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31. 发明申请

US20150167197A1 CRYSTAL PRODUCING APPARATUS, SiC SINGLE CRYSTAL PRODUCING METHOD, AND SiC SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：水晶生产设备，SiC单晶生产方法和SiC单晶
公开(公告)号：US20150167197A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：US14630607
申请日：2015-02-24
申请人： NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
发明人： Toru UJIHARA , Shunta HARADA , Kazuaki SEKI , Can ZHU , Mitsuya NAGAOKA
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B19/103 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/36
摘要： Provided is a crystal producing apparatus capable of producing a single crystal having excellent quality. The crystal producing apparatus for growing a single crystal on a crystal growth surface of a seed crystal in a raw material solution by a liquid phase growth method, includes: a liquid tub which accommodates a raw material solution; a crystal holding element which holds a seed crystal; and a solution flowing element which allows the raw material solution in the liquid tub to flow. Among these, the crystal holding element is able to hold the seed crystal in the liquid tub and is movable in at least a partial region on an xy plane perpendicular to a z-axis that extends in a depth direction of the liquid tub.
摘要翻译：提供一种能够生产具有优良品质的单晶的晶体制造装置。用于通过液相生长法在原料溶液中晶种生长表面上生长单晶的结晶产生装置包括：容纳原料溶液的液槽; 保持晶种的晶体保持元件; 以及允许液体桶中的原料溶液流动的溶液流动元件。其中，晶体保持元件能够将晶种保持在液槽中，并且能够在垂直于在液槽的深度方向上延伸的z轴的xy平面上的至少部分区域中移动。

32. 发明授权

US06846578B2 Method of colloid crystal growth on patterned surfaces 失效
标题翻译：在图案化表面上胶体晶体生长的方法
公开(公告)号：US06846578B2
公开(公告)日：2005-01-25
申请号：US10353071
申请日：2003-01-29
申请人： Eugenia Kumacheva , Edward H. Sargent , Robert Kori Golding , Mathieu Allard
发明人： Eugenia Kumacheva , Edward H. Sargent , Robert Kori Golding , Mathieu Allard
IPC分类号： C30B19/00 , C30B19/10 , C30B19/12 , B32B3/00 , C25D5/02
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/00 , C30B19/103 , C30B29/58 , Y10S428/926 , Y10S428/935 , Y10S977/951 , Y10T428/12063 , Y10T428/12472 , Y10T428/12993 , Y10T428/24802 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/269
摘要： Method of synthesis of confined colloidal crystals using electrodeposition. The present invention provides a method of growing confined colloidal crystal structures using electrodeposition of monodispersed charged colloid spheres onto a substrate patterned with an array of electroconductive surface relief features on a surface of a substrate. In this approach, control over large-scale ordering is achieved via a planar pattern whose scale is on the order of tens of microns, a regime readily accessed through coarse lithography, laser micromachining, and holography.
摘要翻译：使用电沉积法合成胶体晶体的方法。本发明提供了一种使用单分散带电胶体球体电沉积到基板表面上具有导电表面浮雕特征阵列图案化的基板上的密闭胶体晶体结构的方法。在这种方法中，大规模排序的控制是通过一个尺度在几十微米级的平面图形来实现的，一种容易通过粗光刻，激光微加工和全息照相的方案。

33. 发明授权

US4186045A Method of epitaxial growth employing electromigration 失效
标题翻译：采用电迁移的外延生长方法
公开(公告)号：US4186045A
公开(公告)日：1980-01-29
申请号：US846651
申请日：1977-10-28
申请人： Harry C. Gatos , Lubomir L. Jastrzebski
发明人： Harry C. Gatos , Lubomir L. Jastrzebski
IPC分类号： C30B19/10 , B01J17/04
CPC分类号： C30B19/103
摘要： A method of liquid phase epitaxial (LPE) growth of, for example, a semiconductor material or an oxide material whereby growth upon a seed in a seed-solution system is affected by passing electric current in an appropriate direction to effect migration of the materials to the growth interface or away from the interface and then cause deposition of desired materials upon said growth interface.
摘要翻译：例如，半导体材料或氧化物材料的液相外延（LPE）生长的方法，由此在种子溶液系统中的种子上的生长受到沿适当方向的通过电流的影响，以使材料迁移到生长界面或远离界面，然后在所述生长界面上引起所需材料的沉积。

