专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明申请

WO2005013379A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片，各种
公开(公告)号：WO2005013379A2
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/DE2004/001593
申请日：2004-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker
发明人： HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/005 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfaren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips, die jeweils eine Vielzahl von Strukturelementen mit jeweils mindestens einer Halbleiterschicht aufweisen. Bei dem Verfahren wird eine Chipverbund-Basis bereitgestellt, die ein Substrat sowie eine Aufwachsoberfläche aufweist. Auf der Aufwachsoberfläche wird eine Maskenmaterialschicht ausgebildet, die eine Vielzahl von Fenstern aufweist, von denen die meisten eine mittlere Ausdehnung von kleiner als oder gleich 1 µm aufweisen. Dabei wird ein Maskenmaterial derart gewählt, dass sich ein in einem späteren Verfahrensschritt aufzuwachsendes Halbleitermaterial der Halbleiterschicht auf diesem im Wesentlichen nicht oder im Vergleich zur Aufwachsoberfläche wesentlich schlechter aufwachsen lässt. Nachfolgend werden Halbleiterschichten im Wesentlichen gleichzeitig auf innerhalb der Fenster liegende Bereiche der Aufwachsoberfläche abgeschieden. Ein weiterer Verfahrensschritt ist das Vereinzeln der Chipverbund-Basis mit aufgebrachtem Material zu Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft zudem ein nach dem Verfahren hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauelement.
摘要翻译：本发明涉及一种Verfaren用于生产具有多个结构构件的每一个具有至少一个半导体层的光电子半导体芯片每一个的多个。在该方法中，提供了一种复合体基板芯片，其包括衬底和生长的表面。在生长表面上，形成掩模材料层具有小于或等于1微米最的平均尺寸的多个的窗口。在这种情况下，掩模材料被选择为使得在稍后的处理的步骤aufzuwachsendes所述半导体层的所述半导体材料上基本上都不说，或相比于生长表面可以长差得多。随后，将生长面的半导体层同时处于基本上位于沉积在窗口区域内。另一步骤是用材料的芯片复合体基板施加到半导体芯片的分离。本发明还涉及根据该方法光电子半导体器件所产生的材料。

32. 发明申请

WO2008077380A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件
公开(公告)号：WO2008077380A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/DE2007/002263
申请日：2007-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Licht emittierende Vorrichtung vor, die eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge und einen elongierten gekrümmten Lichtleitkörper (20) umfasst, in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出一种发光装置，该装置包括一个辐射源（5），用于发射（11），其耦合由辐射源发射的辐射到其中的辐射（11）的至少第一波长和细长弯曲导光体（20）是与以一个角度其纵向轴线具有第一波长的光耦合输出（12）耦合的辐射（11）的基础上。

33. 发明申请

WO2007025499A1 VERFAHREN ZUM LATERALEN ZERTRENNEN EINES HALBLEITERWAFERS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法左右分割的半导体晶片及光电子器件
公开(公告)号：WO2007025499A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001377
申请日：2006-08-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
发明人： HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/0201 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers (1) umfasst die Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3), die eine funktionelle Halbleiterschicht (5) umfasst, auf das Aufwachssubstrat (2), Aufbringen einer Maskenschicht (10) auf Teilbereiche der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung maskierter Bereiche (11) und unmaskierter Bereiche (12), Implantation von Ionen durch die unmaskierten Bereiche (12) Erzeugung von Implantationsbereichen (13) in dem Halbleiterwafer (1), und Zertrennen des Halbleiterwafers (1) entlang der Implantationsbereiche (13), wobei das Aufwachssubstrats (2) oder zumindest eines Teils des Aufwachssubstrats (2) von dem Halbleiterwafer abgetrennt wird.
摘要翻译：为左右分割的半导体晶片（1）的发明方法包括以下步骤：提供一生长衬底（2）上外延生长的半导体层序列（3），其包括功能性半导体层（5）在生长衬底上（2），施加掩模层（ 10）（在半导体层序列（3的部分区域），用于通过未掩盖部分，在半导体晶片（1）生成掩蔽区域11）和未掩蔽区域（12），注入离子的（12）代注入区域（13）的，并且将所述半导体晶片（1）沿着所述注入区域（13），其中生长衬底（2），或者至少在生长衬底的一部分（2）被从半导体晶片分离。

