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41. 发明专利

TWI512725B 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之驱动方法
公开(公告)号：TWI512725B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100105106
申请日：2011-02-16
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C11/403 , H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/413

42. 发明专利

TWI511236B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI511236B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100114302
申请日：2011-04-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/108 , H01L27/11 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
CPC分类号： H01L29/78 , G11C11/403 , G11C11/406 , G11C16/0416 , G11C2211/4065 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225

43. 发明专利

TW201415644A 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备和该半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201415644A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102144633
申请日：2007-05-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/334
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L28/40
摘要：本發明的目的在於提供一種半導體裝置及其製造方法，該半導體裝置即使在使用形成在基板上的半導體膜時，也可以實現訊號處理的高速化且能確保一定的通訊距離。本發明的半導體裝置包含：具有設置在基板上的電容部的類比電路部和資料電路部，其中在該電容部中設置有分別包括多個電容元件的多個區塊、第一佈線、以及第二佈線。另外，設置在各個區塊中的多個電容元件的每一個具有半導體膜，該半導體膜具有第一雜質區和中間夾著第一雜質區彼此相分離而設置的多個第二雜質區；以及中間夾著絕緣膜設置在第一雜質區上方的導電膜，其中電容由第一雜質區、絕緣膜、以及導電膜形成。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种半导体设备及其制造方法，该半导体设备即使在使用形成在基板上的半导体膜时，也可以实现信号处理的高速化且能确保一定的通信距离。本发明的半导体设备包含：具有设置在基板上的电容部的模拟电路部和数据电路部，其中在该电容部中设置有分别包括多个电容组件的多个区块、第一布线、以及第二布线。另外，设置在各个区块中的多个电容组件的每一个具有半导体膜，该半导体膜具有第一杂质区和中间夹着第一杂质区彼此相分离而设置的多个第二杂质区；以及中间夹着绝缘膜设置在第一杂质区上方的导电膜，其中电容由第一杂质区、绝缘膜、以及导电膜形成。

44. 发明专利

TW201225305A 半導體裝置的驅動方法 DRIVING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的驱动方法 DRIVING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201225305A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100129959
申请日：2011-08-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：井上廣樹 , 加藤清 , 松崎隆德 , 長塚修平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C11/404
摘要：提供一種新的半導體裝置及其驅動方法。一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置,該儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該電晶體不同的半導體材料的讀出用p通道型電晶體以及電容元件。在使寫入用電晶體成為導通狀態而將電位供應到寫入用電晶體的源極、電容元件的一方電極以及讀出用電晶體的閘極彼此電連接的節點之後,使寫入用電晶體成為截止狀態,以使節點保持預定量的電荷,以對儲存單元寫入資訊。在保持期間中,使儲存單元成為選擇狀態並將讀出用電晶體的源極及汲極設定為同一電位,以保持累積在節點中的電荷。
简体摘要：提供一种新的半导体设备及其驱动方法。一种具有非挥发性存储单元的半导体设备,该存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该晶体管不同的半导体材料的读出用p信道型晶体管以及电容组件。在使写入用晶体管成为导通状态而将电位供应到写入用晶体管的源极、电容组件的一方电极以及读出用晶体管的闸极彼此电连接的节点之后,使写入用晶体管成为截止状态,以使节点保持预定量的电荷,以对存储单元写入信息。在保持期间中,使存储单元成为选择状态并将读出用晶体管的源极及汲极设置为同一电位,以保持累积在节点中的电荷。

