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41. 发明授权

KR101400182B1 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶底层组合物及其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101400182B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020090136178
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 김상균 , 조현모 , 우창수 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
摘要： 본 발명의 일 구현예에 따른 포토레지스트 하층막용 조성물은(A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산 수지, 및 (B) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
{(SiO
1.5 Y-SiO
1.5 )
x (SiO
2 )
y (XSiO
1.5 )
z }(OH)
e (OR
1 )
f
따라서, 우수한 보관 안정성 및 내에치성(etch resistance)을 가질 수 있고, 표면 물성의 조절이 용이할 수 있으며, 포토레지스트 패턴의 안정적인 형성을 가능하게 한다.
하층막, 포토레지스트, 실리콘, 폴리실록산

42. 发明授权

KR101288573B1 칼릭스 알렌이 함유된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의　제조방법 有权
标题翻译：具有Calixarene抗反射性能的高耐腐蚀性硬掩模组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101288573B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020090071458
申请日：2009-08-03
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤경호 , 김종섭 , 전환승 , 김민수 , 이진국 , 송지윤
IPC分类号： C07C39/17 , C08G8/10 , C08L61/06 , G03F7/004
摘要： 본 발명은 리쏘그래픽 공정에 유용한 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물을 제공하기 위하여 하기 화학식 1 내지 2 중 어느 하나로 표시되는 칼릭스 알렌 (calixarene) 고분자 화합물 및 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

(상기 식에서, 2≤m 1 , R
2 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C
1
-10 의 알킬기, C
6
-10 의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나이며, R
3
는 -O-, 탄소수 1~7의 -C
n H
2n O- 중 어느 하나이다.)
[화학식 2]

(상기 식에서, 2≤m 4 , R
6
는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C
1
-10 의 알킬기, C
6
-10 의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나이며, R
5
는 -O-, 탄소수 1~7의 -C
n H
2n O- 중 어느 하나이다.)
본 발명에 따른 조성물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성을 제공하며, 동시에 스핀-온 도포 기법을 이용하여 도포 가능한 특성을 제공한다. 특히, 본 발명의 조성물은 드라이 에칭 내성이 매우 우수한 박막으로서 높은 에스펙트비를 갖는 패턴을 형성할수 있는 패턴형성용 다층막 및 패턴형성방법을 제공한다.
리쏘그래픽, 반사방지성, 하드마스크, 칼릭스 알렌, 방향족 고리, 드라이 에칭 내성, 카본 함량

43. 发明授权

KR101288572B1 보관안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 有权
标题翻译：硬光掩膜组合物涂在光刻胶上，具有改进的储存稳定性
公开(公告)号：KR101288572B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020080128625
申请日：2008-12-17
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 고상란 , 김상균 , 임상학 , 김미영 , 윤희찬 , 김도현 , 어동선 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
摘要： 본 발명은 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 유기 실란계 중합체(A); 및 1종 이상의 안정화제(B)를 포함하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물은 우수한 저장안정성을 가지며 하드마스크 특성이 우수하여 재료층에 훌륭한 패턴을 전사할 수 있다.
하드마스크, 유기 실란계 중합체, 안정화제, 저장안정성

44. 发明授权

KR101266291B1 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：抗蚀底层组合物及使用其的集成电路器件的制造工艺
公开(公告)号：KR101266291B1
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020080137227
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 우창수 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 이로써, 본발명은굴절률과흡광도를용이하게조절하여, 반사방지특성이우수한레지스트하층막을제공할수 있는레지스트하층막용조성물, 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공한다.

45. 发明公开

KR1020110079202A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 无效
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020110079202A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136189
申请日：2009-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김미영 , 이우진 , 한권우 , 이한송 , 김상균 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , G03F7/11
摘要： PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the same are provided to easily control the refractive rate and the absorbance of the composition in a wavelength range lower than or equal to 250nm. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and the organic silane-based polycondensate containing compounds. The compounds are represented by chemical formulas 1, 2, and 3. In the chemical formula 1, R1 is substituted or non-substituted C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group. In the chemical formula 2, the R2 is substituted or non-substituted C1 to C6 alkyl group. The R3 is substituted or non-substituted C1 to C12 alkyl group. In the chemical formula 3, the R4 and the R5 are substituted or non-substituted C1 to C12 alkyl group.
摘要翻译：目的：提供抗蚀剂子层组合物和使用其的半导体集成电路器件的制造方法，以容易地控制组合物在小于或等于250nm的波长范围内的折射率和吸光度。构成：抗蚀剂亚层组合物包括溶剂和含有机硅烷类缩聚物的化合物。化合物由化学式1,2和3表示。在化学式1中，R 1是取代或未取代的C 1 -C 6烷基。 X是取代或未取代的C 6至C 30芳基。在化学式2中，R2是取代或未取代的C1至C6烷基。 R3是取代或未取代的C1至C12烷基。在化学式3中，R 4和R 5是取代或未取代的C 1至C 12烷基。

