专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

JP2015198127A 有機物除去装置、および有機物除去方法有权
标题翻译：有机物质去除装置和有机物质去除方法
公开(公告)号：JP2015198127A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014074250
申请日：2014-03-31
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： G03F1/82 , H01L21/304 , B08B7/00 , H01L21/3065
摘要：【課題】被処理物の機能に対する影響が少ない被処理物の冷却を行うことができる有機物除去装置、および有機物除去方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る有機物除去装置は、プラズマを発生させ、前記発生させたプラズマにプロセスガスを供給してプラズマ生成物を生成し、前記生成したプラズマ生成物を用いて、被処理物の表面に付着した有機物を除去する。前記被処理物は、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有する位相シフトマスクである。そして、前記プラズマ処理済みの前記被処理物が載置された雰囲気に、前記プラズマ処理済みの前記被処理物の温度が160℃以下となるように、不活性ガスを供給するガス供給部を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有机物质去除装置和有机物质去除方法，其中每一种都实现对处理对象的功能影响较小的处理对象的冷却。解决方案：与实施例相关的有机物质去除装置产生将等离子体供给到所产生的等离子体中以产生等离子体产物，并通过使用所产生的等离子体产物去除附着在加工对象表面上的有机物质。处理对象是具有包含钼层和含硅层的层叠体和含有钼硅层的层叠体中的至少任一种的相移掩模。有机物质除去装置包括供给单元，该气体供给单元向惰性气体供给等离子体处理对象物的气氛，使经受等离子体处理的处理对象的温度为160℃以下。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式