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31. 发明授权

CN103608484B 用于气相沉积应用的测量设备和方法失效转让
公开(公告)号：CN103608484B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280030459.5
申请日：2012-04-16
申请人： OLED工厂有限责任公司
发明人： J.克里內 , J.埃塞
IPC分类号： C23C14/54
CPC分类号： H01L22/12 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C14/545 , C23C14/546 , C23C14/547 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C16/45565 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , H01L22/26 , H01L51/001 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在其中有必要在特定公差内测量和/或控制蒸发源的沉积速率的气相沉积应用中，特别是OLED大规模生产中，测量系统被适配成在高和低的速率源处使用鲁棒且准确的光学厚度测量方法，以便沉积在衬底上的层的厚度能够被测量和控制。第一蒸发源(11)将材料的层沉积在衬底(20)上。移动元件(41)被提供，在所述移动元件(41)上，薄膜从第二蒸发源(12b)被沉积在沉积位置(D1)中。随后，所述移动元件被输送到测量位置(D2)，其中所述薄膜的厚度被厚度检测器(45)测量。所述测量设备被布置成依赖于沉积在所述移动元件上的所述薄膜的厚度来控制所述第一蒸发源的沉积。

32. 发明公开

CN105624612A 应用于蒸发镀膜的金属蒸发装置无效
公开(公告)号：CN105624612A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610186047.0
申请日：2016-03-29
申请人：苏州方昇光电装备技术有限公司
发明人：廖良生 , 武启飞 , 陈敏
IPC分类号： C23C14/26 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/26 , C23C14/543
摘要：本发明揭示了应用于蒸发镀膜的金属蒸发装置，包括陶瓷封接电极和金属蒸发主体，其中，金属蒸发主体包括由复数支撑丝杆贯穿至少三片氧化铝陶瓷片形成的主体支架，主体支架外套有陶瓷管，其一氧化铝陶瓷片上贯穿设置有电极柱，另一氧化铝陶瓷片设置坩埚，加热丝缠绕相邻两氧化铝陶瓷片之间，并且加热丝轴向围绕坩埚的外壁，陶瓷封接电极与电极柱相导通连接。本发明采用钽加热丝或钨加热丝作为加热介质，可以达到较高温度，加热速度快，耗能低；增设了热电偶，能在加热过程中直观的监测温度，有利于控制材料的蒸发；坩埚内蒸发材料与加热丝无接触，增加了使用寿命；具有钽箔层，起到保温隔温的作用，降低加热过程中的热能损耗。

33. 发明授权

CN103476964B 具有测量单元的蒸发系统失效
公开(公告)号：CN103476964B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280018968.6
申请日：2012-04-03
申请人：应用材料公司
发明人： U·霍夫曼
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/24
CPC分类号： B05D1/60 , B05B1/005 , B05B1/20 , B05B1/24 , C23C14/243 , C23C14/543 , H01L51/0008
摘要：描述了一种蒸发器，所述蒸发器用于将材料蒸发到基板上。所述蒸发器包括导向装置，所述导向装置用于引导材料朝向至少一个开式喷嘴。所述导向装置包括用于材料的一部分的测量出口。所述蒸发器进一步包括第一测量系统及第二光学测量系统，所述第一测量系统配置用于产生与蒸发器沉积速率有关的第一信号并且具有第一检测器，所述第一检测器定位为由材料涂敷，所述第二光学测量系统用于产生与蒸发器沉积速率有关的第二信号，并且其中第二信号基于测量出口处的所述材料的所述部分。

34. 发明公开

CN105349960A 一种遮挡装置及其遮挡方法和蒸镀系统有权
公开(公告)号：CN105349960A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510707125.2
申请日：2015-10-27
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：付文悦 , 陈立强 , 冯长海
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/12
CPC分类号： C23C14/543 , C23C14/12
摘要：本发明提供一种遮挡装置及其遮挡方法和蒸镀系统。该遮挡装置包括动力机构和遮挡机构，动力机构用于带动遮挡机构在蒸镀速率控制阶段和蒸镀阶段变换不同位置，遮挡机构用于在蒸镀速率控制阶段遮挡蒸镀源与待镀基板之间的蒸镀通道，并保持蒸镀源与蒸镀速率感应器之间的蒸镀通道开启；还用于在蒸镀阶段开启蒸镀源与待镀基板之间的蒸镀通道，并继续保持蒸镀源与蒸镀速率感应器之间的蒸镀通道开启。该遮挡装置实现了蒸镀的连续性控制，不仅缩短了蒸镀时间，而且节约了蒸镀材料，从而不仅提高了产能，而且节约了成本，同时还提高了蒸镀的稳定性和良率。

