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31. 发明公开

KR1020170020647A 다중 감마소스 CT 영상 재건 방법 및 장치 有权
标题翻译： CT多伽马源CT图像重建方法及装置
公开(公告)号：KR1020170020647A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150114633
申请日：2015-08-13
申请人： 한국과학기술원
发明人： 조승룡 , 위선희 , 박미란 , 장지은
IPC分类号： A61B6/00
摘要： 다중감마소스 CT 영상재건방법및 장치가개시된다. 복수개의동일한감마선원중 하나의감마선원씩기 설정된순서에따라감마선을빈 공간에조사하여빈 공간의투사영상을얻는단계, 복수개의동일한감마선원으로부터방출되는감마선을동시에피검체에조사하여피검체의투사영상을얻는단계, 얻어진빈 공간의투사영상, 피검체의투사영상및 기초재건영상을이용하여각각의감마선원별로피검체의투사영상을추정하는단계및 추정된피검체의투사영상을재건하여보정재건영상을생성하는단계를포함한다.

32. 发明授权

KR101685005B1 저선량 엑스선 콘빔 CT 영상 장치 및 이를 이용한 영상 생성 방법 有权
标题翻译： CT锥形计算机图形的设备和使用它生成锥形计算机图形的方法
公开(公告)号：KR101685005B1
公开(公告)日：2016-12-13
申请号：KR1020150079744
申请日：2015-06-05
申请人： 한국과학기술원
发明人： 조승룡 , 위선희 , 박미란 , 장지은
IPC分类号： G01N23/04 , G21K1/02 , G01N24/08 , G01N23/02 , G01N7/14
摘要： 본발명은 1회의스캔으로콘빔컴퓨터단층재건영상, 물질분해재건영상및 단색엑스선에너지영상을생성할수 있는저선량엑스선콘빔 CT 영상장치및 이를이용한영상생성방법에관한것으로, 본발명에따른저선량엑스선콘빔 CT 영상장치는, 피검체를향하여엑스선을조사하는엑스선조사부; 상기엑스선조사부에서조사되는엑스선의선량을선택적으로감속시키는콜리메이터; 상기엑스선조사부와대향하도록배치되며, 감속되지않은제1 투과영상데이터를검출하는엑스선검출모듈과, 상기콜리메이터에의해감속된제2 투과영상데이터를검출하는광자계수검출모듈을포함하는투과영상데이터검출부; 및, 상기검출된제1 및제2 투과영상데이터를이용하여재건영상을생성하는제어부를포함하는것을특징으로한다.

33. 发明公开

KR1020160059346A 디지털유방단층합성법 영상을 이용한 유방조영술영상 합성장치 및 그 방법 审中-实审
标题翻译： MAMMOGRAM合成装置和使用数字乳头状态图像的方法
公开(公告)号：KR1020160059346A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：KR1020140161132
申请日：2014-11-18
申请人： 한국과학기술원 , 한국전기연구원
发明人： 조승룡 , 이태원 , 홍준표 , 최영욱 , 김형석
IPC分类号： A61B6/00 , G06T5/40
CPC分类号： A61B6/502 , G06T5/40 , G06T2207/10116 , G06T2207/30068
摘要： 본발명은디지털유방단층합성법영상을이용한유방조영술영상합성장치및 그방법이개시된다. X선검출기로부터영상데이터를수신받는입력부및 상기수신된영상데이터를전처리과정으로디지털유방단층합성법(digital breast tomosynthesis) 영상을생성하고, 상기생성된디지털유방단층합성법영상으로부터전방투사(forward projection) 영상및 최대강도투사(maximum intensity projection) 영상을생성하며, 상기생성된전방투사영상에저역필터를적용하고, 상기생성된최대강도투사영상에고역필터를적용하는제어부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明，公开了使用数字乳房层析合成图像的乳房X线照相合成装置及其方法。本发明的目的是提供使用数字乳房断层合成图像的乳房X线照相合成装置，其通过使用数字乳房断层合成图像及其方法产生类似于具有低剂量的乳房X线照片图像的图像。乳房X线照相合成装置包括：输入单元，用于从X射线检测器接收图像数据; 以及控制单元，通过预处理接收到的图像数据来产生数字乳房断层合成图像，从产生的数字乳房断层合成图像产生前向投影图像和最大强度投影图像，以将低通滤波器应用于所产生的前向投影图像，并且对所产生的最大强度投影图像应用高通滤波器。

