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31. 发明专利

FR3059805A1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE MODULATION, SYNAPSE ARTIFICIELLE COMPORTANT LEDIT DISPOSITIF DE MODULATION, PROCEDE DE PLASTICITE A COURT TERME DANS UN RESEAU DE NEURONES ARTIFICIELS COMPORTANT LADITE SYNAPSE ARTIFICIELLE 未知
公开(公告)号：FR3059805A1
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：FR1661847
申请日：2016-12-02
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： WERNER THILO , BICHLER OLIVIER , VIANELLO ELISA , YVERT BLAISE
IPC分类号： G06N3/063
摘要： Un aspect de l'invention concerne un dispositif (11) de modulation comportant : - au moins un dispositif memristif (Mr1), et - un bloc de contrôle (Ct1), le dispositif de modulation (11) ayant une conductance équivalente Yi(t) réalisée par le au moins un dispositif memristif (Mr1) et le bloc de contrôle (Ct1) ayant des moyens pour : - recevoir un signal d'horloge (clk) et réaliser une première modification de la conductance équivalente Yi(t) à la réception de chaque signal d'horloge (clk), - recevoir une impulsion de tension d'entrée (Vin) et réaliser une deuxième modification de la conductance équivalente Yi(t) à la réception de chaque impulsion de tension d'entrée (Vin), les première et deuxième modifications étant de sens opposé.

32. 发明专利

FR3025647B1 DISPOSITIF ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES DANS UNE MEMOIRE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3025647B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：FR1458425
申请日：2014-09-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： THOMAS OLIVIER , GIRAUD BASTIEN , HARRAND MICHEL , VIANELLO ELISA
IPC分类号： G11C7/10 , G11C11/21

33. 发明专利

FR3040227A1 PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UN RESEAU DE NEURONES ARTIFICIELS 未知
公开(公告)号：FR3040227A1
公开(公告)日：2017-02-24
申请号：FR1557781
申请日：2015-08-18
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： VIANELLO ELISA , BICHLER OLIVIER
IPC分类号： G06N3/02
摘要： Un aspect de l'invention concerne un procédé de programmation d'un réseau de neurones artificiels ayant une pluralité de synapses, chaque synapse comportant une unique mémoire vive résistive ayant des première et deuxième électrodes de part et d'autre d'une zone active, le procédé comportant les étapes suivantes : - une étape de détermination d'un nombre N d'intervalles de conductance, avec N un entier naturel supérieur ou égal à 3 ; - pour chaque mémoire vive résistive : ○ une étape de choix d'un intervalle de conductance parmi les N intervalles de conductance précédemment déterminés ; ○ une étape i) d'application d'une impulsion de tension d'un premier type entre les première et deuxième électrodes de ladite mémoire vive résistive, et de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive ; ○ si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance précédemment choisi, une étape ii) d'application d'une impulsion de tension d'un deuxième type entre les première et deuxième électrodes de ladite mémoire vive résistive et de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive ; o si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance choisi, une étape selon laquelle on réitère l'étape i), les étapes i) et ii) étant répétées jusqu'à ce que la valeur de conductance de la mémoire vive résistive appartienne à l'intervalle de conductance choisi.

34. 发明专利

FR3066308B1 PROCEDE DE GESTION DE L'ENDURANCE D'UNE MEMOIRE REINSCRIPTIBLE NON VOLATILE ET DISPOSITIF DE PROGRAMMATION D'UNE TELLE MEMOIRE 未知
公开(公告)号：FR3066308B1
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：FR1754043
申请日：2017-05-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： MOLAS GABRIEL , HARRAND MICHEL , VIANELLO ELISA , NAIL CELINE
IPC分类号： G11C7/00 , G11C13/00
摘要： L'invention concerne un procédé de gestion de l'endurance d'une mémoire réinscriptible non-volatile comprenant une pluralité de cellules mémoire (10) comportant chacune un empilement ordonné d'une électrode inférieure (12), d'une couche de matériau diélectrique (13) et d'une électrode supérieure (11), le matériau diélectrique de chaque empilement étant apte à commuter entre un état fortement résistif (HRS) et un état faiblement résistif (LRS), ou inversement, pour permettre une écriture dans la cellule mémoire ou un effacement de ladite cellule mémoire. Ce procédé comporte les opérations suivantes : - à la fin de chaque cycle d'écriture et d'effacement de la cellule mémoire, lecture de conditions d'effacement de ladite cellule mémoire au cours de la dernière opération d'effacement du cycle, et comparaison desdites conditions d'effacement lues avec une valeur d'effacement médiane prédéterminée ; et - détermination de conditions d'écriture de la cellule mémoire à partir des résultats de la comparaison, lesdites conditions d'écriture étant appliquées aux électrodes de l'empilement lors des opérations d'écriture du cycle d'écriture et d'effacement suivant afin de limiter la génération de défauts dans le matériau diélectrique.

35. 发明专利

FR3066308A1 PROCEDE DE GESTION DE L'ENDURANCE D'UNE MEMOIRE REINSCRIPTIBLE NON VOLATILE ET DISPOSITIF DE PROGRAMMATION D'UNE TELLE MEMOIRE 未知
公开(公告)号：FR3066308A1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1754043
申请日：2017-05-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： MOLAS GABRIEL , HARRAND MICHEL , VIANELLO ELISA , NAIL CELINE
IPC分类号： G11C7/00 , G11C13/00
摘要： L'invention concerne un procédé de gestion de l'endurance d'une mémoire réinscriptible non-volatile comprenant une pluralité de cellules mémoire (10) comportant chacune un empilement ordonné d'une électrode inférieure (12), d'une couche de matériau diélectrique (13) et d'une électrode supérieure (11), le matériau diélectrique de chaque empilement étant apte à commuter entre un état fortement résistif (HRS) et un état faiblement résistif (LRS), ou inversement, pour permettre une écriture dans la cellule mémoire ou un effacement de ladite cellule mémoire. Ce procédé comporte les opérations suivantes : - à la fin de chaque cycle d'écriture et d'effacement de la cellule mémoire, lecture de conditions d'effacement de ladite cellule mémoire au cours de la dernière opération d'effacement du cycle, et comparaison desdites conditions d'effacement lues avec une valeur d'effacement médiane prédéterminée ; et - détermination de conditions d'écriture de la cellule mémoire à partir des résultats de la comparaison, lesdites conditions d'écriture étant appliquées aux électrodes de l'empilement lors des opérations d'écriture du cycle d'écriture et d'effacement suivant afin de limiter la génération de défauts dans le matériau diélectrique.

