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41. 发明专利

TWI380974B 醯亞胺錯合物，其製造方法，含金屬之薄膜及其製造方法有权
简体标题：酰亚胺错合物，其制造方法，含金属之薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI380974B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW096131715
申请日：2007-08-27
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：多田賢一 , TADA, KEN-ICHI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 稻葉孝一郎 , INABA, KOICHIRO , 肆矢忠寬 , YOTSUYA, TADAHIRO , 千葉洋一 , CHIBA, HIROKAZU , 山本俊樹 , YAMAMOTO, TOSHIKI , 山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI
IPC分类号： C07C211/65 , C01G33/00 , C01G35/00 , C07C209/00 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405

42. 发明专利

TWI313704B 熱熔接著劑用芳香族石油樹脂,熱熔接著劑用芳香族石油樹脂組成物及熱熔接著劑組成物 AROMATIC PETROLEUM RESIN FOR HOT-MELT ADHESIVE, AROMATIC PETROLEUM RESIN COMPOSITION FOR HOT-MELT ADHESIVE, AND HOLT-MELT ADHESIVE COMPOSITION 失效
简体标题：热熔接着剂用芳香族石油树脂,热熔接着剂用芳香族石油树脂组成物及热熔接着剂组成物 AROMATIC PETROLEUM RESIN FOR HOT-MELT ADHESIVE, AROMATIC PETROLEUM RESIN COMPOSITION FOR HOT-MELT ADHESIVE, AND HOLT-MELT ADHESIVE COMPOSITION
公开(公告)号：TWI313704B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW093111995
申请日：2004-04-29
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：服部晃幸 HATTORI TERUYUKI , 堀江博明 HORIE HIROAKI
IPC分类号： C09J
摘要：課題:
提供熱熔接著劑用芳香族石油樹脂與熱熔接著劑用芳香族石油樹脂組成物、以及使用此石油樹脂或石油樹脂組成物所形成的加熱穩定性、耐熱黏著性相當優異的熱熔接著劑組成物。
解決手段:
利用質子核磁共振光譜所測出(1)芳香族性氫面積比率為39~43%、(2)烯烴性雙鍵氫面積比率為0.7%以下、(3)來自羥基的氫面積比率為0.5%以下,且分子量分布(Mw/Mn)為1.75以下的熱熔接著劑用芳香族石油樹脂、或於芳香族石油樹脂中調配受阻胺化合物之熱熔接著劑用芳香族石油樹脂組成物,並將此石油樹脂或石油樹脂組成物調配至由乙烯‧不飽和酯共聚物和蠟所形成的組成物中。
简体摘要：课题: 提供热熔接着剂用芳香族石油树脂与热熔接着剂用芳香族石油树脂组成物、以及使用此石油树脂或石油树脂组成物所形成的加热稳定性、耐热黏着性相当优异的热熔接着剂组成物。解决手段: 利用质子核磁共振光谱所测出(1)芳香族性氢面积比率为39~43%、(2)烯烃性双键氢面积比率为0.7%以下、(3)来自羟基的氢面积比率为0.5%以下,且分子量分布(Mw/Mn)为1.75以下的热熔接着剂用芳香族石油树脂、或于芳香族石油树脂中调配受阻胺化合物之热熔接着剂用芳香族石油树脂组成物,并将此石油树脂或石油树脂组成物调配至由乙烯‧不饱和酯共聚物和蜡所形成的组成物中。