34. 发明公开

KR1020150126556A 마이크로칩 X선 단층촬영 시스템 및 이를 이용한 검사방법 无效
标题翻译：微型X射线计算机图像系统及其检测方法
公开(公告)号：KR1020150126556A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020150059977
申请日：2015-04-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 조승룡 , 박미란 , 조상훈
IPC分类号： G01N23/04 , H05G1/30
摘要： 마이크로칩 X선단층촬영시스템및 이를이용한검사방법이개시된다. 마이크로칩 X선단층촬영시스템은피검체에 X선을방사하여투과영상데이터를검출하는 X선단층영상촬영장치및 검출된투과영상데이터를기초로상기피검체의단면영상을재건하는제어부를포함하되, X선단층영상촬영장치는, 피검체를향하여 X선을방사하는 X선발생원, 피검체를상부에배치하고, X선발생원과대향되도록형성되며, 피검체를회전시키는제1 회전부, 피검체를통과한 X선에포함된투과영상데이터를검출하는검출부및 제1 회전부를회전시키는제2 회전부를포함한다.
摘要翻译：公开了一种微芯片X射线计算机断层摄影系统及使用其的检查方法。根据本发明的微芯片X射线计算机断层摄影系统包括：X射线计算机断层摄影装置，用于将X射线照射到目标体上以检测透射图像数据; 以及控制单元，用于基于检测到的透射图像数据来重建目标体的横截面图像。 X射线计算机断层摄影装置包括：X射线产生源，用于向目标体辐射X射线; 将目标体放置在其上部的第一旋转单元面对X射线产生源，并旋转目标体; 检测单元，检测包含在穿过所述目标体的X射线中的透射率图像数据; 以及旋转第一旋转单元的第二旋转单元。

35. 发明公开

KR1020030026495A 평면형 애벌랜치 포토다이오드 失效
标题翻译： AVALANCHE光电
公开(公告)号：KR1020030026495A
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：KR1020010059499
申请日：2001-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김문덕 , 조승룡 , 범진욱
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107
摘要： PURPOSE: An avalanche photodiode is provided to form uniform magnetic field and minimize a leakage current by using a contact layer having a core part and a guard part and an upper electrode having a core electrode and a guard electrode. CONSTITUTION: An n-type bottom electrode(200) is formed under an n-type InP substrate(100). An n-type amplification layer(110) is formed on the n-type InP substrate(100). An n-type InP charge layer(120) is formed on the n-type amplification layer(110). An n-type InP transition layer(130) is formed on the n-type InP charge layer(120). An n-type InGaAs absorbing layer(140) is formed on the n-type InP transition layer(130). A p-type InP contact layer(150) is formed on the n-type InGaAs absorbing layer(140). The p-type InP contact layer(150) is formed with a core part(154) and a guard part(158). An insulating layer(170) is formed on the n-type InGaAs absorbing layer(140) and the p-type InP contact layer(150). A p-type upper electrode(180) is formed on the p-type InP contact layer(150). A guard electrode(190) is formed on the guard part(158).
摘要翻译：目的：提供雪崩光电二极管以形成均匀的磁场，并通过使用具有芯部分和保护部分的接触层以及具有芯电极和保护电极的上电极来最小化泄漏电流。构成：n型底部电极（200）形成在n型InP衬底（100）的下方。在n型InP衬底（100）上形成n型放大层（110）。 n型InP电荷层（120）形成在n型放大层（110）上。在n型InP电荷层（120）上形成n型InP过渡层（130）。在n型InP过渡层（130）上形成n型InGaAs吸收层（140）。在n型InGaAs吸收层（140）上形成p型InP接触层（150）。 p型InP接触层（150）形成有芯部（154）和防护部（158）。在n型InGaAs吸收层（140）和p型InP接触层（150）上形成绝缘层（170）。 p型上电极（180）形成在p型InP接触层（150）上。保护电极（190）形成在防护部（158）上。

36. 发明公开

KR1020030082013A 애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법 失效
标题翻译： AVALANCHE光电及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030082013A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：KR1020020020491
申请日：2002-04-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양승기 , 조승룡 , 전병옥
IPC分类号： H01L29/862
摘要： PURPOSE: An avalanche photodiode and a method for manufacturing the same are provided to be capable of overcoming local breakdown phenomenon, such as the edge breakdown generated at the peripheral portion of an amplifying layer, and smoothly obtaining amplification gain at the center portion of the amplifying layer. CONSTITUTION: An avalanche photodiode is provided with a substrate(20), a predetermined layer formed at the upper portion of the substrate, a diffusion layer(25,26) formed at the upper portion of the resultant structure, a guard ring part(60) electrically isolated from the diffusion layer, a P type electrode(28) formed at the upper portion of the diffusion layer, and an N type electrode(29) formed at the back side of the substrate. At this time, the predetermined layer is formed by sequentially depositing a light absorbing layer(21), a grading layer(22), an electric field buffer layer(23), and an amplifying layer(24) on the substrate. Preferably, the edge portion of the amplifying layer is thinly formed than the center portion of the amplifying layer as much as 30-40 nm.
摘要翻译：目的：提供一种雪崩光电二极管及其制造方法，其能够克服局部击穿现象，例如在放大层的周边部分产生的边缘击穿，并且平滑地获得放大器的中心部分的放大增益层。构成：雪崩光电二极管设置有基板（20），形成在基板的上部的预定层，形成在所得结构的上部的扩散层（25,26），保护环部分（60 ），在扩散层的上部形成的P型电极（28）和形成在基板的背面的N型电极（29）。此时，通过在基板上依次沉积光吸收层（21），分级层（22），电场缓冲层（23）和放大层（24）来形成预定层。优选地，放大层的边缘部分比放大层的中心部分薄多达30-40nm。

