专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW201442094A 利用具有電漿蝕刻之混合式多步驟雷射劃線製程的晶圓切割审中-公开
简体标题：利用具有等离子蚀刻之混合式多步骤激光划线制程的晶圆切割
公开(公告)号：TW201442094A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103117342
申请日：2013-04-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/06 , B23K26/36
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0608 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/3086
摘要：茲描述切割半導體晶圓的方法，每一晶圓具有複數個積體電路。方法包括形成遮罩於半導體晶圓上。遮罩由覆蓋及保護積體電路的層組成。利用多步驟雷射劃線製程圖案化遮罩，以提供具有間隙的圖案化遮罩。圖案化露出積體電路間的半導體晶圓區域。接著經由圖案化遮罩的間隙蝕刻半導體晶圓，以單粒化積體電路。
简体摘要：兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有复数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线制程图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮罩的间隙蚀刻半导体晶圆，以单粒化集成电路。

42. 发明专利

TWI451491B 使用水溶性晶片貼膜之雷射及電漿蝕刻晶圓切割有权
简体标题：使用水溶性芯片贴膜之激光及等离子蚀刻晶圆切割
公开(公告)号：TWI451491B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW101118731
申请日：2012-05-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67069 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327

43. 发明专利

TW201421565A 用於以雷射和電漿蝕刻之基板切割的遮罩殘留物移除审中-公开
简体标题：用于以激光和等离子蚀刻之基板切割的遮罩残留物移除
公开(公告)号：TW201421565A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102130628
申请日：2013-08-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR AJAY
IPC分类号： H01L21/306 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/0661 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K2201/40 , B23K2203/56
摘要：茲揭露切割具有複數個IC之基板的方法。一方法包括下列步驟：形成遮罩並以飛秒雷射劃線製程圖案化遮罩，以提供具有間隙之經圖案化遮罩。圖案化暴露了介於IC之間的基板之區域。透過經圖案化遮罩中的間隙蝕刻基板，以單分IC。移除遮罩，且將經切割基板上之金屬化凸塊接觸無機酸溶液來移除遮罩殘留物。
简体摘要：兹揭露切割具有复数个IC之基板的方法。一方法包括下列步骤：形成遮罩并以飞秒激光划线制程图案化遮罩，以提供具有间隙之经图案化遮罩。图案化暴露了介于IC之间的基板之区域。透过经图案化遮罩中的间隙蚀刻基板，以单分IC。移除遮罩，且将经切割基板上之金属化凸块接触无机酸溶液来移除遮罩残留物。

44. 发明专利

TW201413818A 用於溝槽側壁平坦化的矽蝕刻之方法审中-公开
简体标题：用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻之方法
公开(公告)号：TW201413818A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102130625
申请日：2013-08-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：于凱文 , YU, KEVEN , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , B81C1/00619 , H01L21/30655 , H01L21/31138 , H01L21/76898
摘要：本發明描述用於溝槽側壁平坦化的矽蝕刻之方法。在一個實施例中，一種方法涉及經由電漿蝕刻平坦化半導體晶圓中形成的溝槽之側壁。該方法包括利用自氟氣產生的電漿定向蝕刻半導體晶圓以平坦化溝槽之側壁，該溝槽具有由諸如氧或聚合氣體之第二製程氣體產生的電漿形成的保護層。在另一實施例中，一種方法涉及蝕刻半導體晶圓以產生具有平坦側壁的溝槽。該方法包括以下步驟：利用包括氟氣的一或更多種第一製程氣體電漿蝕刻半導體晶圓；利用包括氟氣及聚合氣體混合物的一或更多種第二製程氣體同時執行沉積及電漿蝕刻半導體晶圓；及利用包括聚合氣體的一或更多種第三製程氣體執行沉積。
简体摘要：本发明描述用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻之方法。在一个实施例中，一种方法涉及经由等离子蚀刻平坦化半导体晶圆中形成的沟槽之侧壁。该方法包括利用自氟气产生的等离子定向蚀刻半导体晶圆以平坦化沟槽之侧壁，该沟槽具有由诸如氧或聚合气体之第二制程气体产生的等离子形成的保护层。在另一实施例中，一种方法涉及蚀刻半导体晶圆以产生具有平坦侧壁的沟槽。该方法包括以下步骤：利用包括氟气的一或更多种第一制程气体等离子蚀刻半导体晶圆；利用包括氟气及聚合气体混合物的一或更多种第二制程气体同时运行沉积及等离子蚀刻半导体晶圆；及利用包括聚合气体的一或更多种第三制程气体运行沉积。

