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41. 发明申请

US20090146072A1 SENSOR AND IMAGE PICKUP DEVICE 有权
标题翻译：传感器和图像拾取器件
公开(公告)号：US20090146072A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：US12368592
申请日：2009-02-10
申请人： Keishi Saito , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Keishi Saito , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： G01T1/24
CPC分类号： H01L31/032 , H01L27/14601 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L29/7869 , H01L31/02322 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/118
摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.
摘要翻译：一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。

42. 发明授权

US07453065B2 Sensor and image pickup device 有权
标题翻译：传感器和图像拾取装置
公开(公告)号：US07453065B2
公开(公告)日：2008-11-18
申请号：US11269648
申请日：2005-11-09
申请人： Keishi Saito , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Keishi Saito , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： G01J5/20
CPC分类号： H01L31/032 , H01L27/14601 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L29/7869 , H01L31/02322 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/118
摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.
摘要翻译：一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。

43. 发明申请

US20060113565A1 Electric elements and circuits utilizing amorphous oxides 有权
标题翻译：利用无定形氧化物的电气元件和电路
公开(公告)号：US20060113565A1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：US11269646
申请日：2005-11-09
申请人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L31/109
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.
摘要翻译：提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于10/30/3/3的非晶形氧化物用于N- 类型区域。

44. 发明授权

US08237166B2 Display 有权
标题翻译：显示
公开(公告)号：US08237166B2
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：US12848671
申请日：2010-08-02
申请人： Hideya Kumomi , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Hideya Kumomi , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/14621 , H01L29/04
摘要： An active matrix display comprising a light control device and a field effect transistor for driving the light control device. The active layer of the field effect transistor comprises an amorphous.
摘要翻译：一种有源矩阵显示器，包括用于驱动光控制装置的光控制装置和场效应晶体管。场效应晶体管的有源层包括非晶体。

45. 发明申请

US20110024741A1 INTEGRATED CIRCUITS UTILIZING AMORPHOUS OXIDES 有权
标题翻译：集成电路利用非晶态氧化物
公开(公告)号：US20110024741A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：US12882404
申请日：2010-09-15
申请人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L29/26
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.
摘要翻译：提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

46. 发明申请

US20110017996A1 LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：US20110017996A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：US12882628
申请日：2010-09-15
申请人： Tohru Den , Tatsuya Iwasaki , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Tohru Den , Tatsuya Iwasaki , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/1225 , G03G5/08 , G03G5/144 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L2251/5315
摘要： An Object of the Present Invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

47. 发明授权

US07863611B2 Integrated circuits utilizing amorphous oxides 有权
标题翻译：采用无定形氧化物的集成电路
公开(公告)号：US07863611B2
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：US11269646
申请日：2005-11-09
申请人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Katsumi Abe , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.
摘要翻译：提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

48. 发明申请

US20090179199A1 FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AMORPHOUS OXIDE LAYER CONTAINING MICROCRYSTALS 审中-公开
标题翻译：具有包含微晶的非晶氧化物层的场效应晶体管
公开(公告)号：US20090179199A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：US12406464
申请日：2009-03-18
申请人： Masafumi Sano , Katsumi Nakagawa , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Masafumi Sano , Katsumi Nakagawa , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.
摘要翻译：提供了可应用于例如TFT的有源层的新颖的无定形氧化物。无定形氧化物包括微晶。

49. 发明申请

US20060110867A1 Field effect transistor manufacturing method 有权
标题翻译：场效应晶体管制造方法
公开(公告)号：US20060110867A1
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：US11269641
申请日：2005-11-09
申请人： Hisato Yabuta , Masafumi Sano , Tatsuya Iwasaki , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
发明人： Hisato Yabuta , Masafumi Sano , Tatsuya Iwasaki , Hideo Hosono , Toshio Kamiya , Kenji Nomura
IPC分类号： H01L21/84
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： Provided is a novel method for manufacturing a field effect transistor. Prior to forming an amorphous oxide layer on a substrate, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate surface in an ozone atmosphere, plasma is irradiated onto the substrate surface, or the substrate surface is cleaned by a chemical solution containing hydrogen peroxide.
摘要翻译：提供一种用于制造场效应晶体管的新颖方法。在基板上形成无定形氧化物层之前，在臭氧气氛中将紫外线照射到基板表面上，将等离子体照射到基板表面上，或者通过含有过氧化氢的化学溶液清洁基板表面。

50. 发明授权

US08038101B2 Attitude change control method, attitude change control system, attitude change control program and program recording medium 有权
标题翻译：姿态改变控制方法，姿态变化控制系统，姿态变化控制程序和程序记录介质
公开(公告)号：US08038101B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US12027769
申请日：2008-02-07
申请人： Keita Ogo , Toshio Kamiya , Ken Maeda
发明人： Keita Ogo , Toshio Kamiya , Ken Maeda
IPC分类号： B64G1/28
CPC分类号： B64G1/286 , G05D1/0883
摘要： Disclosed is an attitude change control system that is designed to efficiently output a torque for attitude change of a space craft using CMGs and realizes a real time CMG driving rule. A CMG gimbal steering law 15 generates target profiles for setting angle and angular velocity for each gimbal by applying an anisotropic weighted gradient method based upon the necessary torque calculated by a feed back controller 13 and a feed forward controller 14 from the angle and angular velocity in the target direction from the attitude navigator 12 and the current angle and angular velocity of the space craft estimated by the attitude estimator 11 as well as the current condition of each gimbal from the CMG 40, thereby controlling the CMG 40 for changing the attitude of the space craft dynamics 50 to the target direction.
摘要翻译：公开了一种姿态改变控制系统，其被设计为有效地输出用于使用CMG的航天飞机姿态变化的扭矩并实现实时CMG驱动规则。 CMG万向节转向规则15通过基于由反馈控制器13和前馈控制器14计算出的必要扭矩，通过从角度和角速度来计算每个万向节的角度和角速度来生成用于设置每个万向节的角度和角速度的目标轮廓来自姿态导航仪12的目标方向以及由姿态估计器11估计的航天飞船的当前角度和角速度以及来自CMG 40的每个万向节的当前状态，从而控制CMG 40改变姿态太空工艺动力50目标方向。

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