43. 发明专利

TW200907508A 光學補償膜、光學補償薄膜以及該等膜之製造方法审中-公开
简体标题：光学补偿膜、光学补偿薄膜以及该等膜之制造方法
公开(公告)号：TW200907508A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097114201
申请日：2008-04-18
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：土井亨 , 豊增信之 , 尾崎想 , 下里伸治
IPC分类号： G02F , G02B
CPC分类号： G02B5/3083 , B32B2457/202 , G02B1/04 , G02F1/133634 , C08L33/00
摘要：本發明提供一種光學補償膜,其係可於塗工或塗工後單軸延伸時顯現光學補償機能,並且其位相差的波長依存性小。本發明係關於:一種光學補償膜,其係包含馬來醯亞胺系樹脂之塗工膜,其特徵在於:使在於塗工膜面內正交的任意2軸作為x軸、y軸,使面外方向為z軸,使x軸方向的折射率為nx,y軸方向的折射率為ny,z軸方向的折射率為nz時,3維折射率的關係為nx≒ny>nz;一種光學補償薄膜,其特徵在於包含:塗工膜層(A),其係包含馬來醯亞胺系樹脂;及延伸薄膜層(B);一種光學補償膜,其係將包含馬來醯亞胺系樹脂之塗工膜單軸延伸而成者,其特徵在於:使塗工膜之延伸軸方向為x軸、與其正交之方向為y軸,使面外方向為z軸,使x軸方向的折射率為nx4,y軸方向的折射率為ny4,z軸方向的折射率為nz4時,3維折射率的關係為nx4>ny4>nz4。
097114201P01.bmp
其中,R1係表示碳數1~18之直鏈狀烷基、分枝狀烷基、環狀烷基、鹵基、醚基、酯基、醯胺基。
简体摘要：本发明提供一种光学补偿膜,其系可于涂工或涂工后单轴延伸时显现光学补偿机能,并且其位相差的波长依存性小。本发明系关于:一种光学补偿膜,其系包含马来酰亚胺系树脂之涂工膜,其特征在于:使在于涂工膜面内正交的任意2轴作为x轴、y轴,使面外方向为z轴,使x轴方向的折射率为nx,y轴方向的折射率为ny,z轴方向的折射率为nz时,3维折射率的关系为nx≒ny>nz;一种光学补偿薄膜,其特征在于包含:涂工膜层(A),其系包含马来酰亚胺系树脂;及延伸薄膜层(B);一种光学补偿膜,其系将包含马来酰亚胺系树脂之涂工膜单轴延伸而成者,其特征在于:使涂工膜之延伸轴方向为x轴、与其正交之方向为y轴,使面外方向为z轴,使x轴方向的折射率为nx4,y轴方向的折射率为ny4,z轴方向的折射率为nz4时,3维折射率的关系为nx4>ny4>nz4。 097114201P01.bmp 其中,R1系表示碳数1~18之直链状烷基、分枝状烷基、环状烷基、卤基、醚基、酯基、酰胺基。

44. 发明专利

TW200906473A 鹵素系氣體除害劑及使用其之鹵素系氣體之除害方法 AGENT FOR RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS, AND METHOD OF RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS USING SAME 审中-公开
简体标题：卤素系气体除害剂及使用其之卤素系气体之除害方法 AGENT FOR RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS, AND METHOD OF RENDERING HALOGEN-CONTAINING GAS HARMLESS USING SAME
公开(公告)号：TW200906473A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097105936
申请日：2008-02-20
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：平野茂 HIRANO, SHIGERU
IPC分类号： B01D , B01J
摘要：本發明提供一種除害劑,其係可將鹵素系氣體高效率且選擇性地除害之沸石所構成,及使用其之鹵素系氣體之除害方法。本發明使用SiO2/Al2O3莫耳比為2.0-2.3之八面沸石型沸石,陽離子係含有鹼金屬及/或鹼土類金屬至少1種之鹵素系氣體除害劑。黏結劑含量為10%以下之成形體為佳,特別是無黏結性劑者為佳。陽離子係以選自Na及/或K所構成之群中至少1種者為佳。
简体摘要：本发明提供一种除害剂,其系可将卤素系气体高效率且选择性地除害之沸石所构成,及使用其之卤素系气体之除害方法。本发明使用SiO2/Al2O3莫耳比为2.0-2.3之八面沸石型沸石,阳离子系含有碱金属及/或碱土类金属至少1种之卤素系气体除害剂。黏结剂含量为10%以下之成形体为佳,特别是无黏结性剂者为佳。阳离子系以选自Na及/或K所构成之群中至少1种者为佳。

