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    • 31. 发明授权
    • Plasma coatings and method of making the same
    • 等离子涂层及其制造方法
    • US08197909B2
    • 2012-06-12
    • US12198180
    • 2008-08-26
    • Larry P. HaackAnn Marie Straccia
    • Larry P. HaackAnn Marie Straccia
    • B05D1/02
    • C23C4/127B05D1/02B05D1/62C23C4/134Y10T428/24802Y10T428/31504Y10T428/31663
    • According to at least one aspect of the present invention, a method is provided for forming a polymerized coating on a surface of a substrate. In at least one embodiment, the method comprises providing a plasma gun having an outlet; introducing a pre-polymer molecule into the outlet of the plasma gun to form a number of fragments of the pre-polymer molecule as a plasma output including a direct-spray component and an over-spray component; at least partially isolating the direct-spray component and the over-spray component from each other to respectively obtain an isolated directed-spray component and an isolated over-spray component; and depositing at least a portion of the isolated direct-spray component and the isolated over-spray component onto the surface of the substrate through the outlet to form a base polymerized coating. The plasma gun is optionally operated at atmospheric pressure.
    • 根据本发明的至少一个方面,提供了一种在基材表面上形成聚合涂层的方法。 在至少一个实施例中,该方法包括提供具有出口的等离子体枪; 将前体聚合物分子引入等离子体枪的出口以形成预聚物分子的许多片段作为包括直接喷射组分和过度喷射组分的等离子体输出; 至少部分地将直接喷射组分和过度喷射组分彼此分离,以分别获得分离的定向喷射组分和分离的过度喷射组分; 以及通过出口将分离的直接喷射组分和分离的过度喷涂组分的至少一部分沉积到衬底的表面上以形成基底聚合涂层。 等离子体枪可选地在大气压下操作。
    • 38. 发明公开
    • PLASMA-KINETIC SPRAY APPARATUS&METHOD
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM PLASMA-KINETISCHENSPRÜHEN
    • EP3105363A4
    • 2017-03-29
    • EP15748806
    • 2015-02-06
    • FLAME-SPRAY IND INC
    • KOWALSKY KEITHBERGHORN CHRISTOPHER RMARANTZ DANIEL RCOOK DAVID RCONTI JOHNSCHNEIDER RAYMOND M
    • C23C4/134B05B7/22C23C24/04H05H1/42
    • C23C4/127B05B7/226C23C4/134C23C24/04H05H1/34H05H1/42H05H2001/3484
    • A coating system that applies a coating of particles to a surface of an article. The coating system comprises a hybrid plasma torch which may include a cathode, a first plasma gas chamber, a first mixing chamber, a plasma generator for generating an arc column of plasma, a second mixing chamber for mixing a main gas, an at least partially ionized first plasma gas and a second gas that was mixed in the first mixing chamber, wherein the second mixing chamber is dimensioned to receive a plurality of powder particles suspended in a carrier gas, and an accelerator assembly for accelerating the mixture of the main gas, the at least partially ionized first plasma gas, the second plasma gas and the powder particles into a high-velocity stream and for directing the high-velocity stream against the surface of the article. A method of applying the coating of particles is also provided.
    • 涂覆系统,其将颗粒涂层施加到制品的表面。 涂覆系统包括混合等离子体焰炬,其可以包括阴极,第一等离子体气体室,第一混合室,用于产生等离子体的电弧柱的等离子体发生器,用于混合主气体的第二混合室,至少部分地 离子化的第一等离子体气体和在第一混合室中混合的第二气体,其中第二混合室的尺寸被设计成容纳悬浮在载气中的多个粉末颗粒,以及加速器组件,用于加速主气体, 所述至少部分电离的第一等离子体气体,所述第二等离子体气体和所述粉末颗粒转化成高速流并将所述高速流引导到所述制品的表面。 还提供了施加颗粒涂层的方法。
    • 39. 发明公开
    • Plasma-Beschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Plasma-Beschichtung eines Substrats
    • VERFAHREN ZUR PLASMA-BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG等离子体BESCHICHTUNG EINES SUBSTRATS
    • EP2682501A1
    • 2014-01-08
    • EP13174499.7
    • 2013-07-01
    • Reinhausen Plasma GmbH
    • Nettesheim, Stefan
    • C23C16/448B05B7/14B05B12/14C23C4/12C23C16/513
    • C23C4/127B05B7/1472B05B7/226B05B14/43C23C4/134C23C16/4486C23C16/513
    • Zur homogenen Beschichtung eines Substrates (12) werden eine Plasma-Beschichtungsvorrichtung (10) und ein Verfahren zur Plasmabeschichtung vorgeschlagen. Diese weist ein Partikelreservoir (14), eine Dosiervorrichtung (16) zum Dosieren von im Partikelreservoir (14) untergebrachten Partikeln (15), eine Transportleitung (18) und eine Prozesskammer (20) auf. In der Prozesskammer (20) herrscht ein Prozesskammerdruck (P1) und in dem Partikelreservoir (14) ein Partikelreservoirdruck (P2), wobei der Prozesskammerdruck (P1) kleiner ist, als der Partikelreservoirdruck (P2).
    • 等离子体涂覆装置包括用于计量容纳在储存器(14)中的颗粒的计量装置,输送管线,全封闭处理室(30)和连接到处理室的抽吸泵(30)。 在处理室和颗粒储存器之间调节压力梯度。 处理室具有30毫巴的处理室压力,并且颗粒储存器的颗粒储层压力为900-1500mbar。 等离子体涂覆装置包括用于计量容纳在储存器(14)中的颗粒的计量装置,输送管线,全封闭处理室(30)和连接到处理室的抽吸泵(30)。 在处理室和颗粒储存器之间调节压力梯度。 处理室具有30毫巴的处理室压力,并且颗粒储存器的颗粒储层压力为900-1500mbar。 通过从颗粒储存器到等离子体焰炬涂层的输送管线的颗粒的进料速率在处理室中被精确地调节。 输送线防止机械或气动诱导的颗粒聚集体。 计量装置位于计量室(11)中,并通过输送管线连接到处理室。 处理室在功能上与计量室分离,并且包括与抽吸泵相关联的吸入管线。 计量装置包括可移动的抽吸喷枪,其延伸到颗粒储存器中并连接到输送管线。 该装置还包括设置在抽吸泵的上游的节流阀,布置在节流阀和抽吸泵之间的过滤器。 计量室包括一个额外的支撑泵。 输送线设置有包括支撑泵或节流阀的输送线元件。 包括用于等离子体涂覆基板的方法的独立权利要求。