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    • 50. 发明公开
    • SUBSTITUTED 1,2,3-TRIYLIDENETRIS(CYANOMETHANYLYLIDENE)) CYCLOPROPANES FOR VTE, ELECTRONIC DEVICES AND SEMICONDUCTING MATERIALS USING THEM
    • 用于VTE的取代的1,2,3-三联苯基(氰基亚乙烯基))环状化合物,电子器件和使用它们的半导体材料
    • EP3233787A1
    • 2017-10-25
    • EP15813358.7
    • 2015-12-16
    • Novaled GmbH
    • HUMMERT, MarkusBRUCH, AchimKÖHN, ChristianeNÜLLEN, Max P.HEGGEMANN, Ulrich
    • C07C255/35C09K11/06H01L51/00
    • H01L51/005C07C255/35C07C255/51C07C2601/02C07C2601/16C07D213/84C07D239/30C09K11/06C09K2211/1007C09K2211/1018H01L51/001H01L51/0067H01L51/506H01L51/5088H01L2251/554
    • The present invention relates to a process for preparation of an electrically doped semicon-ducting material comprising a [3]-radialene p-dopant or for preparation of an electronic device containing a layer comprising a [3]-radialene p-dopant, the process comprising the steps (i) loading an evaporation source with the [3]-radialene p-dopant and (ii) evaporating the [3]-radialene p-dopant at an elevated temperature and at a reduced pressure, wherein the [3]-radialene p-dopant is selected from compounds having a structure according to formula (I) wherein A 1 and A 2 are independently aryl- or heteroaryl-substituted cyanomethylidene groups.
    • 本发明涉及制备包含[3] - 二烯丙基p-掺杂剂的电掺杂半导体材料或用于制备含有包含[3] - 二烯丙基p-掺杂剂的层的电子器件的方法,所述方法包括 步骤:(i)用[3] -radialene p-掺杂剂加载蒸发源; 和(ii)在升高的温度和减压下蒸发[3] - 二烯烃p-掺杂剂,其中所述[3] - 二烯烃p-掺杂剂选自具有根据式(I)的结构的化合物,其中A 1 和A 2独立地为芳基或杂芳基取代的氰亚甲基,芳基和/或杂芳基在A 1和A 2中独立地选自4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基, 4-三氟甲基-2,3,5,6-四氟苯基,2,4-双(三氟甲基)-3,5,6-三氟苯基,2,5-双(三氟甲基)-3,5-二氟苯基, 4,6-三氟苯基,2,4,6-三(三氟甲基)-1,3-二嗪-5-基,3,4-二氰基-2,5,6-三氟苯基,2-氰基-3,5,6 2-三氟甲基-3,5,6-三氟吡啶-4-基,2,5,6-三氟-1,3-二嗪-4-基和3-三氟甲基-4-氰基-2 ,5,6-三氟苯基),并且至少一个芳基或杂芳基为2,3,5,6-四氟哌啶-4-基,2,4-双(三氟甲基)-3,5,6-三氟苯基,2,5 (三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基,2,4,6-三(tr 二氟甲基)-1,3-二嗪-5-基,3,4-二氰基-2,5,6-三氟苯基,2-氰基-3,5,6-三氟吡啶-4-基,2-三氟甲基-3,5 条件是A 1和A 2两者中的杂芳基不能同时为2,3,5,6-四氟吡啶-4-基,各自的[3] - 二烯烃化合物以及半导体材料和层, 和包含所述化合物的电子器件。