45. 发明专利

TW200833648A 醯亞胺錯合物,其製造方法,含金屬之薄膜及其製造方法 IMIDE COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：酰亚胺错合物,其制造方法,含金属之薄膜及其制造方法 IMIDE COMPLEX, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METAL-CONTAINING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200833648A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096131715
申请日：2007-08-27
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：多田賢一 TADA, KEN-ICHI , 古川泰志 FURUKAWA, TAISHI , 稻葉孝一郎 INABA, KOICHIRO , 肆矢忠寬 YOTSUYA, TADAHIRO , 千葉洋一 CHIBA, HIROKAZU , 山本俊樹 YAMAMOTO, TOSHIKI , 山川哲 YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 OSHIMA, NORIAKI
IPC分类号： C07C , C01G , C23C
CPC分类号： C23C16/18 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/88 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F9/005 , C23C16/405
摘要：本發明之課題係提供具有良好蒸氣壓,利用CVD法或ALD法等製造含鈮或鉭之薄膜時作為原料用的新穎之鈮或鉭錯合物、其製造方法,使用其之含金屬的薄膜及其製造方法。本發明為,例如係由M^1(NR^1)X3(L)r(2)與鹼金屬烷氧化物(3)反應等製造的一般式(1)所示之醯亞胺錯合物,
096131715P01.bmp
(式中,M^1為鈮原子或鉭原子,R^1為碳數1至12之烷基,R^2為碳數2至13之烷基,X為鹵原子,L為1,2-二甲氧基乙烷配位基時,r為1,L為為啶配位基時,r為2,M^2為鹼金屬),及以該醯亞胺錯合物(1)為原料製造的含鈮或鉭之薄膜。
简体摘要：本发明之课题系提供具有良好蒸气压,利用CVD法或ALD法等制造含铌或钽之薄膜时作为原料用的新颖之铌或钽错合物、其制造方法,使用其之含金属的薄膜及其制造方法。本发明为,例如系由M^1(NR^1)X3(L)r(2)与碱金属烷氧化物(3)反应等制造的一般式(1)所示之酰亚胺错合物, 096131715P01.bmp (式中,M^1为铌原子或钽原子,R^1为碳数1至12之烷基,R^2为碳数2至13之烷基,X为卤原子,L为1,2-二甲氧基乙烷配位基时,r为1,L为为啶配位基时,r为2,M^2为碱金属),及以该酰亚胺错合物(1)为原料制造的含铌或钽之薄膜。

46. 发明专利

TW200821258A 微小流路構造及使用有其之微小粒子製造方法 MICROCHANNEL STRUCTURE AND FINE-PARTICLE PRODUCTION METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：微小流路构造及使用有其之微小粒子制造方法 MICROCHANNEL STRUCTURE AND FINE-PARTICLE PRODUCTION METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW200821258A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096132523
申请日：2007-08-31
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：山中麻帆 YAMANAKA, MAHO , 川井明 KAWAI, AKIRA , 片山晃治 KATAYAMA, KOJI , 高宮裕樹 TAKAMIYA, HIROKI
IPC分类号： B81B , B01J , B01F
CPC分类号： B01F3/0807 , B01F5/0475 , B01F5/0478 , B01F13/0059 , B01F13/1013 , B01F13/1022 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00822 , B01J2219/00824 , B01J2219/00826 , B01J2219/00828 , B01J2219/00831 , B01J2219/00833 , B01J2219/0086 , B01J2219/00889 , B01J2219/00891 , B01J2219/00903 , Y10T137/0396
摘要：【【課題】】提供一種:將微小粒子以均勻之大小而安定地產生,以及用以實現微小粒子之大量產生的微小流路構造、以及微小粒子產生方法。【【解決手段】】使用:一種微小流路構造,係具備有:與分散相導入口相通連之分散相導入流路;和與連續相導入口相通連之連續相導入流路;和與排出口相通連之排出流路;和微小粒子產生流路;和由複數之微小流路所成的分散相導入分支流路,在以微小流路產生流路之流體行進方向中的其中一端而通連於連續相導入流路的同時,以另外一端而通連於排出流路,分散相導入流路之側部與微小粒子產生流路之側部,係經由複數之分散相導入分支流路而相互通連,以此而構成一組之微小流路構造,以及:使用此微小流路構造,而在分散相導入分支流路與微小粒子產生流路的交叉部,使分散相與連續相合流,並將分散相微小粒子化的微小粒子製造方法。
简体摘要：【【课题】】提供一种:将微小粒子以均匀之大小而安定地产生,以及用以实现微小粒子之大量产生的微小流路构造、以及微小粒子产生方法。【【解决手段】】使用:一种微小流路构造,系具备有:与分散相导入口相通连之分散相导入流路;和与连续相导入口相通连之连续相导入流路;和与排出口相通连之排出流路;和微小粒子产生流路;和由复数之微小流路所成的分散相导入分支流路,在以微小流路产生流路之流体行进方向中的其中一端而通连于连续相导入流路的同时,以另外一端而通连于排出流路,分散相导入流路之侧部与微小粒子产生流路之侧部,系经由复数之分散相导入分支流路而相互通连,以此而构成一组之微小流路构造,以及:使用此微小流路构造,而在分散相导入分支流路与微小粒子产生流路的交叉部,使分散相与连续相合流,并将分散相微小粒子化的微小粒子制造方法。

