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31. 发明授权

KR100270333B1 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법 失效
标题翻译：薄膜薄膜层发光层的制造方法
公开(公告)号：KR100270333B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019960069794
申请日：1996-12-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤선진 , 이중환 , 남기수
IPC分类号： H01J1/30
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thick film and thin film laminated type electroluminescent layer for field emission display is provided to maximize the electroluminescent efficiency by using a uniform electroluminescent thin film. CONSTITUTION: A transparent conductive layer(20) is formed on a transparent substrate(10). A thick film type electroluminescent layer(30) is formed on a transparent conductive layer(20). An electroluminescent thin film(110) is formed on the thick film type electroluminescent layer(30). The electroluminescent thin film(110) is formed with one material of Zn:O, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Eu, Y2O2S:Eu, YAG:Tb, Y2SiO5:Ce, Y2O2S:Tb, Gd2O2S:Tb, SrS:Ce, SrTe:Ce, SrS-Sc2S3, ZnS:Ag, ZnS:Pr, SrGa2S4, ZnCdS:Cu, and Al.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于场发射显示的厚膜和薄膜层叠型电致发光层的方法，以通过使用均匀的电致发光薄膜来最大化电致发光效率。构成：透明导电层（20）形成在透明基板（10）上。在透明导电层（20）上形成厚膜型电致发光层（30）。在厚膜型电致发光层（30）上形成电致发光薄膜（110）。电致发光薄膜（110）由Zn：O，ZnGa2O4：Mn，ZnGa2O4：Eu，Y2O2S：Eu，YAG：Tb，Y2SiO5：Ce，Y2O2S：Tb，Gd2O2S：Tb，SrS：Ce，SrTe ：Ce，SrS-Sc2S3，ZnS：Ag，ZnS：Pr，SrGa2S4，ZnCdS：Cu和Al。

32. 发明公开

KR1019990051078A 고휘도와고선명도를가지는전계발광소자의제조방법 失效
标题翻译：用于制造具有高亮度和高分辨率的电致发光器件的方法
公开(公告)号：KR1019990051078A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070317
申请日：1997-12-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤선진 , 백문철
IPC分类号： H01L31/12 , H05B33/04 , H01L33/00
摘要： 본 발명은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전계 발광소자는 투명 기판 또는 불투명 기판의 표면상에 선 형상 또는 매쉬 형상을 가지며, 측면이 경사진 패턴을 형성하고, 기판상에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 적층하고, 상기 금속 전극층을 패터닝하여, 제 2 절연층의 볼록부 상평면 혹은 상평면과 경사면에 금속 전극을 형성하고, 상기 물질층들을 반대로 적층한 반전소자의 경우에는 제 1 절연층의 오목부의 상평면 혹은 상평면과 경사면에 걸쳐 투명전극을 형성하여 픽셀을 섬모양 또는 우물모양으로 형성하였다.
본 발명은 기판에 패턴을 미리 형성하여 패턴의 경사진 측면이 전계발광 소자의 휘도를 증가시킬 수 있도록 배열하여 전계발광 소자를 형성함으로써 빛의 측면 손실량을 감소시키고 전면 투과량을 증가시킨다.

33. 发明公开

KR1019960035775A 이종 접합 구조의 전위 국소화 박막 성장법 无效
标题翻译：异质结结构的位错局域化薄膜生长方法
公开(公告)号：KR1019960035775A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950006003
申请日：1995-03-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이승창 , 윤선진 , 박효훈 , 김성일
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 이종접합 구조의 박막성장법에 관한 것으로서, 특히 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정을 이용하여 격자 부정합(lattice mismatched)에 따른 전위
(dislocation)의 분포를 공간적으로 국소화(spatial localization) 시킬 수 있는 박막성장법에 관한 것이다.
본 발명은 격자 부정합된 이종접합 구조의 계면에서 생성되는 전위로 인하여 야기되는 박막의 구조적 및 전기적 특성 저하를 방지하기 위하여 V-홈(groove)과 반복적 열처리공정으로 이용하여 격자 부정합 전위의 분포를 V-홈 주위에서 강제적으로 집중, 생성시킨후, 이들 전위 분포지역을 제거하여 최저력 및 최저 전위밀도의 이종접합 구조의 박막을 성장한다.

34. 发明授权

KR100055473B1 O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 失效
公开(公告)号：KR100055473B1
公开(公告)日：1992-10-15
申请号：KR1019900008258
申请日：1990-06-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권광호 , 윤선진 , 박병선 , 전영진 , 강상원
IPC分类号： G03F7/26

35. 发明公开

KR1019920001248A O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 失效
公开(公告)号：KR1019920001248A
公开(公告)日：1992-01-30
申请号：KR1019900008258
申请日：1990-06-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권광호 , 윤선진 , 박병선 , 전영진 , 강상원
IPC分类号： G03F7/26
摘要： 내용 없음.

