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31. 发明申请

WO2013012240A2 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
标题翻译：使用Cu-Se二元纳米粒子熔剂和由该方法制备的CI（G）S薄膜制造包含Cu-Se薄膜的CI（G）S薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013012240A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005695
申请日：2012-07-17
申请人： 한국에너지기술연구원 , 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
发明人： 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要： Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은， Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고， In 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조 하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 나노입자 포함 슬러리를 기판 상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여， Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 층분히 이루어지고， 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며， 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.
摘要翻译：（G）使用Cu-Se二元纳米粒子焊剂的S系薄膜和根据该方法制造的CI（G）S系薄膜。本发明的制备CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：制备Cu-Se二元纳米颗粒和In纳米颗粒; 基于两部件的Cu-Se系纳米颗粒，合并并且将溶剂和共同以制备含有纳米的Cu-Se系双组分颗粒，结合在纳米颗粒的浆料中的粘合剂，溶剂和常用的，以制备含有在纳米颗粒的浆料中的粘合剂; 将含有Cu-Se二元纳米粒子的浆料和含In纳米粒子的浆料的浆料依次交替涂布在基材上，由此形成多个层的层叠体; 并对形成的薄膜进行热处理。以这种方式，基于双组分的Cu-Se系纳米颗粒是由充分的晶粒生长层用作通过热处理助熔剂，填充以形成致密的结构的空隙的薄膜，并最终增加了太阳能电池的包含其的能量转换效率你可以做到。

32. 发明授权

KR101628957B1 패터닝된 그리드전극과 이를 적용한 박막 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：图案化栅格电极和使用其的薄膜太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101628957B1
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020130138965
申请日：2013-11-15
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은박막태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극과이를적용한박막태양전지의제조방법에관한것이다. 이에본 발명은박막태양전지에서의그리드전극제조방법에있어서, 투명전극층위에그리드전극층을형성하는단계, 상기그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이루도록패터닝하는단계를포함하는것을특징으로하는패터닝된그리드전극의제조방법을제공한다. 본발명의삼각형또는사다리꼴형상으로패터닝된그리드전극의제조방법에따르면, 빛의반사와산란이발생하는그리드전극층의단면이삼각형또는사다리꼴형상을이룸으로써경사각이생기고, 이에투명전극층에도달할수 있는유효반사면적과유효산란면적이증대하게된다. 이로인하여투명전극층의광포획효과(light trapping)가향상되고이로인해광전변환율이높아지는효과가있다.

33. 发明授权

KR101594841B1 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：KR101594841B1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：KR1020140134625
申请日：2014-10-07
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 곽지혜 , 조아라 , 안세진 , 안승규 , 조준식 , 박주형 , 유진수 , 윤재호 , 김기환 , 김경수 , 윤경훈 , 신기식
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0508 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/0512 , Y02E10/50 , H01L31/0465 , H01L31/0475 , H01L31/05
摘要： 태양전지모듈, 태양전지모듈의제조방법, 태양광발전시스템및 인터커넥션리본이개시된다. 본발명에따른태양전지모듈은복수개의태양전지셀이인터커넥션리본을통해직렬또는병렬로연결된태양전지모듈에있어서, 상기인터커넥션리본은, 상기태양전지모듈이구부러짐에따라발생되는텐션(Tension)을저감시키도록지그재그(Zigzag)로형성된다.
摘要翻译：公开了一种太阳能电池模块，太阳能电池模块的制造方法，太阳能发电系统和互连带。根据本发明，多个太阳能电池单元通过太阳能电池模块中的互连带串联或并联连接。互连带形成为锯齿状，以减少由于太阳能电池模块的弯曲而产生的张力。