47. 发明专利

TW200716575A 1,3,5-三衍生物、其製造方法及以其作為構成成份的有機電場發光元件审中-公开
简体标题： 1,3,5-三衍生物、其制造方法及以其作为构成成份的有机电场发光组件
公开(公告)号：TW200716575A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095131342
申请日：2006-08-25
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：山川哲 TETSU YAMAKAWA , 相原秀典 HIDENORI AIHARA , 矢內直子 NAOKO YANAI , 田中剛 TSUYOSHI TANAKA , 佐藤優 MASARU SATO
IPC分类号： C07D , C09K , H01L
CPC分类号： C07D401/14 , C07D401/10 , C09K11/06 , C09K2211/1059 , H01L51/0065 , H01L51/5048 , H05B33/14
摘要：習知的電子輸送材安定性低,且不能夠充分兼顧使用該電子輸送材之有機電場發光元件的輝度及發光效率與壽命。將通式(2)之化合物與通式(3)之化合物使用金屬觸媒藉由偶合反應得到通式(1)之1,3,5–三衍生物,並以其作為有機電場發光元件之構成成分。
095131342-p01.bmp
095131342-p02.bmp
095131342-p03.bmp
简体摘要：习知的电子输送材安定性低,且不能够充分兼顾使用该电子输送材之有机电场发光组件的辉度及发光效率与寿命。将通式(2)之化合物与通式(3)之化合物使用金属触媒借由偶合反应得到通式(1)之1,3,5–三衍生物,并以其作为有机电场发光组件之构成成分。 095131342-p01.bmp 095131342-p02.bmp 095131342-p03.bmp

48. 发明专利

TWI276675B 新穎之三芳基胺聚合物,其製造方法及其用途有权
简体标题：新颖之三芳基胺聚合物,其制造方法及其用途
公开(公告)号：TWI276675B
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：TW092121900
申请日：2003-08-08
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：鈴木孝生 SUZUKI, TAKAO , 西山正一 NISHIYAMA, MASAKAZU , 江口久雄 EGUCHI, HISAO
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C08G73/026 , C08G73/02 , C09K11/06 , C09K2211/1433 , H01B1/128 , H01L51/0035 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
摘要：本發明之目的為在於提供溶解性及成膜性優良，且令耐熱安定性提高之新穎的三芳基胺聚合物，其簡便的製造方法及使用其之電子元件。
提供下述一般式(1)(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、 Ar5、Ar6及Ar7分別獨立表示未取代或具有取代基之碳數6~60個的芳香族基，Ar1與Ar2為相同或相異，Ar3與Ar4為相同或相異。m為1以上之整數)所示之三芳基胺聚合物，其製造方法及使用其之電子元件。
简体摘要：本发明之目的为在于提供溶解性及成膜性优良，且令耐热安定性提高之新颖的三芳基胺聚合物，其简便的制造方法及使用其之电子组件。提供下述一般式(1)(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、 Ar5、Ar6及Ar7分别独立表示未取代或具有取代基之碳数6~60个的芳香族基，Ar1与Ar2为相同或相异，Ar3与Ar4为相同或相异。m为1以上之整数)所示之三芳基胺聚合物，其制造方法及使用其之电子组件。