34. 发明授权

US3948692A Method of preparing multi-layer semiconductor hetero-structures on the basis of compounds A.sup.III B.sup.V where A.sup.III is a metal of group three and B.sup.V is a non-metal of group five 失效
标题翻译：基于化合物A制备多层半导体异质结构的方法A {HU III {BB {HU V {B，其中A {HU III {B是第3族的金属和B {HU V {B是非 - 五组金属
公开(公告)号：US3948692A
公开(公告)日：1976-04-06
申请号：US482595
申请日：1974-06-24
申请人： Lev Vasilievich Golubev , Evgeny Fedorovich Korneev , Jury Vasilievich Shmartsev
发明人： Lev Vasilievich Golubev , Evgeny Fedorovich Korneev , Jury Vasilievich Shmartsev
IPC分类号： C30B19/10 , H01L21/208 , H01L7/38
CPC分类号： C30B19/106 , C30B19/103 , H01L21/02398 , H01L21/02549 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要： The method of preparing multi-layer semiconductor heterostructures on the basis of compounds A.sup.III B.sup.V, where A.sup.III is an element of the third group and B.sup.V is an element of the fifth group, consists in crystallization of layers of this heterostructure on a substrate from a liquid zone which is gallium or bismuth pre-saturated with compounds A.sup.III B.sup.V from a source which is a solid solution of compounds A.sup.III B.sup.V feeding the liquid zone with the material of the crystallizing layers.
摘要翻译：基于化合物AIIIBV制备多层半导体异质结构的方法，其中AIII是第三组的元素，BV是第五组的元素，其方法在于从液体区在基底上的该异质结构层的结晶其是来自源的化合物AIIIBV的镓或铋，其是将液体区域与结晶层的材料进料的化合物AIIIBV的固溶体。

35. 发明专利

JPS616606A Production of light guide 失效
标题翻译：生产指南
公开(公告)号：JPS616606A
公开(公告)日：1986-01-13
申请号：JP12792184
申请日：1984-06-21
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd
发明人： KAMATA OSAMU , TODA KAZUO , MORIZAKI SUMIKO , TSUJIMOTO YOSHINOBU
IPC分类号： C30B19/00 , C30B19/10 , G02B6/13
CPC分类号： C30B19/103 , G02B6/131
摘要： PURPOSE:To reduce the cost of a light guide and to obtain the light guide having an optional shape and optional refractive index distribution by changing the voltage to be impressed in the stage of epitaxial growth with time and forming an electrode into a stripe or opposed comb. shape. CONSTITUTION:Platinum is formed by electron beam vapor deposition over the entire one surface of a Gd3Ga5O12 substrate 2 to constitute the electrode 1 in order to form a two-dimensional light guide. The substrate 2 provided with the electrode 1 is inserted into a soln. 4 and is subjected to epitaxial growth. The voltage is impressed to a platinum crucible 3 side as a positive electrode and the electrode 1 side as a negative electrode from a device 5 right after the start of the growth. The voltage is successively increased according to the function conforming to the desired refractive index distribution. Since the Ga in the soln. is positive ion, the Ga is attracted to toward the negative electrode, by which the quantity to be taken into the grown crystal is increased; namely, the coefft. of effective segregation is increased. The change rate thereof is controllable by the magnitude of the impressed voltage. The change in the impressed voltage with time is converted to a change in the content of the Ga in the thickness direction of the grown crystal, by which the refractive index is decreased in the thickness direction. The graded index type two-dimensional light guide 6 is thus realized.
摘要翻译：目的：为了降低光导的成本，并通过随时间改变在外延生长阶段中施加的电压，并且将电极形成为条状或相对的梳子，获得具有任选形状和可选的折射率分布的光导。形状。构成：为了形成二维导光体，在Gd3Ga5O12基板2的整个表面上通过电子束气相沉积形成铂以构成电极1。设置有电极1的基板2插入到溶胶中。并进行外延生长。在开始生长之后，将电压施加到作为正极的铂坩埚3侧和来自器件5的电极1侧作为负极。根据符合所需折射率分布的功能，电压依次增加。自从Ga在soln。是正离子，Ga被吸引到负极，通过该负极，待进入生长晶体的量增加; 即系统。的有效隔离增加。其变化率由外加电压的大小控制。随着时间的推移电压的变化被转换为生长晶体的厚度方向的Ga含量的变化，由此折射率在厚度方向上减小。从而实现了分级折射率二维光导6。

36. 发明专利

JP5981868B2 摺動部材およびすべり軸受有权
标题翻译：一种滑动部件和滑动轴承
公开(公告)号：JP5981868B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2013072010
申请日：2013-03-29
申请人：大豊工業株式会社
发明人：和田仁志
IPC分类号： F16C17/02 , F16C33/14 , F16C33/12
CPC分类号： F16C33/122 , B32B15/01 , C22C12/00 , C22C9/02 , C30B19/103 , C30B29/02 , C30B30/02 , C30B7/12 , F16C17/02 , F16C33/12 , F16C33/14