34. 发明申请

WO2006034703A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND GEHÄUSE FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电元件和住房的光电子器件
公开(公告)号：WO2006034703A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/DE2005/001735
申请日：2005-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker
发明人： HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1), der geeignet ist, elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, einem Gehäusegrundkörper (3), der eine Ausnehmung (31) zur Aufnahme des Halbleiterchips (1) und elektrische Anschlussleitungen (32, 33) zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips (1) aufweist, die jeweils einerseits mit elektrischen Kontakten (11,12) des Halbleiterchips (1) elektrisch leitend verbunden sind und jeweils andererseits eine von außen kontaktierbare Anschlussfläche (34,35) aufweisen, und einem Chipverkapselungselement (4), das den Halbleiterchip (1) in der Ausnehmung umschließt. Der Gehäusegrundkörper (3) ist zumindest für einen Teil der Primärstrahlung zumindest teilweise durchlässig und eine optische Achse (13) des Halbleiterchips (1) verläuft durch den Gehäusegrundkörper (3), so dass ein Großteil der vom Halbleiterchip (1) ausgesandten Primärstrahlung in den Gehäusegrundkörper (3) eingestrahlt wird. Der Gehäusegrundkörper (3) umfasst ein Lumineszenzkonversionsmaterial (5), das geeignet ist, zumindest einen Teil der Primärstrahlung in Sekundärstrahlung (6) mit gegenüber der Primärstrahlung zumindest teilweise geänderten Wellenlängen zu konvertieren, und emittiert im Betrieb des Bauelements Mischstrahlung, die durch den Gehäusegrundkörper (3) hindurchtretende Primärstrahlung und vom Lumineszenzkonversionsmaterial (5) emittierte Sekundärstrahlung (6) umfasst.
摘要翻译：具有半导体芯片（1），其适合用于发射电磁初级辐射光电子器件，壳体基体（3）具有用于接收半导体芯片的凹部（31）（1）和电连接线（32，33），用于将半导体芯片电连接（1）每一个都具有一个侧面与半导体芯片（1）的电触头（11,12）被导电地连接在另一方面每种情况下具有一个外部接触垫（34,35），和一个Chipverkapselungselement（4）连接所述半导体芯片（1）在所述凹部包围。基础壳体主体（3）是至少部分透明的至少为初级辐射（13）的半导体芯片（1）通过壳体基体（3）穿过的一部分和光轴，使得半导体芯片的一大部分（1）所发射的初级辐射到壳体主体（3）照射。基础壳体主体（3）包括一发光转换材料（5），其能够至少一个相对于所述初级辐射的初级辐射的部分为次级辐射（6）中的至少部分改性的波长转换，并在组件的操作发出发射混合辐射，其（通过基本外壳主体包括3）使由发光发射的初级辐射和（5）的二次辐射（6）。

35. 发明申请

WO2003026029A1 STAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： STAHLUNGSEMITTIERENDES半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2003026029A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003199
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
发明人： BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine strahlungserzeugende aktive Schicht (9) und eine p-leitende Kontaktschicht (2) aufweist, die InGaN oder AlInGaN enthält und auf die eine Kontaktmetallisierung (3) aufgebracht ist. Weiterhin beschreibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体元件，在有源层，其包括半导体本体（1），设置有（9）产生辐射和一个p类型传导接触层（2），其含有的InGaN或AlInGaN层和其上施加了接触金属化（3）。本发明因此涉及用于制造搜索的半导体部件的方法。

36. 发明申请

WO2008000222A1 ANORDNUNG MIT EINEM LICHTLEITER 审中-公开
标题翻译：具有光导向装置
公开(公告)号：WO2008000222A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/DE2007/001060
申请日：2007-06-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： G01M11/00 , G01M11/08
CPC分类号： G01M11/088 , B60Q1/0011 , B60Q11/005 , F21S8/06 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21V7/005 , F21V7/045 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2103/00 , G01M11/30
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Anordnung mit einem Lichtleiter (10) und einer Detektionsvorrichtung (25) vor, wobei der Lichtleiter (10) einen Kernbereich (10E), und einen, den Kernbereich (10E) umgebenden Mantelbereich (10C) umfasst, wobei der Kernbereich einen höheren Brechungsindex aufweist als der Mantelbereich, und bei der die Detektionsvorrichtung (25) eine Beschädigung des Lichtleiters (10) detektieren kann.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出了与之前的光导（10）和检测装置（25）的布置，包括：光导（10）具有一个芯部区域（10E），以及包围包层区域（10C）的核心区（10E），其中，所述芯区域具有比所述包层区域具有更高的折射率，并且，在所述检测装置（25）检测到所述光导（10）的损坏。