49. 发明专利

TWI273124B 表面處理用添加劑及由其所成表面處理用組成物、以及其用途 SURFACE TREATING ADDITIVE, SURFACE TREATING COMPOSITION THEREOF, AND ITS APPLICATION 失效
简体标题：表面处理用添加剂及由其所成表面处理用组成物、以及其用途 SURFACE TREATING ADDITIVE, SURFACE TREATING COMPOSITION THEREOF, AND ITS APPLICATION
公开(公告)号：TWI273124B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW089109042
申请日：2000-05-11
申请人：東曹股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：稻毛康二 , 奈良部仁 , 深町正人 , 堀靖史 , 中村總
IPC分类号： C09D
摘要：提供能維持已採用二氧化矽等的習用表面處理劑所具的表面改質效果，同時容易分散至表面處理劑中且保管時之再分散性優越，防止表面之缺落上優越的表面處理用添加劑。配合以平均粒徑0.1～40μm之聚氯乙烯樹脂粒子，此粒子之乾燥粉末100重量分及2，2，4－三甲基－1，3－戊二醇二異丁酯60重量分，採用溶解器式混合機於25℃以800rpm混練3分鐘時之樹脂平均粒子徑0.1～70μm，且其最大徑未滿150μm之聚氯乙烯樹脂粒子而成的表面處理用添加劑，於表面處理用組成物中使含有1～50重量％。
简体摘要：提供能维持已采用二氧化硅等的习用表面处理剂所具的表面改质效果，同时容易分散至表面处理剂中且保管时之再分散性优越，防止表面之缺落上优越的表面处理用添加剂。配合以平均粒径0.1～40μm之聚氯乙烯树脂粒子，此粒子之干燥粉末100重量分及2，2，4－三甲基－1，3－戊二醇二异丁酯60重量分，采用溶解器式混合机于25℃以800rpm混练3分钟时之树脂平均粒子径0.1～70μm，且其最大径未满150μm之聚氯乙烯树脂粒子而成的表面处理用添加剂，于表面处理用组成物中使含有1～50重量％。

50. 发明专利

TW200634034A 富馬酸二酯共聚物 FUMARIC DIESTER COPOLYMER 审中-公开
简体标题：富马酸二酯共聚物 FUMARIC DIESTER COPOLYMER
公开(公告)号：TW200634034A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094145280
申请日：2005-12-20
申请人：東楚股份有限公司 TOSOH CORPORATION
发明人：牧田健一 KENICHI MAKITA , 土井亨 TORU DOI
IPC分类号： C08F , C08J , G02B , G02F
CPC分类号： C08J5/18 , C08F220/28 , C08F222/04 , C08J2335/02 , Y10T428/261 , Y10T428/265
摘要：本發明提供，耐熱性、透明性優良之適於光學材料的新穎富馬酸二酯共聚物。係其特徵為由特定之富馬酸二酯餘基單元，與特定之具有氧呾基的(甲基)丙烯酸酯餘基單元及特定之具有四氫糠基的(甲基)丙烯酸酯餘基單元之至少其一(甲基)丙烯酸酯餘基單元構成，數量平均分子量在1,000～500,000之範圍的富馬酸二酯共聚物。
简体摘要：本发明提供，耐热性、透明性优良之适于光学材料的新颖富马酸二酯共聚物。系其特征为由特定之富马酸二酯余基单元，与特定之具有氧呾基的(甲基)丙烯酸酯余基单元及特定之具有四氢糠基的(甲基)丙烯酸酯余基单元之至少其一(甲基)丙烯酸酯余基单元构成，数量平均分子量在1,000～500,000之范围的富马酸二酯共聚物。

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