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    • 41. 发明专利
    • SOLIDO CRISTALIZADO IZM-3 Y PROCEDIMIENTO DE PREPARACION CORRESPONDIENTE.
    • ES2368812T3
    • 2011-11-22
    • ES08870855
    • 2008-10-17
    • IFP ENERGIES NOUVELLES
    • FECANT ANTOINEBATS NICOLAS
    • C01B37/02C01B39/48
    • Sólido cristalizado IZM-3 que presenta un diagrama de difracción de rayos X que incluye al menos las rayas inscritas en la siguiente tabla: 2 theta (º) dhkl (Å) Irel 2 theta (º) dhkl (Å) Irel 5,59 15,80 FF 25,09 3,55 ff 8,56 10,32 ff 26,00 3,42 ff 10,36 8,53 ff 26,73 3,33 ff 11,16 7,92 ff 27,40 3,25 ff 12,93 6,84 ff 28,17 3,16 ff 13,56 6,53 ff 28,61 3,12 ff 15,79 5,61 ff 29,74 3,00 ff 16,77 5,28 ff 31,31 2,85 ff 18,70 4,74 ff 32,62 2,74 ff 19,20 4,62 ff 33,86 2,65 ff 20,15 4,40 ff 37,10 2,42 ff 20,87 4,25 ff 38,18 2,36 ff 22,37 3,97 f 42,09 2,15 ff 24,29 3,66 ff en la que FF = muy fuerte ; F = fuerte ; m = medio ; mf = medio débil ; f = débil ; ff = muy débil, y que presenta una composición química que se expresa en una base anhidra, en términos de moles de óxidos, definida por la fórmula general siguiente: aSiO2 : bYO2 : cR : dF, en la que Y representa al menos un elemento tetravalente distinto del silicio, R representa al menos una sustancia orgánica nitrogenada y F es el flúor; a, b, c y d representando respectivamente el número de moles de moles de SiO2, YO2, R y F; y a está comprendido entre 0,1 y 1, b está comprendido entre 0 y 0,9, c está comprendido entre 0,01 y 0,5, y d está comprendido entre 0 y 0,5.