46. 发明公开

KR1020100078853A 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法
公开(公告)号：KR1020100078853A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137227
申请日：2008-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 조현모 , 김상균 , 우창수 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 이우진 , 김종섭
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/0043 , G03F7/0045 , G03F7/0754
摘要： PURPOSE: A resist under-layer composition, and a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device using thereof are provided to offer a resist under-layer with the excellent anti-reflection property by easily control the absorbance and the refractive index of the composition. CONSTITUTION: A resist under-layer composition contains the following: more than one compound selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-[Ph1]l-Si[R2]3 and [R1]3Si-[Ph1]m-Ph2; an organic silane polycondensate selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-(CH2)n-R3, [R1]3Si-R4, and [R1]3Si-X-Si[R1]3; and a solvent. In the chemical formulas, Ph1 and Ph2 area substituted or non-substituted phenylene group, respectively. R1 and R2 are selected from the group consisting of a halogen group, an alkoxy group, a carboxy group, and others, respectively. R3 is a substituted or non-substituted aryl group with the carbon number of 6~12.
摘要翻译：目的：抗蚀剂层下组合物及其使用的半导体集成电路器件的制造方法，通过容易地控制组合物的吸光度和折射率，提供具有优异的抗反射性的抗蚀剂底层。抗蚀剂底层组合物包含以下：多于一种选自含有[R 1] 3 Si- [Ph 1] Si [R 2] 3和[R 1] 3 Si- [Ph 1] m - PH2; 选自由[R1] 3Si-（CH2）n-R3，[R1] 3Si-R4和[R1] 3Si-X-Si [R1] 3标记的含有化合物的组的有机硅烷缩聚物; 和溶剂。在化学式中，Ph1和Ph2分别取代或未取代的亚苯基。 R1和R2分别选自卤素基，烷氧基，羧基等。 R3是碳数为6〜12的取代或未取代的芳基。

47. 发明授权

KR100888613B1 포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 失效
标题翻译：在光刻胶下涂覆的硬掩模组合物及其使用的半导体器件的制备方法
公开(公告)号：KR100888613B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070080920
申请日：2007-08-10
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 임상학 , 김상균 , 김미영 , 고상란 , 윤희찬 , 어동선 , 김종섭 , 김도현
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/075
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 1종 이상의 화합물로부터 생성된 가수분해물의 축중합체인 실란축합물; 암모늄염; 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
R
1x -Si-[OR
2 ]
4-x
(R
1 : 수소, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 지환족 탄화수소기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 실릴기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 알릴기, 탄소원자수 1 내지 30의 치환 또는 비치환된 아실기, 비닐기, 아민기, 아세테이트 또는 알칼리금속,
x: 0~2,
R
2 : 수소, 탄소원자수 1 내지 4의 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소기, 아세테이트, 나트륨 및 칼륨 중 어느 하나.)
본 발명의 조성물은 우수한 보관안정성, 레지스트 현상액에 대한 내용제성 및 내에칭성을 갖는다.
리소그래피(lithography), 하드마스크(hardmask), 반사방지막(anti-reflective coating), 경화제(curing agent)

48. 发明公开

KR1020080107208A 반사방지 하드마스크 조성물　및　이를 이용한 기판상재료의 패턴화 방법 有权
标题翻译：具有抗反射性的HARDMASK组合物和使用该材料的材料的方法
公开(公告)号：KR1020080107208A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020070055241
申请日：2007-06-05
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민수 , 김종섭 , 어동선 , 전환승 , 오창일 , 윤경호 , 이진국 , 남이리나 , 나탈리아토카레바
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/202
摘要： An antireflective hard mask composition, and a method for patterning the material on a substrate by using the composition are provided to minimize the reflection between a resist and a back layer, to increase etching selectivity in case of lithography and to improve the resistance against multiple etching. An antireflective hard mask composition comprises a polymer containing an aromatic ring represented by the formula 1, or its mixture with a polymer containing an aromatic ring represented by the formula 2; and an organic solvent, wherein 1
摘要翻译：提供了一种抗反射硬掩模组合物，以及通过使用该组合物对基材上的材料进行图案化的方法，以使抗蚀剂和背层之间的反射最小化，从而在光刻的情况下提高蚀刻选择性并提高耐蚀刻性。抗反射硬掩模组合物包含含有由式1表示的芳环的聚合物，或其与含有由式2表示的芳环的聚合物的混合物; 和有机溶剂，其中1 <= m <= 190; 1 <= N <= 190; 2 <= M + N <= 190; R1是H，OH，C1-C10烷基，C6-C10芳基，烯丙基或卤素原子; R2和R3独立地是指定的官能团; 和1 <= x <= 190。