34. 发明公开

KR1020160004571A 양극산화알루미늄(AAO) 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지 有权
标题翻译：通过柔性基板和使用其的太阳能电池沉积在AAO（阳极氧化铝）模板上的模式应力松弛层和反射层的制造方法
公开(公告)号：KR1020160004571A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083029
申请日：2014-07-03
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박주형 , 조준식 , 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 신기식 , 곽지혜 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 조아라 , 김기환
IPC分类号： H01L31/046 , H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/046 , H01L31/04 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： 양극산화알루미늄나노패턴이형성된박막태양전지연성기판의응력완화층의제조방법과후면전극의전반사막제조방법및 이를포함하여구성되는박막태양전지에관한것으로, 나노사이즈패터닝이구조적으로연성기판의응력을완화하고, 광경로를더욱길게연장하여전체적인광전효율을크게향상시키는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及具有阳极氧化铝（AAO）纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法，背面电极的全反射层的制造方法以及薄膜太阳能电池，相同。通过柔性基板的结构松弛应力和通过纳米尺寸图案延伸光路，总光电效率显着增加。具有AAO纳米图案的柔性基板的应力松弛层的制造方法包括以下步骤：制备柔性基板; 在柔性基板上沉积由单层或多层组成的应力松弛层; 在应力松弛层的表面上沉积薄膜铝; 用DI水电抛光和清洗以降低薄膜铝的表面粗糙度; 首先阳极氧化薄膜铝; 从薄膜铝蚀刻和去除第一阳极化氧化铝层; 第二次阳极氧化薄膜铝; 扩大第二阳极化氧化铝层的孔，形成AAO模板; 并使用图案化的AAO模板湿蚀刻或干蚀刻应力松弛层。

35. 发明授权

KR101554658B1 전도성고분자 무반사코팅층을 갖는 투명전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：防反射导电聚合物层涂覆的透明电极和使用其的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101554658B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020130074055
申请日：2013-06-26
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지에서의투명전극의제조방법에있어서, 버퍼층(400)위에투명전극(500)을형성시키는단계(s1000); 상기투명전극(500) 위에전도성고분자무반사코팅층(510)을형성시키는단계(s2000); 를포함하는것을특징으로하여, 태양광의반사를억제하고, 태양광의광흡수층내에서의광경로를증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.

36. 发明授权

KR101508132B1 CI(G)S 박막과 그 제조 방법, 및 이를 이용한 CI(G)S 태양전지와 그 제조 방법. 有权
公开(公告)号：KR101508132B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020120151848
申请日：2012-12-24
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조아라 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서 Chelating Agent가첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과 complex를형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.

37. 发明授权

KR101503043B1 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池及其薄膜太阳能电池的吸收层的制造方法
公开(公告)号：KR101503043B1
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020140044484
申请日：2014-04-14
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 어영주 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 김기환
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/208 , H01L31/032 , H01L31/04 , Y02E10/52
摘要： The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).
摘要翻译：薄膜太阳能电池技术领域本发明涉及薄膜太阳能电池，具体地说涉及一种具有含有Ib族元素，VIa族元素和Va族元素的光吸收层的薄膜的制造方法。和使用其的薄膜太阳能电池。本发明提供一种太阳能电池的透明电极的制造方法，特别是制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，包括：基板（100）; 形成在所述基板上的背面电极层（200）形成在背面电极层（200）上的光吸收层（300）; 形成在所述光吸收层上的缓冲层（400）和形成在缓冲层（400）上的透明电极层（500）。制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：制备Ib族元素的二元纳米颗粒 - 族VIa元素（s100）; 将包含Va族元素的溶剂，粘合剂和溶液前体加入到组Ib元素的二元纳米颗粒 - 组VIa元素中，以制备Ib族元素 - 组VIa元素（s200）的二元纳米颗粒浆料; 分散和混合组Ib元素的二元纳米颗粒浆料 - 组VIa元素（s300）; 涂覆Ib族元素的二元纳米颗粒浆料 - 背面电极层（200）上的VIa族元素（s400）; 并在提供VIa族元素的同时对涂覆的纳米颗粒浆料进行热处理（s500）。

