eine Aussparung (61) auf.
摘要翻译：光电子器件（100）包括的光电子半导体芯片（10），第一接触表面（31）和一个横向和从该电绝缘的第二接触表面（32）偏移到所述第一接触面和壳体构件（40）。第一接触表面（31）导电地连接到第一半导体层（21）和所述第二接触表面（32）导电地连接到连接在所述光电子半导体芯片的所述第二半导体层（22）。第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）突出超过所述光电子半导体芯片侧面。其中，所述第一接触表面（31）和每个项目横向光电子半导体芯片的所述第二接触表面（32），在所述第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）被附接的区域中的壳体构件（40）。所述壳部件至少部分地围绕所述光电子半导体芯片。面对所述壳体件的光电子半导体芯片表面的表面是反射性的，至少在某些领域。壳体部件的壁具有凹槽（61）。

42. 发明申请

WO2013104751A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL MIT LICHTWELLENLEITER UND SEIN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：与光纤及其制造方法亚光电子模块
公开(公告)号：WO2013104751A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/EP2013/050478
申请日：2013-01-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
IPC分类号： G02B27/09 , F21V19/04 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/60 , G02B27/0905 , G02B27/0994 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) weist einen Träger (102) auf, an dem und/oder in dem mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a, 108b) angeordnet sind. Auf oder in dem Träger (102) ist eine Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) angeordnet. Mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) ist von der Abstrahleinheit (110) beabstandet. Ein Wellenleiter (112) leitet die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110). Die Abstrahleinheit (110) weist eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108a) aus dem Wellenleiter (112) auf.
摘要翻译：一种光电模块（202，204，206，208，210，212，214，216，218，220，222，224，226，228，230，232，234）包括支撑件（102），在其上和/ 或其中至少两个半导体芯片;用于发射电磁辐射（108A，108B）（104，104A 1〜，104a2，104B 106 106A1，106A2，106B，106C）被布置。上或在所述支承件（102）是用于从光电模块（发射电磁辐射（109）的发光部（110）202，204，206，208，210，212，214，216，218，220，222，224， 226，228，230，232，234）被布置。至少一个半导体芯片（106 106A1，106A2，106B，106C）从所述发射单元（110）间隔开。的波导（112）指示所述至少一个间隔开的半导体芯片（106 106A1，106A2，106B，106C）的电磁辐射（108A），用于发射（110）。发射单元（110）包括用于耦合输出从所述波导（112）的电磁辐射（108）的一个解耦结构（114，114A，114B，114C）。

43. 发明申请

WO2020064947A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT DIELEKTRISCHER SPIEGELSCHICHT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020064947A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/EP2019/076077
申请日：2019-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEBER, Andreas , HERRMANN, Siegfried , RAFAEL, Christine
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/14
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (120, 130), eine dielektrische Spiegelschicht (115) sowie eine Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) sind übereinandergestapelt. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der zweiten Halbleiterschicht (150) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (120) und die zweite Stromverteilungsschicht (130) sind auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht (115) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (140) und der ersten Stromverteilungsschicht (120) angeordnet. Die Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) erstrecken sich durch die dielektrische Spiegelschicht (115) und sind geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (130) ist mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch verbunden.

44. 发明申请

WO2019215212A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ERSTEN UND EINER ZWEITEN STROMVERTEILUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2019215212A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：PCT/EP2019/061792
申请日：2019-05-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VÖLKL, Michael , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, und eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die über einem Substrat (100) angeordnet sind. Die erste Halbleiterschicht (140) ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht (150) und dem Substrat (150) angeordnet. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner eine erste Stromverteilungsstruktur (130), die mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch leitend verbunden ist,und eine zweite Stromverteilungsstruktur (135), die mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch leitend verbunden ist. Die erste Stromverteilungsstruktur (130) ist in einem größeren Abstand von der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet als die zweite Stromverteilungsstruktur (135).