45. 发明专利

TW201203821A 直流轉換器電路及電源供應電路 DC CONVERTER CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT 审中-公开
简体标题：直流转换器电路及电源供应电路 DC CONVERTER CIRCUIT AND POWER SUPPLY CIRCUIT
公开(公告)号：TW201203821A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099141952
申请日：2010-12-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：高橋圭 , 伊藤良明 , 井上廣樹 , 西島辰司
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H02M3/156 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H02M3/155
摘要：提供一種具有高可靠性之直流轉換器電路。該直流轉換器電路包括：電感器，組構成用以依據流動電流之改變而產生電動勢；電晶體，包括閘極、源極及汲極，其組構成用以藉由開啟或關閉而控制該電感器中該電動勢之產生；整流器，當該電晶體關閉時，該整流器處於導通狀態；及控制電路，組構成用以控制該電晶體之開啟及關閉。該電晶體包括氧化物半導體層，其氫濃度小於或等於5×10 19 原子/cm 3 ，係做為通道形成層。
简体摘要：提供一种具有高可靠性之直流转换器电路。该直流转换器电路包括：电感器，组构成用以依据流动电流之改变而产生电动势；晶体管，包括闸极、源极及汲极，其组构成用以借由打开或关闭而控制该电感器中该电动势之产生；整流器，当该晶体管关闭时，该整流器处于导通状态；及控制电路，组构成用以控制该晶体管之打开及关闭。该晶体管包括氧化物半导体层，其氢浓度小于或等于5×10 19 原子/cm 3 ，系做为信道形成层。

46. 发明专利

TW201201324A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201201324A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100107318
申请日：2011-03-04
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：井上廣樹 , 松崎隆德 , 長塚修平
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0408 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L28/60
摘要：本案提供一種包含非揮發記憶體格的半導體裝置,該記憶體格包含寫入電晶體,其包含氧化物半導體、讀取電晶體,其包含與該寫入電晶體不同的半導體材料、及一電容。藉由導通該寫入電晶體及供給電位至該寫入電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容的一電極、及讀取電晶體的閘極電極彼此電連接的一節點,然後,關斷寫入電晶體,使得預定量的電荷被保持在該節點而將資料寫入記憶體格。再者,當p-通道電晶體被使用作為讀取電晶體時,讀取電位為正電位。
简体摘要：本案提供一种包含非挥发内存格的半导体设备,该内存格包含写入晶体管,其包含氧化物半导体、读取晶体管,其包含与该写入晶体管不同的半导体材料、及一电容。借由导通该写入晶体管及供给电位至该写入晶体管的源极电极(或汲极电极)、电容的一电极、及读取晶体管的闸极电极彼此电连接的一节点,然后,关断写入晶体管,使得预定量的电荷被保持在该节点而将数据写入内存格。再者,当p-信道晶体管被使用作为读取晶体管时,读取电位为正电位。

47. 发明专利

TW201222789A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201222789A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100124985
申请日：2011-07-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：加藤清 , 松崎隆德 , 長塚修平 , 井上廣樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/1156 , H01L29/78
摘要：本發明的一個方式的目的之一在於提供一種新的結構的半導體裝置，該半導體裝置當沒有電力供應時也能夠保持儲存內容且對寫入次數也沒有限制。藉由使用可以充分降低電晶體的截止電流的材料，例如使用作為寬禁止帶半導體的氧化物半導體材料構成半導體裝置。藉由使用能夠充分降低電晶體的截止電流的半導體材料，半導體裝置可以長期保持資訊。藉由在包括儲存單元陣列的半導體裝置中，使在彼此串聯連接的第一至第m儲存單元的各節點中產生的寄生電容大致相同，半導體裝置能夠進行穩定工作。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一在于提供一种新的结构的半导体设备，该半导体设备当没有电力供应时也能够保持存储内容且对写入次数也没有限制。借由使用可以充分降低晶体管的截止电流的材料，例如使用作为宽禁止带半导体的氧化物半导体材料构成半导体设备。借由使用能够充分降低晶体管的截止电流的半导体材料，半导体设备可以长期保持信息。借由在包括存储单元数组的半导体设备中，使在彼此串联连接的第一至第m存储单元的各节点中产生的寄生电容大致相同，半导体设备能够进行稳定工作。