45. 发明专利

TW201349322A 利用具有電漿蝕刻之混合式多步驟雷射劃線製程的晶圓切割审中-公开
简体标题：利用具有等离子蚀刻之混合式多步骤激光划线制程的晶圆切割
公开(公告)号：TW201349322A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102112108
申请日：2013-04-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0608 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/3086
摘要：茲描述切割半導體晶圓的方法，每一晶圓具有複數個積體電路。方法包括形成遮罩於半導體晶圓上。遮罩由覆蓋及保護積體電路的層組成。利用多步驟雷射劃線製程圖案化遮罩，以提供具有間隙的圖案化遮罩。圖案化露出積體電路間的半導體晶圓區域。接著經由圖案化遮罩的間隙蝕刻半導體晶圓，以單粒化積體電路。
简体摘要：兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有复数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线制程图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮罩的间隙蚀刻半导体晶圆，以单粒化集成电路。

46. 发明专利

TW201306110A 多步驟且非對稱塑形的雷射束劃線审中-公开
简体标题：多步骤且非对称塑形的激光束划线
公开(公告)号：TW201306110A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101119338
申请日：2012-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY , 霍登詹姆士M , HOLDEN, JAMES M.
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/38
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/67207
摘要：茲提供藉由雷射劃線及電漿蝕刻二者分割基板的方法。本發明的一種方法包括下列步驟：雷射剝蝕材料層，以第一輻照度及後續之第二輻照度進行剝蝕，第二輻照度低於第一輻照度。射束的多重進程可經調整而具有不同的通量位準，或可利用具有多種通量位準的多重雷射束來剝蝕遮罩及IC層，以在第一通量位準下暴露基板，並接著在第二通量位準下自溝槽底部清除再沉積之材料。一種利用射束分裂器的雷射劃線裝置可自單一雷射提供不同通量的第一及第二射束。
简体摘要：兹提供借由激光划线及等离子蚀刻二者分割基板的方法。本发明的一种方法包括下列步骤：激光剥蚀材料层，以第一辐照度及后续之第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。射束的多重进程可经调整而具有不同的通量位准，或可利用具有多种通量位准的多重激光束来剥蚀遮罩及IC层，以在第一通量位准下暴露基板，并接着在第二通量位准下自沟槽底部清除再沉积之材料。一种利用射束分裂器的激光划线设备可自单一激光提供不同通量的第一及第二射束。

47. 发明专利

TWI644350B 藉由雷射劃線及電漿蝕刻混合手段以寬切口進行晶圓分割有权
简体标题：借由激光划线及等离子蚀刻混合手段以宽切口进行晶圆分割
公开(公告)号：TWI644350B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103117620
申请日：2014-05-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304

48. 发明专利

TWI642096B 用於改善晶粒封裝品質的晶片切割方法有权
简体标题：用于改善晶粒封装品质的芯片切割方法
公开(公告)号：TWI642096B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW103129565
申请日：2014-08-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR AJAY , 朴正來 , PARK, JUNGRAE
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065

49. 发明专利

TWI641075B 改善晶圓塗覆有权
简体标题：改善晶圆涂覆
公开(公告)号：TWI641075B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW104103253
申请日：2015-01-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正來 , PARK, JUNGRAE , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 庫瑪普拉罕 , KUMAR, PRABHAT , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , B05C11/08 , B05C13/02 , B05C5/00

50. 发明专利

TWI605506B 用於極薄晶圓之利用雷射剝離與電漿蝕刻損害移除之基板切割有权
简体标题：用于极薄晶圆之利用激光剥离与等离子蚀刻损害移除之基板切割
公开(公告)号：TWI605506B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103102509
申请日：2014-01-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31105 , H01L21/31127 , H01L21/6836 , H01L2221/68327

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式