37. 发明专利

JP2014196762A 摺動部材およびすべり軸受有权
标题翻译：滑动构件和滑动轴承
公开(公告)号：JP2014196762A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2013072010
申请日：2013-03-29
申请人：大豊工業株式会社 , Taiho Kogyo Co Ltd
发明人： WADA HITOSHI
IPC分类号： F16C33/12 , F16C17/02 , F16C33/14
CPC分类号： F16C33/122 , B32B15/01 , C22C9/02 , C22C12/00 , C30B7/12 , C30B19/103 , C30B29/02 , C30B30/02 , F16C17/02 , F16C33/12 , F16C33/14 , F16C2202/04 , F16C2204/10 , F16C2204/36 , F16C2223/30
摘要：【課題】軟質層の密着性を向上させる技術を提供する。【解決手段】本発明の摺動部材およびすべり軸受は、マトリクス中に、前記マトリクスよりも軟らかい軟質材料で構成される軟質粒子が析出した基層と、前記軟質粒子と同一の軟質材料によって前記基層の表面上に形成された軟質層と、を備える。前記軟質層は、前記軟質粒子から前記軟質材料がエピタキシャル成長したエピタキシャル成長部を含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高软质层的粘附性的技术。滑动构件和滑动轴承包括：基底层，其上沉积有比基质柔软的软质材料构成的软质粒子，并且由与软质粒子相同的软质材料构成的软层，形成在基层的表面上。软层包括外延生长的部分，其中软材料从软颗粒外延生长。

38. 发明公开

KR1020160108887A 탄화규소 단결정의 성장 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于生长碳化硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160108887A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150032248
申请日：2015-03-09
申请人： 에스케이이노베이션 주식회사
发明人： 홍성완 , 배흥택
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/103 , C30B29/36
摘要： 본발명은종자정연결봉에부착된종자정을도가니에담긴 Si 및 C를포함하는용융액에종자정의성장면이접하도록하는단계; 및종자정및 도가니에직류전류를인가하는단계;를포함하는탄화규소단결정성장방법에관한것이다. 또한, Si 및 C를포함하는원료가담기는도가니, 도가니를둘러싸는저항가열기, 도가니의상부에위치하며, 종자정연결봉에의해상하로움직이는종자정, 및종자정에애노드가, 도가니에캐소드가연결되는직류전원장치를포함하는탄화규소단결정성장장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生长碳化硅单晶的方法，其包括以下步骤：使种子连接杆附着的种子能够与包含存储在其中的Si和C的熔融溶液中的种子生长表面相邻一个坩埚并向种子和坩埚施加直流电流。另外，本发明涉及用于生长碳化硅单晶的装置，其包括：坩埚，其中存储包含Si和C的原料; 用于覆盖坩埚的电阻加热器; 种子位于坩埚的上部单元上，并通过种子连接杆上下移动; 以及用于将阳极与种子和阴极连接到坩埚的直流电力装置。

39. 发明专利

JP6014722B2 金属酸化物タイプまたは半導体タイプの物質からなる膜またはウエハをナノ構造化する方法有权
标题翻译：如何纳米结构由金属氧化物型半导体或类型材料的膜或晶片
公开(公告)号：JP6014722B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2015117358
申请日：2015-06-10
申请人：ユニヴェルシテドゥテクノロジードゥトロワイ , UNIVERSITE DE TECHNOLOGIE DE TROYES
发明人：ルロンデル,ジル , ディヴェイ,ロラン
IPC分类号： G03F7/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/306
CPC分类号： C30B7/005 , C30B19/103 , C30B29/16 , C30B29/605 , C30B29/62 , G03H1/0244 , H01L21/30604 , H01L21/465 , G03H2001/0268 , G03H2001/0413 , G03H2001/0432 , G03H2210/63

40. 发明专利

JP2015222815A 金属酸化物タイプまたは半導体タイプの物質からなる膜またはウエハをナノ構造化する方法有权
标题翻译：制备金属氧化物类型或半导体类型的材料的膜或形成方法具有纳米结构
公开(公告)号：JP2015222815A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2015117358
申请日：2015-06-10
申请人：ユニヴェルシテドゥテクノロジードゥトロワイ , UNIVERSITE DE TECHNOLOGIE DE TROYES
发明人：ルロンデル,ジル , ディヴェイ,ロラン
IPC分类号： G03F7/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/306
CPC分类号： C30B7/005 , C30B19/103 , C30B29/16 , C30B29/605 , C30B29/62 , G03H1/0244 , H01L21/30604 , H01L21/465 , G03H2001/0268 , G03H2001/0413 , G03H2001/0432 , G03H2210/63
摘要：【課題】膜状またはウエハ状の物質をナノ構造化する方法を提供する。【解決手段】ZnO薄膜2を水溶液3に浸漬させている間に、照明領域及び暗領域を有する干渉模様を該膜2の少なくとも1つの面につけるステップを含む。ZnO薄膜2は、光吸収作用によって水溶液に溶解可能になる酸化物である。ZnO薄膜2のナノ構造化を、水溶液3に接触するZnO薄膜2の表面で、該照明領域での光分解によって及び該干渉模様の暗領域での成長によって行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使膜状或晶片状物体具有纳米结构的方法。方法：该方法包括在至少一个表面上制造具有照明区域和暗区域的干涉条纹的步骤的ZnO薄膜2，同时将膜2浸入水溶液3中。ZnO薄膜2是通过光吸收作用变得可溶于水溶液3的氧化物。 ZnO薄膜2通过在照射区域中的光分解或通过在与水溶液3接触的ZnO薄膜2的表面上的黑色区域中的干涉条纹的生长而纳米结构化。

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