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    • 41. 发明公开
    • 발광 장치 및 발광 장치 제조방법
    • 发光器件封装及其制造方法
    • KR1020130073076A
    • 2013-07-03
    • KR1020110140733
    • 2011-12-23
    • 주식회사 루멘스(주)웨이브닉스이에스피
    • 조현용김경민유성환
    • H01L33/48
    • H01L33/486H01L33/60H01L2933/0033
    • PURPOSE: A light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to easily manufacture the light emitting device by forming a light emitting element on a first or a second conductive layer. CONSTITUTION: A first conductive layer (22) and a second conductive layer (23) are arranged on the upper surface of a metal body part. A trench part separates the first conductive layer from the second conductive layer. An insulating layer is formed between the metal body part and the first conductive layer. The insulating layer is formed between the metal body part and the second conductive layer. A light emitting element (10) is arranged on the first conductive layer or the second conductive layer.
    • 目的:提供一种发光器件及其制造方法,用于通过在第一或第二导电层上形成发光元件容易地制造发光器件。 构成:第一导电层(22)和第二导电层(23)布置在金属体部分的上表面上。 沟槽部分将第一导电层与第二导电层分开。 在金属主体部分和第一导电层之间形成绝缘层。 绝缘层形成在金属主体部分和第二导电层之间。 发光元件(10)布置在第一导电层或第二导电层上。
    • 43. 发明公开
    • 비어구조를 갖는 금속베이스 패키지 제조방법
    • 基于金属的包装的方法
    • KR1020100069544A
    • 2010-06-24
    • KR1020090057031
    • 2009-06-25
    • (주)웨이브닉스이에스피
    • 김경민
    • H01L23/50H01L23/48H01L23/02H01L25/00
    • H01L2924/0002H01L2924/00
    • PURPOSE: A metal-base package manufacturing method including a via structure is provided to form the via of a various size including an aspect ratio by forming the via using a metal oxidation film including a vertical etching property. CONSTITUTION: A metal substrate is prepared(S10). A mask pattern for preventing oxidation is formed on the metal substrate(S20). A metal oxidation film is formed with oxidizing a part of the metal substrate exposed between mask patterns for preventing oxidation to the predetermined depth(S30). The mask pattern for the preventing oxidation is removed(S40). A mask pattern for forming via is formed on the metal substrate and the metal oxidation film(S50). The via is formed on the metal oxidation film with implementing a chemical etching about the metal oxidation film which the mast pattern for forming via is not formed(S60). The mask pattern for forming via is removed(S65). A conductive layer is formed on the inner surface of the via into a conductive material(S70).
    • 目的:提供一种包括通孔结构的金属基封装制造方法,以通过使用包括垂直蚀刻性能的金属氧化膜形成通孔来形成包括纵横比的各种尺寸的通孔。 构成:准备金属基板(S10)。 在金属基板上形成防止氧化的掩模图案(S20)。 形成金属氧化膜,将暴露在防止氧化的掩模图案之间的部分金属基板氧化到预定深度(S30)。 去除防止氧化的掩模图案(S40)。 在金属基板和金属氧化膜上形成用于形成通孔的掩模图案(S50)。 通过对金属氧化膜进行化学蚀刻,形成通孔,金属氧化膜不形成用于形成通孔的桅杆图案(S60)。 去除用于形成通孔的掩模图案(S65)。 在通孔的内表面上形成导电层为导电材料(S70)。
    • 44. 发明授权
    • 3차원 알루미늄 패키지 모듈, 그의 제조방법 및 3차원알루미늄 패키지 모듈에 적용되는 수동소자 제작방법
    • 3차원알루미늄패키지모듈,그의제조방법및3차원알루미늄패키지모듈에적용되는수동소자제작방3
    • KR100656300B1
    • 2006-12-11
    • KR1020050133793
    • 2005-12-29
    • (주)웨이브닉스이에스피
    • 김경민권영세
    • H01L23/02H01L23/50
    • A three-dimensional aluminum package module is provided to improve thermal, electrical and mechanical stability and easily maintain flatness of a substrate by vertically forming a cavity for mounting components on a substrate of metal. An aluminum oxide layer(12) is formed on an aluminum substrate(10), having at least one opening(14) whose lateral surfaces are vertical to the upper surface of the aluminum substrate. A semiconductor device is mounted in the first opening of the aluminum oxide layer by interposing an adhesive material(17). The aluminum oxide layer and the semiconductor device are covered with an organic material layer. A first interconnection and a passive device circuit are formed on the organic material layer and the aluminum oxide layer. A second interconnection is buried along the lateral and bottom surfaces of a second opening formed in the aluminum oxide layer, electrically connected to the first interconnection and/or a terminal of the semiconductor device.
    • 提供三维铝封装模块以​​通过垂直地形成用于在金属衬底上安装部件的空腔来提高热,电和机械稳定性并容易地保持衬底的平坦度。 在铝基板(10)上形成氧化铝层(12),该铝基板具有至少一个侧面垂直于铝基板上表面的开口(14)。 通过插入粘合材料(17)将半导体器件安装在氧化铝层的第一开口中。 氧化铝层和半导体器件被有机材料层覆盖。 第一互连和无源器件电路形成在有机材料层和氧化铝层上。 第二互连沿着形成在氧化铝层中的第二开口的侧表面和底表面被掩埋,电连接到半导体器件的第一互连和/或端子。
    • 45. 发明申请
    • 개념 그래프 기반 질의응답 장치 및 방법
    • WO2020111314A1
    • 2020-06-04
    • PCT/KR2018/014860
    • 2018-11-28
    • 한국과학기술원
    • 맹성현김경민
    • G06F16/00G06F17/27
    • 질의응답 장치로서, 말뭉치에서 말뭉치 맥락 단어를 추출하고, 가중치 규칙에 따라 상기 말뭉치 맥락 단어에 가중치를 적용하고, 입력 질의에서 질의 맥락 단어를 추출하고, 상기 가중치 규칙에 따라 상기 질의 맥락 단어에 가중치를 적용하는 가중치 적용부, 가중치가 적용된 말뭉치에 대한 복수의 말뭉치 문장 임베딩 벡터들 및 가중치가 적용된 입력 질의에 대한 질의 문장 임베딩 벡터를 생성하고, 상기 복수의 말뭉치 문장 임베딩 벡터들과 상기 질의 문장 임베딩 벡터 사이의 벡터 유사도를 기준으로 상기 복수의 말뭉치 문장 임베딩 벡터들 중에서 대상 문장 임베딩 벡터를 결정하는 맥락 유사도 결정부, 상기 대상 문장 임베딩 벡터에 대응하는 대상 개념 그래프를 결정하고, 상기 대상 개념 그래프에 포함된 적어도 하나 이상의 개념들 각각에 대한 그래프 매칭 점수를 계산하여, 상기 입력 질의에 대응하는 적어도 하나 이상의 후보 개념들을 결정하는 후보 응답 결정부, 그리고 상기 후보 개념들 중에서 미리 설정된 수만큼의 개념을 상기 입력 질의에 대한 응답으로 결정하는 응답 결정부를 포함한다.