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    • H01G9/2068H01G9/2031H01G9/2059H01L51/445Y02E10/542
    • PURPOSE: A photoelectric conversion device is provided to improve photoelectric conversion efficiency by forming a conductive thin film in a margin region between a grid pattern and a semiconductor layer. CONSTITUTION: A first electrode(114) including a grid pattern(113) is formed on a first substrate(110). The grid pattern includes a plurality of finger electrodes(113a) and a collection electrode(113b) which connects the finger electrodes. A second substrate(120) faces the first substrate. A semiconductor layer(117) is formed in an opening region of the grid pattern. A conductive thin film(140) is formed between the grid pattern and the semiconductor layer.
    • 目的:提供一种光电转换装置,通过在栅格图案和半导体层之间的边缘区域中形成导电薄膜来提高光电转换效率。 构成:在第一衬底(110)上形成包括栅格图案(113)的第一电极(114)。 栅格图案包括连接指状电极的多个指状电极(113a)和收集电极(113b)。 第二基板(120)面向第一基板。 半导体层(117)形成在栅格图案的开口区域中。 在栅格图案和半导体层之间形成导电薄膜(140)。