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    • 31. 发明申请
    • PHOTOCONDUCTIVE MEMBER
    • 光电会员
    • WO1982001261A1
    • 1982-04-15
    • PCT/JP1981000256
    • 1981-09-25
    • CANON KK
    • CANON KKINOUE ESHIRAI SSHIMIZU I
    • G03G05/08
    • G03G5/08235G03G5/08G03G5/08221
    • Un organe photo-conducteur qui comprend un support, une couche photo-conductrice comme base ayant des atomes de silicium et un materiau amorphe contenant soit des atomes d'hydrogene soit des atomes d'halogene, et une couche intermediaire formee entre la couche photo-conductrice et le materiau amorphe qui inhibe le flux des porteuses depuis le support dans la couche photo-conductrice, permet aux porteuses generees dans la couche photo-conductrice par radiation d'ondes electromagnetiques vers le support de passer au travers dans le support, et il est forme d'un materiau amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes d'azote comme composants. Organe photo-conducteur consistant en un support, une couche photo-conductrice ayant des atomes de silicium en tant que base et un materiau amorphe contenant soit des atomes d'hydrogene soit des atomes d'halogene, et une couche intermediaire formee entre les deux, la couche intermediaire etant formee d'un materiau amorphe contenant des atomes de silicium et des atomes d'azote comme composants.
    • 34. 发明申请
    • 電子写真感光体および該電子写真感光体を備える画像形成装置
    • 具有电摄影感光体的电子感光体和图像形成装置
    • WO2009028448A1
    • 2009-03-05
    • PCT/JP2008/065090
    • 2008-08-25
    • 京セラ株式会社石井 義伸
    • 石井 義伸
    • G03G5/08
    • G03G5/08228G03G5/08G03G5/08221G03G5/08235G03G5/08242G03G5/0825G03G5/08257G03G5/142G03G5/144G03G5/147
    • 【課題】形成される画像のコントラストを充分に維持しつつ、残留電位に起因する画質低下を抑制することが可能な負帯電用電子写真感光体を提供する。 【解決手段】本発明に係る負帯電用電子写真感光体10は、基体18と、アモルファスシリコン系化合物からなり且つ基体18上に形成される光導電層19Aと、該光導電層19A上に形成される電荷注入阻止層19Bと、該電荷注入阻止層19B上に形成される表面層19Cと、を有してなる。電荷注入阻止層19Bは、N,O,Cからなる群より選択される少なくとも一つの元素、および、第13属元素を含んでなる。電荷注入阻止層19Bの光吸収係数は光導電層19Aの光吸収係数より小さく、光導電層19Aの屈折率に対する電荷注入阻止層19Bの屈折率の差は0より大きく0.9以下である。
    • [问题]一种负充电电子照相感光体,其能够在充分保持形成图像的对比度的同时,防止归因于残留电位的图像质量的劣化。 解决问题的手段负电荷照相感光体(10)包括基底(18),由非晶硅化合物制成并形成在基底(18)上的光导电层(19A),电荷注入阻挡层(19B) )和形成在电荷注入阻挡层(19B)上的表面层(19C)。 电荷注入阻挡层(19B)含有选自N,O,C和13族元素中的至少一种元素。 电荷注入阻挡层(19B)的光吸收系数小于光电导层(19A)的光吸收系数,光导电层(19A)的折射率与电荷注入阻挡层(19B)的折射率之差 大于0且小于0.9。