36. 发明授权

KR102208083B1 태양전지 및 그를 포함하는 태양전지 모듈 有权
公开(公告)号：KR102208083B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020140008469
申请日：2014-01-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이규성 , 윤선진 , 임정욱
IPC分类号： H01L31/055
摘要： 본발명은태양전지및 그를포함하는태양전지모듈을개시한다. 태양전지는, 하부전극층과, 하부전극상에배치되고, 가시광영역의태양광을흡수하는광 흡수층과, 상기광 흡수층 상의상부전극층과, 상기상부전극층 상의광 변환층을포함한다. 여기서, 상기광 변환층은상기상부전극층으로입사되는상기태양광을반사없이투과하는제 1 반사방지층과, 상기제 1 반사방지층과결합(coupling)되어상기제 1 반사방지층에투과되는상기가시광영역이외의적외선영역또는자외선영역의상기태양광을흡수하여상기가시광영역의방출광으로변환하는제 1 광변환입자들을포함한다.

37. 发明授权

KR102204686B1 투명 태양전지 및 그를 구비하는 후면 반사 투명 태양전지 모듈 有权
公开(公告)号：KR102204686B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020140002921
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임정욱 , 윤선진
IPC分类号： H01L31/056
摘要： 본발명은투명태양전지및 그를구비하는후면반사투명태양전지모듈을개시한다. 투명태양전지는, 투명기판과, 상기투명기판상의제 1 투명전극과, 상기제 1 투명전극상의광 흡수층과, 상기광 흡수층 상의재흡수증진층과, 상기재흡수증진층 상의제 2 투명전극을포함한다.

38. 发明授权

KR101871809B1 가스 모니터링 장치 및 그를 포함하는 플라즈마 공정 설비 有权
公开(公告)号：KR101871809B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020140113902
申请日：2014-08-29
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤선진 , 이규성 , 임정욱
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/302 , H05H1/46
摘要： 본발명은공정가스모니터링장치및 그를구비한플라즈마공정설비를개시한다. 그의장치는, 가스유입구, 가스배출구, 및윈도우들을갖는하우징과, 상기윈도우들중 어느하나에인접하여상기하우징외부에배치되고, 상기가스유입구및 상기가스배출구사이에제공되는가스에소스광을제공하는광원과,상기윈도우들중 나머지하나에인접하여상기하우징외부에배치되고, 상기소스광에의해상기가스로부터발광되는형광을감지하는센서와, 상기가스유입구및 상기가스배출구사이의상기하우징내에배치되고, 상기광원및 상기센서사이의상기가스를가열하여상기가스로부터의상기형광을증가시키는코일을포함한다..

39. 发明公开

KR1020170098143A 광 검출 소자 审中-实审
标题翻译：灯光 -
公开(公告)号：KR1020170098143A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160103158
申请日：2016-08-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임정욱 , 윤선진
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/036 , H01L31/109
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명은광 검출소자에관한것이다. 광검출소자는서로대향된제1 면및 제2 면을갖는광전변환층; 상기광전변환층의제1 면상에배치된투명한제1 전극; 상기광전변환층의제2 면아래에배치된투명한제2 전극; 상기제1 전극과상기광전변환층사이에배치되는 p형반도체층; 상기제2 전극과상기광전변환층사이에배치되는 n형반도체층; 및상기 p형반도체층과상기광전변환층사이, 또는상기 n형반도체층과상기광전변환층사이에배치되고, 상기광전변환층과다른에너지밴드갭을갖는캐리어이동층을포함할수 있다.
摘要翻译：光检测元件技术领域本发明涉及光检测元件。其中光检测器包括：具有彼此相对的第一表面和第二表面的光电转换层; 设置在光电转换层的第一侧上的透明的第一电极; 设置在光电转换层的第二表面下方的第二透明电极; 设置在第一电极和光电转换层之间的p型半导体层; 设置在第二电极和光电转换层之间的n型半导体层; 载流子迁移率层设置在p型半导体层和光电转换层之间或者n型半导体层和光电转换层之间，并具有与光电转换层不同的能带隙。

40. 发明授权

KR101596286B1 열전효율이 향상된 열전소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有提高的热电效率的热电装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101596286B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020090072313
申请日：2009-08-06
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박영삼 , 장문규 , 윤선진 , 정태형 , 고상춘 , 조성목 , 제창한 , 최성진 , 임정욱
IPC分类号： H01L35/02
摘要： 본발명에따른열전소자는레그하부또는상부에낮은열전도도를갖는열 절연막을형성하여상기열 절연막에의해상기레그에서열이천천히전달되도록한 것을특징으로한다. 따라서, 상기레그에서열 흡수막으로부터전달된열이천천히열 방출막으로전달되므로, 상기열 흡수막과상기열 방출막사이의온도차이가커져열전효율이향상되는효과를얻을수 있다.

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