35. 发明公开

CN104278249A 坩埚材料量检测装置、方法及蒸镀机无效
公开(公告)号：CN104278249A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310275092.X
申请日：2013-07-02
申请人：上海和辉光电有限公司
发明人：林进志 , 周皓煜 , 黄俊允
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/543 , C23C14/24
摘要：本发明公开了一种坩埚材料量检测装置、方法及蒸镀机，所述坩埚材料量检测装置包括：称量模块，包括设置于坩埚底部的多个传感器，用于感测所述坩埚的重量；运算模块，用于接收所述多个传感器传送的感测数据，计算所述坩埚内的剩余材料量；控制模块，用于将所述运算模块计算所得的剩余材料量与设定的剩余材料量比较，当计算所得的剩余材料量小于设定的剩余材料量时，发出一控制指令。本发明能够精准检测坩埚内所剩材料量。

36. 发明公开

CN103476964A 具有测量单元的蒸发系统失效
公开(公告)号：CN103476964A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280018968.6
申请日：2012-04-03
申请人：应用材料公司
发明人： U·霍夫曼
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/24
CPC分类号： B05D1/60 , B05B1/005 , B05B1/20 , B05B1/24 , C23C14/243 , C23C14/543 , H01L51/0008
摘要：本发明描述了一种蒸发器，所述蒸发器用于将材料蒸发到基板上。所述蒸发器包括导向装置，所述导向装置用于引导材料朝向至少一个开式喷嘴。所述导向装置包括用于材料的一部分的测量出口。所述蒸发器进一步包括第一测量系统及第二光学测量系统，所述第一测量系统配置用于产生与蒸发器沉积速率有关的第一信号并且具有第一检测器，所述第一检测器定位为由材料涂敷，所述第二光学测量系统用于产生与蒸发器沉积速率有关的第二信号，并且其中第二信号基于测量出口处的所述材料的所述部分。

37. 发明公开

CN103154305A 成膜装置和成膜材料供给方法无效
公开(公告)号：CN103154305A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048262.X
申请日：2011-10-03
申请人：东京毅力科创株式会社
发明人：小野裕司 , 林辉幸 , 金子裕是
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50
CPC分类号： C23C14/24 , C03C17/002 , C23C14/543 , H01L51/0008
摘要：本发明提供能够抑制蒸气产生部内部的压力上升和温度上升，能够进行精密的温度控制的成膜装置。对玻璃基板（G）进行成膜处理的成膜装置具有：収容玻璃基板（G）的处理室（5）；通过对成膜材料进行加热，产生该成膜材料的蒸气的蒸气产生部（1）；用于将在蒸气产生部（1）中产生的成膜材料的蒸气与运载气体一起输送到处理室（5）的输送路径（21）；排气路径（22）；设置在输送路径途中的调节阀装置（31）；和设置在排气路径（22）途中的排气阀装置（32）；对蒸气产生部（1）的温度进行检测的材料温度检测部（64）；第一蒸气量检测部（23）；和控制部（8），在对成膜材料进行加热时，根据蒸气产生部（1）的温度的高低，对排气阀装置（32）的开关动作进行控制，在将成膜材料向上述处理室输送时，在由第一蒸气量检测部（23）检测出的蒸气量稳定时，关闭排气阀装置（32），打开调节阀装置（31）。

38. 发明申请

WO2019000484A1 蒸发源加热系统审中-公开
公开(公告)号：WO2019000484A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/CN2017/092255
申请日：2017-07-07
申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人：姜亮
IPC分类号： C23C14/26 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/26 , C23C14/543
摘要：一种蒸发源加热系统，包括真空的加热容器(10)、绕所述加热容器(10)外周面设置的第一加热源(20)以及设于所述加热容器(10)内的均热层(30)，所述均热层(30)与所述加热容器(10)内壁相对设置，以均匀传导所述加热容器(10)内壁发出的热量。通过在蒸发源加热系统的加热容器(10)内设置有均热层(30)，一方面避免了局部温度过高引起的材料裂解的风险，另一方面也提高了加热均匀性。另外，通过对加热容器内的均热层(30)进行加热，大幅缩短了实现均匀加热所需的时间，也更方便实时控制系统的加热状态。