45. 发明申请

WO2019110377A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019110377A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：PCT/EP2018/082697
申请日：2018-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VOELKL, Michael
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/52
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip weist ein Substrat auf. Über einer Oberseite des Substrats sind mindestens zwei lichtemittierende Abschnitte lateral nebeneinander angeordnet. Die lichtemittierenden Abschnitte sind separat ansteuerbar. Eine Anzeigevorrichtung weist eine Anordnung bestehend aus einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente auf.

46. 发明申请

WO2017178424A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：发光半导体芯片，发光组件以及用于制造发光组件的方法
公开(公告)号：WO2017178424A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/EP2017/058540
申请日：2017-04-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VÖLKL, Michael
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38
摘要： Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip (10) angegeben, bei dem eine erste Stromverteilungsstruktur (31) und eine zweite Stromverteilungsstruktur (32) von einer einem Substrat (1) abgewandten Seite eines Halbleiterkörpers (2) frei zugänglich sind, wobei der Halbleiterchip (10) an der dem Substrat (1) abgewandten Seite des Halbleiterkörpers (2) und an der Bodenfläche (1b) des Substrats (1) frei von jeglicher Anschlussstelle ist, die zur elektrischen Kontaktierung der ersten und zweiten Stromverteilungsstrukturen (31, 32) ausgebildet ist.
摘要翻译：
本发明提供一种半导体发光芯片（10），其中第一功率分配结构（31）和从Halbleiterk＆OUML的基板（1）侧的背向的第二功率分配结构（32）; rpers（2）自由其中在所述半导体本体（2）的远离所述衬底（1）的一侧和所述衬底（1）的所述底表面（1b）上的所述半导体芯片（10）没有任何电连接点接触第一和第二配电结构（31,32）。

47. 发明申请

WO2017162736A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：制造光电子器件和光电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017162736A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/EP2017/056819
申请日：2017-03-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , DIRSCHERL, Georg
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/54 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, - wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, das die Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel (I) umfasst: - wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造光电器件，其包括以下步骤：A）（1），B）将半导体芯片（2）到基板（1），其中，所述半导体芯片提供衬底（ C）提供复合载体（3），D）通过成形工具（4）形成复合载体（3），E）压缩复合载体（3）与所述衬底（1），从而使反射元件（6）形成， - 其中，所述反射元件（6）包括至少一种含氟聚合物（7），包括的结构单元的下述通式（I）的： - 其中反射元件（6）横向于半导体芯片（2）和所述基板上的至少部分地（1）的朝向从上述半导体芯片的表面BEAR表面（22）的距离（2）布置，和F）的半导体芯片（2）

48. 发明申请

WO2017108800A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：制造光电子器件和光电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017108800A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/081938
申请日：2016-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/52 , H01L2933/005
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer auf einem Substrat angeordneten Schichtenfolge, wobei die Schichtenfolgeeine von dem Substrat abgewandte Kontaktseite mit zwei elektrischen Kontaktstellen aufweist, zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Hilfsträger derart, dass die Kontaktseite von dem Hilfsträger abgewandt ist, zum Anordnen eines Formmaterials über dem Hilfsträger derart, dass ein Gehäuse gebildet wird, das den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise umschließt, wobei die Kontaktseite durch das Formmaterial bedeckt wird, und zum Ablösen des Gehäuses von dem Hilfsträger.
摘要翻译：
制造光电子器件的方法，包括提供一个光电子半导体芯片具有设置在衬底的层序列，的步骤，其中各层的序列A背离基板接触侧具有两个电接触点远离其中，用于在将所述光电子半导体芯片一个Hilfstr＆AUML亨特使得Hilfstr＆AUML的接触侧; GER是远程的，用于放置成型材料在Hilfstr BEAR使用由所述光电子半导体芯片至少部分地包围道;一个GeH的AUML GER这样吨，其中，所述接触面由成型材料覆盖，用于释放辅助支柱的Gehaulungs