37. 发明申请

WO2007124737A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER MIT TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：发射辐射的带载体SUBSTRATE AND METHOD半导体本体制造该
公开(公告)号：WO2007124737A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/DE2007/000793
申请日：2007-05-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , SPIKA, Zeljko
发明人： HÄRLE, Volker , SPIKA, Zeljko
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper mit Trägersubstrat und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen. Bei dem Verfahren wird eine strukturierte Verbindung einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem Trägersubstratwafer (1) hergestellt. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterschichtstapeln (200) mittels Schnitten (6) durch die Halbleiterschichtenfolge unterteilt und der Trägersubstratwafer (1) wird in eine Mehrzahl von Trägersubstraten (100) mit Schnitten (7) durch den Trägersubstratwafer (1) unterteilt. Dabei wird die strukturierte Verbindung derart ausgeführt, dass mindestens ein Halbleiterschichtstapel (200) mit genau einem zugehörigen Trägersubstrat (100) verbunden ist. Außerdem wird mindestens ein Schnitt (7) durch den Trägersubstratwafer von keinem der Schnitte (6) durch die Halbleiterschichtenfolge derart verlängert, dass sich ein geradliniger Schnitt durch den Trägersubstratwafer und die Halbleiterschichtenfolge ergibt.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体体支撑衬底和用于制造这样的方法。在该方法的半导体层序列（2）的与载体衬底晶片（1）的结构化连接被产生。半导体层序列是在由切口的装置的多个半导体层堆叠（200）（6）通过在半导体层序列和支撑衬底晶片分割（1）与切割分成多个载体基板（100）的（7）通过支撑衬底晶片（1）。结构化化合物进行，使得至少一个半导体层堆叠仅具有一个相关联的支承衬底（100）（200）连接。另外，通过半导体层序列的部分（7）通过支撑衬底晶片由任何段（6）的以这样的方式，一个直线部分通过支撑衬底晶片获得的，并且所述半导体层序列至少延长。

38. 发明申请

WO2007025497A1 VERFAHREN ZUM LATERALEN ZERTRENNEN EINES HALBLEITERWAFERS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法左右分割的半导体晶片及光电子器件
公开(公告)号：WO2007025497A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001366
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
发明人： HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers (1) wird ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt, auf das eine Halbleiterschichtenfolge (3) aufgewachsen wird, die eine als Trennschicht (4) vorgesehene Schicht und mindestens eine der Trennschicht (4) in Wachstumsrichtung nachfolgende funktionelle Halbleiterschicht (5) umfasst. Nachfolgend werden Ionen durch die funktionelle Halbleiterschicht (5) hindurch in die Trennschicht (4) implantiert und der Halbleiterwafer entlang der Trennschicht (4) zertrennt, wobei ein das Aufwachssubstrat (2) enthaltender Teil (1a) des Halbleiterwafers (1) abgetrennt wird.
摘要翻译：在用于左右分割的半导体晶片的方法（1）被提供在其上的半导体层序列（3）生长在生长衬底（2），预期的一个作为分离层（4）层和分离层（4）其后的功能在生长方向中的至少一个包括半导体层（5）。随后，离子，其中，所述半导体晶片（1）的（2）含有所述生长衬底部分（1a）中被分离成通过所述功能性半导体层（5）到分离层（4）被植入并沿着切断分离层（4）的半导体晶片。

39. 发明申请

WO2005013316A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片，各种
公开(公告)号：WO2005013316A2
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/DE2004/001594
申请日：2004-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker
发明人： HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02395 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfaren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips, die jeweils eine Vielzahl von Strukturelementen mit jeweils mindestens einer Halbleiterschicht aufweisen. Bei dem Verfahren wird eine Chipverbund-Basis bereitgestellt, die ein Substrat sowie eine Aufwachsoberfläche aufweist. Auf die Aufwachsoberfläche wird eine nicht geschlossene Maskenmaterialschicht derart aufgewachsen, dass die Maskenmaterialschicht eine Vielzahl statistisch verteilter Fenster mit variierenden Formen und/oder Öffnungsflächen aufweist, wobei ein Maskenmaterial derart gewählt ist, dass sich ein in einem späteren Verfahrensschritt aufzuwachsendes Halbleitermaterial der Halbleiterschicht auf diesem im Wesentlichen nicht oder im Vergleich zur Aufwachsoberfläche wesentlich schlechter aufwachsen lässt. Nachfolgend werden Halbleiterschichten im Wesentlichen gleichzeitig auf innerhalb der Fenster liegende Bereiche der Aufwachsoberfläche abgeschieden. Ein weiterer Verfahrensschritt ist das Vereinzeln der Chipverbund-Basis mit aufgebrachtem Material zu Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft zudem ein nach dem Verfahren hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauelement.
摘要翻译：本发明涉及一种Verfaren用于生产具有多个结构构件的每一个具有至少一个半导体层的光电子半导体芯片每一个的多个。在该方法中，提供了一种复合体基板芯片，其包括衬底和生长的表面。未封闭的掩模材料层以这样的方式来生长表面生长，掩模材料层具有多个不同的形状和/或开口区，统计分布的窗口，从而选择掩模材料，使得在稍后的处理一个aufzuwachsendes步骤中，半导体层的半导体材料上，所述大致可相较于生长表面或不增长显著恶化。随后，将生长面的半导体层同时处于基本上位于沉积在窗口区域内。另一步骤是用材料的芯片复合体基板施加到半导体芯片的分离。本发明还涉及根据该方法光电子半导体器件所产生的材料。

40. 发明授权

EP2126982B1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON MISCHLICHT 失效
公开(公告)号：EP2126982B1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：EP08715444.9
申请日：2008-01-30
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式