49. 发明授权

KR100847464B1 액정배향제　및 이를 이용하여 제조된 액정배향막 失效
标题翻译：液晶的对准代理和液晶的对准膜使用它
公开(公告)号：KR100847464B1
公开(公告)日：2008-07-21
申请号：KR1020070020714
申请日：2007-03-02
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 곽태형 , 김종섭 , 오재민 , 양재덕 , 강정훈 , 동원석 , 정지영 , 유순녀
IPC分类号： C09K19/56
CPC分类号： C08G73/10 , G02F1/133723 , Y10T428/1023
摘要： A liquid crystal aligning agent is provided to realize excellent adhesion at the edge portion of a substrate and printability, and uniform and stable vertical aligning capability, and to form a liquid crystal aligning film having excellent coating layer uniformity. A liquid crystal aligning agent comprises either or both of a polyamic acid represented by the following formula 1 and having a number average molecular weight of 10,000-500,000 g/mol and a polyimide polymer represented by the following formula 2 and obtained by imidizing the polyamic acid, and a solvent comprising 5-60 wt% of dipropylene glycol dimethyl ether or monoethylene glycol dimethylene ether based on the total weight of the solvent. In formula 1, R1 is a tetra-valent organic group derived from an alicyclic or aromatic acid dianhydride, and R2 is a divalent organic group derived from an aromatic diamine. In formula 2, R3 is a tetra-valent organic group derived from an alicyclic or aromatic acid dianhydride, and R4 is a divalent organic group of the formula 3 derived from an aromatic diamine.
摘要翻译：提供了一种液晶取向剂，以在基板的边缘部分和印刷性方面实现优异的粘附性，并且具有均匀和稳定的垂直取向能力，并且形成具有优异的涂层均匀性的液晶取向膜。液晶取向剂包括由下式1表示的数均分子量为10,000-500,000g / mol的聚酰胺酸和由下式2表示的聚酰亚胺聚合物中的一种或两种，并通过酰亚胺化聚酰胺酸以及基于溶剂总重量的包含5-60重量％二丙二醇二甲醚或单乙二醇二甲醚的溶剂。在式1中，R 1是衍生自脂环族或芳族酸二酐的四价有机基团，R 2是衍生自芳族二胺的二价有机基团。在式2中，R 3是衍生自脂环族或芳族酸二酐的四价有机基团，R 4是衍生自芳族二胺的式3的二价有机基团。

50. 发明公开

KR1020080063243A 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의　제조방법 有权
标题翻译：具有改善碳含量的抗反射性能的高耐蚀硬质合金组合物及其使用生产图案材料的方法
公开(公告)号：KR1020080063243A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020080050935
申请日：2008-05-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 윤경호 , 김종섭 , 어동선 , 오창일 , 형경희 , 김민수 , 이진국
IPC分类号： C08G61/10 , C08G61/00 , G03F7/004
CPC分类号： C08G61/10 , C08G61/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047
摘要： A copolymer containing an aromatic ring, an antireflective hard mask composition containing the copolymer, and a method for preparing a material patterned on a substrate by using the composition are provided to improve etching selectivity and multiple etching resistance and to minimize the reflection between a resist and a back layer. A copolymer containing an aromatic ring represented by the formula 2 or 3, wherein 1
摘要翻译：含有芳环的共聚物，含有该共聚物的抗反射硬掩模组合物以及通过使用该组合物制备在基板上图案化的材料的方法被提供以提高蚀刻选择性和多次耐蚀刻性，并使抗蚀剂和背层。一种含有由式2或3表示的芳环的共聚物，其中1≤m≤750; 1 <= N <= 750; R 0是C 1 -C 7的OH或-C n H 2n; R1是-CH2-，-CH2-Ph-CH2-，-CH2-Ph-Ph-CH2-或-CH（-OH-取代的Ph） - 或-CH（-Ph） - ; R2是C1-C7的-O-或-CnH2nO-; 并且R 3至R 7独立地为H，羟基，C 1 -C 10烷基，C 6 -C 10芳基，烯丙基或卤素原子。抗反射硬掩模组合物包含含有芳环的共聚物; 发起者和有机溶剂。

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