49. 发明申请

WO2016180897A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE UND OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造光电子器件和表面安装的光电器件
公开(公告)号：WO2016180897A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060590
申请日：2016-05-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , STOLL, Ion , ROSSBACH, Georg
IPC分类号： H01L33/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2224/96 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Träger (2) und eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) bereitgestellt wird, wobei jeder Halbleiterchip (1) Kontaktelemente (10, 11) zur elektrischen Kontaktierung aufweist, die auf einer Kontaktseite (12) des Halbleiterchips (1) angeordnet sind. In einem Schritt B) werden die Halbleiterchips (1) lateral nebeneinander auf dem Träger (2) aufgebracht, wobei beim Aufbringen die Kontaktseiten (12) dem Träger (2) zugewandt werden. In einem Schritt C) wird eine elektrisch leitende Schicht (4) auf zumindest Teilbereiche der nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten der Halbleiterchips (1) aufgebracht, wobei die elektrisch leitende Schicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist. In einem Schritt D) wird eine Konverterschicht (5) auf der elektrisch leitenden Schicht (4) elektrophoretisch abgeschieden. Die elektrisch leitende Schicht (4) wird in einem Schritt E) aus Bereichen zwischen der Konverterschicht (5) und den Halbleiterchips (1) entfernt.
摘要翻译：为用于电接触包括产生光电器件（100）包括：步骤A），其中（1）提供的载体（2）和多个光电子半导体芯片，其中每个半导体芯片（1）的接触元件（10，11）的处理在半导体芯片（1）的接触侧（12）被布置。在步骤b）中的半导体芯片（1）在横向上彼此相邻的所述载体（2）上被施加，其中，所述施加期间面向载体（2）的接触侧（12）。在步骤C）的导电层（4）被施加到）覆盖所述半导体芯片的两侧的非中的至少部分区域（载体2（1）被施加，其中，所述导电层（4）形成连续的。在步骤D）的导电层（4）上的转换器层（5）被电泳沉积。所述导电层（4）在从区域中的转换器层（5）和半导体芯片（1）之间的步骤E）被除去。

50. 发明申请

WO2016134981A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016134981A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/EP2016/053018
申请日：2016-02-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/48 , H01L25/075 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/568 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit mehreren Befestigungsstellen (23), B) Bereitstellen von optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit je einer Chipoberseite (30) und einer dieser gegenüberliegenden Montageseite (32), wobei sich elektrische Kontaktstellen (34) der Halbleiterchips (3) je an den Montageseiten (32) befinden, C) Anbringen von Verbindungsmitteln (4), D) Befestigen der Kontaktstellen (34) auf den Befestigungsstellen (23) mittels der Verbindungsmittel (4), E) Erzeugen einer Vergussschicht (5), sodass die Halbleiterchips (3) und die Kontaktstellen (34) und die Verbindungsmittel (4) ringsum direkt von der Vergussschicht (5) umgeben sind, F) Ablösen der Halbleiterchips (3), sodass die Verbindungsmittel (4) von den Halbleiterchips (3) entfernt werden und an den Kontaktstellen (34) als Negativform zu den Verbindungsmitteln (4) je Ausnehmungen (44) entstehen, und G) Erzeugen von elektrischen Kontaktstrukturen (6).
摘要翻译：在至少一个实施方案中，用于生产光电半导体部件的方法被布置并包括以下步骤：a）提供具有多个连接点（23中间载体（2）），b）提供光电子半导体芯片（3）每一个都具有芯片表面（30）和一个相对的安装侧（32），所述半导体芯片的电接触点（34）（3）根据安装侧（32）的位置，C）附接连接装置（4），D）固定在紧固点的接触点（34）（ 23）（由）形成铸造层（5），以使半导体芯片（3）和所述接触点（34）和所述连接装置（4）四周直接（从铸造层5）所包围，F）剥离所述连接4单元）的装置，例如半导体芯片（3），使得所述连接装置（4）从半导体芯片去除（3）和在接触点（34），其为负模具向Verbindungsm 出现itteln（4）分别具有凹部（44）和G）产生电接触结构（6）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式