36. 发明专利

FR3025648B1 DISPOSITIF ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES DANS UNE MEMOIRE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3025648B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：FR1458426
申请日：2014-09-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： HARRAND MICHEL , VIANELLO ELISA , THOMAS OLIVIER , GIRAUD BASTIEN
IPC分类号： G11C7/22 , G11C11/21

37. 发明专利

FR3051348A1 PROCEDE DE TRI NON SUPERVISE EN TEMPS REEL DE POTENTIELS D'ACTION D'UNE PLURALITE DE NEURONES BIOLOGIQUES 未知
公开(公告)号：FR3051348A1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：FR1654485
申请日：2016-05-19
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , INST NAT SANTE RECH MED
发明人： BERNERT MARIE , VIANELLO ELISA , YVERT BLAISE
IPC分类号： A61B5/0476 , A61N1/36 , G06F3/01 , G06N3/06
摘要： Un aspect de l'invention concerne un procédé de tri non supervisé, en temps réel, de potentiels d'action d'une pluralité de neurones biologiques au moyen d'un réseau de neurones artificiels comportant une couche d'entrée, une couche intermédiaire et une couche de sortie, procédé selon lequel : - la couche d'entrée reçoit un signal électrique mesurant une activité électrique d'une pluralité de neurones biologiques, le signal électrique présentant une amplitude variable en fonction de potentiels d'action émis par la pluralité de neurones biologiques au cours du temps ; - la couche d'entrée convertit l'amplitude du signal électrique en un train de premières impulsions ; - la couche d'entrée transmet le train de premières impulsions à la couche intermédiaire ; - la couche intermédiaire convertit le train de premières impulsions en un train de deuxièmes impulsions ; - la couche intermédiaire transmet le train de deuxièmes impulsions à la couche de sortie ; - en fonction du train de deuxièmes impulsions, la couche de sortie trie chaque occurrence de chaque type de potentiel d'action présente dans le signal électrique.

38. 发明专利

FR3021151B1 PROCEDE DE DETERMINATION DE PARAMETRES DE PROGRAMMATION SERVANT A PROGRAMMER UNE MEMOIRE VIVE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3021151B1
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：FR1454346
申请日：2014-05-15
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： CABOUT THOMAS , VIANELLO ELISA
IPC分类号： G11C7/04

39. 发明专利

FR3025648A1 DISPOSITIF ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES DANS UNE MEMOIRE RESISTIVE 未知
公开(公告)号：FR3025648A1
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：FR1458426
申请日：2014-09-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： HARRAND MICHEL , VIANELLO ELISA , THOMAS OLIVIER , GIRAUD BASTIEN
IPC分类号： G11C7/22 , G11C11/21
摘要： L'invention concerne une mémoire résistive (5) comprenant des éléments résistifs, la résistance de chaque élément résistif pouvant alterner entre une valeur haute dans une première plages de valeurs et une valeur basse dans une deuxième plage de valeurs strictement inférieure à la valeur haute, la mémoire comprenant, en outre, un dispositif (14) de basculement de la résistance d'au moins un élément résistif sélectionné parmi les éléments résistifs entre les valeurs haute et basse, le dispositif comprenant un premier circuit adapté à appliquer une tension croissante aux bornes de l'élément résistif sélectionné alors que l'élément résistif sélectionné est à la valeur haute ou à la valeur basse, un deuxième circuit adapté à détecter le basculement de la résistance de l'élément résistif sélectionné et un troisième circuit adapté à interrompre le courant traversant l'élément résistif sélectionné à la détection du basculement.

40. 发明专利

FR3110716A1 PROCEDE DE FABRICATION DE MOULES POUR LITHOGRAPHIE PAR NANO-IMPRESSION 未知
公开(公告)号：FR3110716A1
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：FR2005118
申请日：2020-05-19
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： TIRON RALUCA , CHAMIOT-MAITRAL GAËLLE , VIANELLO ELISA
IPC分类号： G03F7/00 , B82Y40/00 , G06N3/06 , H01L21/027
摘要： Ce procédé comporte les étapes : a) prévoir un substrat (1) ; b) former une couche d’un premier copolymère à blocs sur le substrat (1), par une technique d’auto-assemblage de sorte que la première couche comporte une série de premiers motifs lithographiques s’étendant suivant une première direction ; c) créer un premier moule comportant des empreintes formées à partir de la série de premiers motifs lithographiques ; d) prévoir une couche structurée comportant une série de motifs (30), conforme à la série de premiers motifs lithographiques, et s’étendant suivant la première direction ; e) former une couche (4) d’un deuxième copolymère à blocs (40, 41) sur la couche structurée par une technique d’auto-assemblage de sorte que la seconde couche (4) comporte une série de seconds motifs (40) lithographiques s’étendant suivant une seconde direction perpendiculaire à la première direction ; f) créer un second moule comportant des empreintes formées à partir de la série de seconds motifs (40) lithographiques. Figure 8a

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