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    • 39. 发明申请
    • ジアリールアミンノボラック樹脂
    • 二胺氯酚树脂
    • WO2013047516A1
    • 2013-04-04
    • PCT/JP2012/074551
    • 2012-09-25
    • 日産化学工業株式会社
    • 坂本 力丸染谷 安信橋本 圭祐西巻 裕和
    • C08G16/02G03F7/11H01L21/027
    • H01L21/3081C08G12/08C08G73/026C08G73/0273C08G73/0672C08L61/22C08L79/02C08L79/04C09D161/22C09D179/02C09D179/04G03F7/091G03F7/094
    • 【課題】 新規なフェニルナフチルアミンノボラック樹脂等のジアリールアミンノボラック樹脂、更には該樹脂を用いた半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1):(式(1)中、Ar 1 、及びAr 2 はそれぞれベンゼン環、又はナフタレン環を示す)で示される単位構造(A)を含むポリマー。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
    • [问题]提供一种新型的二芳基胺酚醛清漆树脂,例如苯基萘胺酚醛树脂,并提供用于形成抗蚀剂下层膜的组合物,用于使用上述树脂的半导体器件的光刻工艺中。 [溶液]包含由式(1)表示的结构单元(A)(式(1)中的Ar 1和Ar 2分别表示苯环和萘环的聚合物)。 一种半导体器件的制造方法,该方法包括:通过用于形成抗蚀剂下层膜的组合物在半导体衬底上形成下层膜的步骤; 在薄膜上形成硬掩模的步骤; 在硬掩模上形成抗蚀剂膜的步骤; 通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的步骤; 用于通过抗蚀剂图案蚀刻硬掩模的步骤; 通过图案化的硬掩模蚀刻下层膜的步骤; 以及通过图案化的底层膜来完成半导体衬底的步骤。