39. 发明申请

WO2012143840A1 MEASUREMENT DEVICE AND METHOD FOR VAPOUR DEPOSITION APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于蒸发沉积应用的测量装置和方法
公开(公告)号：WO2012143840A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/IB2012/051871
申请日：2012-04-16
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH , KRIJNE, Johannes , ESER, Jürgen
发明人： KRIJNE, Johannes , ESER, Jürgen
IPC分类号： C23C14/54
CPC分类号： H01L22/12 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C14/545 , C23C14/546 , C23C14/547 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C16/45565 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , H01L22/26 , H01L51/001 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In vapour deposition applications, especially OLED mass production, where it is necessary to measure and/or control the deposition rate of evaporation sources within specific tolerances, a measurement system is adapted to use robust and accurate optical thickness measurement methods at high and low rate sources, so that the thickness of a layer deposited on a substrate can be measured and controlled. A first evaporation source (11) deposits a layer of material on a substrate (20). A mobile element (41) is provided, On which a film is deposited from a second evaporation source (12b) in a deposition location (D1). Subsequently the mobile element is conveyed to a measurement location (D2) where the thickness of the film is measured by a thickness detector (45).The measurement apparatus is arranged to control the deposition of the first evaporation source in dependence on the thickness of the film deposited on the mobile element.
摘要翻译：在气相沉积应用中，特别是OLED大规模生产中，需要在特定公差范围内测量和/或控制蒸发源的沉积速率，测量系统适用于在高和低速率源下使用鲁棒且准确的光学厚度测量方法，从而可以测量和控制沉积在基底上的层的厚度。第一蒸发源（11）将一层材料沉积在基底（20）上。提供了一种移动元件（41），其中在沉积位置（D1）中从第二蒸发源（12b）沉积膜。随后，将移动元件输送到测量位置（D2），其中膜的厚度由厚度检测器（45）测量。测量装置被布置成根据第二蒸发源的厚度来控制第一蒸发源的沉积胶片沉积在移动元件上。

40. 发明申请

WO01040539A2 METHOD AND SYSTEM RELATING TO FLUX DISTRIBUTION AND FILM DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：与流量分布和膜沉积相关的方法和系统
公开(公告)号：WO01040539A2
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：PCT/US2000/032764
申请日：2000-12-01
IPC分类号： C23C14/54 , G02B1/10
CPC分类号： C23C14/54 , C23C14/543 , C23C14/545 , G02B1/10
摘要： A method and system for producing a thin film with highly uniform (or highly accurate custom graded) thickness on a flat or graded substrate (such as concave or convex optics), by sweeping the substrate across a vapor deposition source with controlled (and generally, time-varying) velocity. In preferred embodiments, the method includes the steps of measuring the source flux distribution (using a test piece that is held stationary while exposed to the source), calculating a set of predicted film thickness profiles, each film thickness profile assuming the measured flux distribution and a different one of a set of sweep velocity modulation recipes, and determining from the predicted film thickness profiles a sweep velocity modulation recipe which is adequate to achieve a predetermined thickness profile. Aspects of the invention include a practical method of accurately measuring source flux distribution, and a computer-implemented method employing a graphical user interface to facilitate convenient selection of an optimal or nearly optimal sweep velocity modulation recipe to achieve a desired thickness profile on a substrate. Preferably, the computer implements an algorithm in which many sweep velocity function parameters (for example, the speed at which each substrate spins about its center as it sweeps across the source) can be varied or set to zero.
摘要翻译：通过将衬底穿过气相沉积源（通常在其上，通常用于生产具有高度均匀（或高度准确的定制分级）厚度的薄膜的方法和系统，该平板或渐变衬底（例如凹形或凸形光学器件）时变）速度。在优选实施例中，该方法包括以下步骤：测量源通量分布（使用在暴露于源时保持静止的测试件），计算一组预测的膜厚度分布，每个薄膜厚度分布假设测量的磁通分布;以及一组扫描速度调制配方中的不同的一个，并且从预测的膜厚度分布确定足以实现预定厚度分布的扫描速度调制配方。本发明的方面包括精确测量源通量分布的实用方法，以及采用图形用户界面的计算机实现的方法，以促进方便地选择最佳或近似最佳的扫描速度调制配方以在衬底上实现期望的厚度分布。优选地，计算机实现了一种算法，其中许多扫描速度函数参数（例如，每个基板绕其中心旋转，当其扫过源时的速度）可以被改变或设置为零。

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