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    • 41. 发明授权
      US08669466B2 Grid-line-free contact for a photovoltaic cell 有权
    • Grid-line-free contact for a photovoltaic cell
    • 光伏电池的无栅极接触
    • US08669466B2
    • 2014-03-11
    • US13364171
    • 2012-02-01
    • Supratik Guha , Yves Martin , Naim Moumen , Robert L. Sandstrom , Theodore G. van Kessel
    • Supratik Guha , Yves Martin , Naim Moumen , Robert L. Sandstrom , Theodore G. van Kessel
    • H01L31/18 , H01L31/02
    • H01L31/1804 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
    • Electrical contact to the front side of a photovoltaic cell is provided by an array of conductive through-substrate vias, and optionally, an array of conductive blocks located on the front side of the photovoltaic cell. A dielectric liner provides electrical isolation of each conductive through-substrate via from the semiconductor material of the photovoltaic cell. A dielectric layer on the backside of the photovoltaic cell is patterned to cover a contiguous region including all of the conductive through-substrate vias, while exposing a portion of the backside of the photovoltaic cell. A conductive material layer is deposited on the back surface of the photovoltaic cell, and is patterned to form a first conductive wiring structure that electrically connects the conductive through-substrate vias and a second conductive wiring structure that provides electrical connection to the backside of the photovoltaic cell.
    • 与光伏电池正面的电接触由导电贯穿衬底通孔的阵列以及可选地位于光伏电池正面的导电块的阵列提供。 电介质衬垫提供每个导电贯穿衬底通孔与光伏电池的半导体材料的电隔离。 在光伏电池的背面上的电介质层被图案化以覆盖包括所有导电贯穿衬底通孔的连续区域，同时暴露光伏电池的背面的一部分。 导电材料层沉积在光伏电池的背表面上，并被图案化以形成第一导电布线结构，其电连接导电贯穿衬底通孔和第二导电布线结构，该第二导电布线结构提供与光伏背面的电连接 细胞。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 45. 发明授权
      US06905976B2 Structure and method of forming a notched gate field effect transistor 失效
    • Structure and method of forming a notched gate field effect transistor
    • 形成陷波栅场效应晶体管的结构和方法
    • US06905976B2
    • 2005-06-14
    • US10249771
    • 2003-05-06
    • Jochen Beintner , Yujun Li , Naim Moumen , Porshia Shane Wrschka
    • Jochen Beintner , Yujun Li , Naim Moumen , Porshia Shane Wrschka
    • H01L29/423 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/302
    • H01L29/6659 , H01L21/26586 , H01L21/28044 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/49 , H01L29/665 , Y10S438/933
    • The structure and method of forming a notched gate MOSFET disclosed herein addresses such problems as device reliability. A gate dielectric (e.g. gate oxide) is formed on the surface of an active area on the semiconductor substrate, preferably defined by an isolation trench region. A layer of polysilicon is then deposited on the gate dielectric. This step is followed by depositing a layer of silicon germanium) (SiGe). The sidewalls of the polysilicon layer are then laterally etched, selective to the SiGe layer to create a notched gate conductor structure, with the SiGe layer being broader than the underlying polysilicon layer. Sidewall spacers are preferably formed on sidewalls of the SiGe layer and the polysilicon layer. A silicide layer is preferably formed as a self-aligned silicide from a polysilicon layer deposited over the SiGe layer, to reduce resistance of the gate conductor. One or more other processing steps (e.g. source and drain implants, extension implants, and pocket lightly doped drain (LDD) implants), gate conductor stack doping, and silicidation are preferably performed in completing the transistor.
    • 本文公开的形成缺口栅极MOSFET的结构和方法解决了诸如器件可靠性的问题。 栅电介质（例如栅极氧化物）形成在半导体衬底上的有源区的表面上，优选由隔离沟槽区限定。 然后在栅极电介质上沉积多晶硅层。 该步骤之后是沉积一层硅锗）（SiGe）。 然后横向蚀刻多晶硅层的侧壁，对SiGe层有选择性，以产生刻蚀的栅极导体结构，其中SiGe层比下面的多晶硅层宽。 侧壁间隔物优选形成在SiGe层和多晶硅层的侧壁上。 硅化物层优选从沉积在SiGe层上的多晶硅层形成为自对准硅化物，以降低栅极导体的电阻。 优选在完成晶体管时执行一个或多个其它处理步骤（例如源极和漏极注入，延伸注入和袖带轻掺杂漏极（LDD）注入），栅极导体堆叠掺杂和硅化。
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    • 49. 发明授权
      US08115097B2 Grid-line-free contact for a photovoltaic cell 有权
    • Grid-line-free contact for a photovoltaic cell
    • 光伏电池的无栅极接触
    • US08115097B2
    • 2012-02-14
    • US12621685
    • 2009-11-19
    • Supratik Guha , Yves Martin , Naim Moumen , Robert L. Sandstrom , Theodore G. van Kessel
    • Supratik Guha , Yves Martin , Naim Moumen , Robert L. Sandstrom , Theodore G. van Kessel
    • H01L31/18 , H01L31/00
    • H01L31/1804 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
    • Electrical contact to the front side of a photovoltaic cell is provided by an array of conductive through-substrate vias, and optionally, an array of conductive blocks located on the front side of the photovoltaic cell. A dielectric liner provides electrical isolation of each conductive through-substrate via from the semiconductor material of the photovoltaic cell. A dielectric layer on the backside of the photovoltaic cell is patterned to cover a contiguous region including all of the conductive through-substrate vias, while exposing a portion of the backside of the photovoltaic cell. A conductive material layer is deposited on the back surface of the photovoltaic cell, and is patterned to form a first conductive wiring structure that electrically connects the conductive through-substrate vias and a second conductive wiring structure that provides electrical connection to the backside of the photovoltaic cell.
    • 与光伏电池正面的电接触由导电贯穿衬底通孔的阵列以及可选地位于光伏电池正面的导电块的阵列提供。 电介质衬垫提供每个导电贯穿衬底通孔与光伏电池的半导体材料的电隔离。 在光伏电池的背面上的电介质层被图案化以覆盖包括所有导电贯穿衬底通孔的连续区域，同时暴露光伏电池的背面的一部分。 导电材料层沉积在光伏电池的背表面上，并被图案化以形成第一导电布线结构，其电连接导电贯穿衬底通孔和第二导电布线结构，该第二导电布线结构提供与光伏背面的电连接 细胞。
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