38. 发明公开

KR1020150006926A 광산란용 금속 나노구조층을 갖는 투명전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：散射金属 - 纳米结构层覆盖的电极和使用其的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150006926A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080222
申请日：2013-07-09
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박주형 , 조준식 , 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 신기식 , 곽지혜 , 박상현 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , G02B6/1226 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： 본 발명은 광산란용 금속 나노구조층이 형성된 투명전극을 갖는 CIGS 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 태양전지에서의 투명전극의 제조방법에 있어서, 버퍼층(400)위에 투명전극층(500)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 투명전극층(500) 위에 광산란용 금속 나노구조층(510)을 형성시키는 단계(s2000)를 포함하는 것을 특징으로 하여, 태양광의 광경로를 증가시켜 광포획 성능을 개선시킴으로써 광-전기 변환의 효율을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.
摘要翻译：本发明涉及具有用于散射光的金属纳米结构层的透明电极及其制造方法的CIGS薄膜太阳能电池。根据本发明，太阳能电池中的透明电极的制造方法包括：在缓冲层（400）上形成透明电极层（500）的工序（s1000）。以及形成用于在透明电极层（500）上散射光的金属纳米结构层（510）的步骤（s2000）。太阳光的光路可以增加以提高光捕获性能，从而最大化光电转换效率。

39. 发明公开

KR1020140146693A 이중구조 투명전도막과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：双层透明导电层和太阳能电池及其使用方法
公开(公告)号：KR1020140146693A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130068920
申请日：2013-06-17
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조준식 , 박주형 , 윤재호 , 윤경훈 , 유진수 , 어영주 , 곽지혜 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 박상현 , 안세진
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a transparent conductive layer of a solar cell and, more particularly, to the improvement of a transparent conductive layer capable of improving light capturing performance. The present invention is the transparent conductive layer which is used for a front electrode, a rear reflection layer, or a front antireflection layer of the solar cell. The present invention provides the transparent conductive layer of a dual structure which includes a light transmitting layer (100) and a light capturing layer (200). One side of the light capturing layer (200) is in contact with the light transmitting layer (100) and a surface texture structure is formed on the other side of the light capturing layer (200). The electric conductivity (A) of the light transmitting layer (100) and the electric conductivity (a) of the light capturing layer (200) satisfy A>a. The etching property (B) of the light transmitting layer (100) and the etching property (b) of the light capturing layer (200) satisfy B>b. The light transmitting layer (100) is an indium tin oxide (ITO) layer.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池的透明导电层，更具体地说，涉及能够提高光捕获性能的透明导电层的改进。本发明是用于太阳能电池的前电极，后反射层或前防反射层的透明导电层。本发明提供一种双重结构的透明导电层，其包括透光层（100）和光捕获层（200）。光捕获层（200）的一侧与透光层（100）接触，并且在光捕获层（200）的另一侧上形成表面纹理结构。透光层（100）的导电率（A）和光捕获层（200）的导电率（a）满足A> a。透光层（100）的蚀刻性（B）和光捕获层（200）的蚀刻性能（b）满足B> b。透光层（100）是氧化铟锡（ITO）层。

40. 发明公开

KR1020140120961A 고압력 셀렌화 공정을 이용한 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 有权
标题翻译：使用高压SELENIDE CI（G）S薄膜太阳能电池的工艺使用制造方法和
公开(公告)号：KR1020140120961A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130036156
申请日：2013-04-03
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다.
이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
摘要翻译：本发明涉及一种在太阳能电池中使用的CI（G）S系薄膜的制造工序中提高硒化工序的效率的方法，更具体地说，涉及一种可以通过以下方法实现高压硒化：将CI（G）S基前体薄膜插入到某个容器或室中，将硒（Se）注入容器或室中，并提高温度进行硒化。该方法可以通过增加某些容器或室内硒（Se）的分压来降低高压硒化硒（Se）的量，提高硒化效率，减少热处理时间。为了达到此目的，使CI（G）S系前体薄膜与室之间的间隙为6〜20mm，硒（Se）注入室内; 并且通过使用放置在室的一个内侧或内部前部的加热单元来进行温度来进行硒化的热处理。

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