48. 发明专利

TW201222550A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201222550A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100130104
申请日：2011-08-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：松崎隆德 , 長塚修平 , 井上廣樹
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C8/08 , G11C11/403 , G11C11/405 , G11C11/4085 , G11C16/02 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/4016
摘要：本發明的一個方式的目的之一是提供一種即使沒有電力供給也能夠保持儲存內容且對寫入次數也沒有限制的半導體裝置。使用能夠使電晶體的截止電流足夠小的材料，例如作為寬頻隙半導體的氧化物半導體材料構成半導體裝置。藉由使用能夠使電晶體的截止電流足夠小的半導體材料，可以在長期間保持資訊。另外，藉由設置電連接到寫入字線的電容元件或雜訊去除電路，可以降低或去除輸入到儲存單元的短脈衝或雜訊等的信號。由此，可以防止因儲存單元所具有的電晶體瞬間地成為導通而寫入在儲存單元中的資料消失的錯誤工作。
简体摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种即使没有电力供给也能够保持存储内容且对写入次数也没有限制的半导体设备。使用能够使晶体管的截止电流足够小的材料，例如作为宽带隙半导体的氧化物半导体材料构成半导体设备。借由使用能够使晶体管的截止电流足够小的半导体材料，可以在长期间保持信息。另外，借由设置电连接到写入字线的电容组件或噪声去除电路，可以降低或去除输入到存储单元的短脉冲或噪声等的信号。由此，可以防止因存储单元所具有的晶体管瞬间地成为导通而写入在存储单元中的数据消失的错误工作。

49. 发明专利

TW201209829A 半導體裝置及其驅動方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备及其驱动方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201209829A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100127218
申请日：2011-08-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：井上廣樹 , 加藤清 , 松崎隆德 , 長塚修平
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C11/405 , G11C16/02
摘要：所公開的發明的一個方式的目的之一在於提供一種即使沒有電力供給也能夠保持儲存內容並且對寫入次數也沒有限制的具有新的結構的半導體裝置。該半導體裝置,包括:多個儲存單元,該儲存單元具有使用第一半導體材料的電晶體、使用與第一半導體材料不同的第二半導體材料的電晶體以及電容元件;以及電位轉換電路,該電位轉換電路具有一種功能,即在寫入期間中將電源電位供應到源極線。由此,可以充分抑制半導體裝置的耗電量。
简体摘要：所公开的发明的一个方式的目的之一在于提供一种即使没有电力供给也能够保持存储内容并且对写入次数也没有限制的具有新的结构的半导体设备。该半导体设备,包括:多个存储单元,该存储单元具有使用第一半导体材料的晶体管、使用与第一半导体材料不同的第二半导体材料的晶体管以及电容组件;以及电位转换电路,该电位转换电路具有一种功能,即在写入期间中将电源电位供应到源极线。由此,可以充分抑制半导体设备的耗电量。

50. 发明专利

TW201145297A 半導體裝置及其驅動方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其驱动方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME
公开(公告)号：TW201145297A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100104212
申请日：2011-02-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：齋藤利彥 , 松崎隆德 , 長塚修平 , 井上廣樹
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/405 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40
摘要：半導體裝置包括:第一信號線、第二信號線、記憶體單元、及電位變換器電路。該記憶體單元包括:第一電晶體,其包括第一閘極電極、第一源極電極、第一汲極電極、和第一通道形成區;第二電晶體,其包括第二閘極電極、第二源極電極、第二汲極電極、和第二通道形成區;以及電容器。該第一通道形成區和該第二通道形成區包括不同的半導體材料。該第二汲極電極、該電容器的一電極、和該第一閘極電極係彼此電連接。該第二閘極電極係經由該第二信號線電連接到該電位變換器電路。
简体摘要：半导体设备包括:第一信号线、第二信号线、内存单元、及电位变换器电路。该内存单元包括:第一晶体管,其包括第一闸极电极、第一源极电极、第一汲极电极、和第一信道形成区;第二晶体管,其包括第二闸极电极、第二源极电极、第二汲极电极、和第二信道形成区;以及电容器。该第一信道形成区和该第二信道形成区包括不同的半导体材料。该第二汲极电极、该电容器的一电极、和该第一闸极电极系彼此电连接。该第二闸极电极系经由该第二信号线电连接到该电位变换器电路。

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