37. 发明公开

KR1020030001143A 역적층 구조를 갖는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 失效
标题翻译：具有反向堆叠结构的平面AVALANCHE光电
公开(公告)号：KR1020030001143A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020010037513
申请日：2001-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 범진욱 , 오경석 , 조승룡
IPC分类号： H01L31/107
摘要： PURPOSE: A planar avalanche photodiode having an inversely stacked structure is provided to minimize dependency on characteristics of the avalanche photodiode in a diffusion process. CONSTITUTION: A p-type InP amplification layer(220), a p-type InGaAsP grading layer(230), a p-type InP charge layer(240), a p-type InGaAs absorbing layer(250), and a p-type InP cap layer(260) are stacked on a p-type InP semiconductor substrate(210). A diffusion mask is stacked on the p-type InP cap layer(260). An n-type diffusion region(270) is formed on the p-type InP cap layer(260) and the p-type InGaAs absorbing layer(250) by diffusing n-type dopants. The diffusion mask is removed by performing an etch process. A protective layer(290) is stacked on the p-type InP cap layer(260) by using a photo-lithography process and the etch process. An n-type upper electrode(280) is stacked on a surface of the exposed diffusion region(270). A p-type lower electrode(310) is stacked under the p-type InP semiconductor substrate(210). An SiO2 light receiving layer(300) is stacked under the p-type InP semiconductor substrate(210).
摘要翻译：目的：提供具有相反堆叠结构的平面雪崩光电二极管，以最小化对扩散过程中雪崩光电二极管特性的依赖性。构成：p型InP放大层（220），p型InGaAsP分级层（230），p型InP电荷层（240），p型InGaAs吸收层（250）型的InP覆盖层（260）堆叠在p型InP半导体衬底（210）上。扩散掩模层叠在p型InP覆盖层（260）上。通过扩散n型掺杂剂，在p型InP覆盖层（260）和p型InGaAs吸收层（250）上形成n型扩散区（270）。通过进行蚀刻处理去除扩散掩模。通过使用光刻工艺和蚀刻工艺将保护层（290）堆叠在p型InP覆盖层（260）上。在暴露的扩散区域（270）的表面上层叠有n型上部电极（280）。 p型下电极（310）堆叠在p型InP半导体衬底（210）的下方。 SiO 2光接收层（300）层叠在p型InP半导体衬底（210）的下方。

38. 发明公开

KR1020010094513A 선택 영역 성장법을 이용한 도파로형 광 수신 소자의 제작방법 无效
标题翻译：基于选择区域生长技术制造波导光电子的方法
公开(公告)号：KR1020010094513A
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：KR1020000016857
申请日：2000-03-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조승룡
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A fabrication method of waveguide photodetectors is provided to improve a yield and to simplify the manufacturing process without using mesa etching by directly forming a mesa structure using a selective area growing method. CONSTITUTION: A mesa structure is formed by sequentially growing a lower clad layer(12) of InGaAsP, a lower waveguide(13) of undoped InGaAs, an active layer(14) of undoped InGaAsP, and an upper waveguide(15) of undoped InP on an InP substrate(11) by selective area growth using a SiO2 mask. After removing the SiO2 mask, a Zn diffused region(16) is formed by diffusing zinc into the active region(14). A passivation layer is formed by coating a BCB(bisbenzocyclobutene) at both sides of the mesa structure. A P-type metal electrode(17) and an N-type metal electrode(18) are formed on the Zn diffused region(16) and on the rear surface of the substrate(11), respectively.
摘要翻译：目的：提供一种波导光电检测器的制造方法，以便通过使用选择性区域生长方法直接形成台面结构来提高成品率并简化制造工艺而不使用台面蚀刻。构成：通过依次生长InGaAsP的下包层（12），未掺杂的InGaAs的下波导（13），未掺杂的InGaAsP的有源层（14）和未掺杂的InP的上波导（15），形成台面结构通过使用SiO 2掩模的选择性区域生长在InP衬底（11）上。在除去SiO 2掩模之后，通过将锌扩散到有源区（14）中形成Zn扩散区（16）。通过在台面结构的两侧涂覆BCB（双苯并环丁烯）形成钝化层。分别在Zn扩散区域（16）和基板（11）的后表面上形成P型金属电极（17）和N型金属电极（18）。

39. 发明授权

KR100464452B1 애벌런치 포토다이오드 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 애벌런치포토다이오드및그제조방법
公开(公告)号：KR100464452B1
公开(公告)日：2005-01-03
申请号：KR1020020020491
申请日：2002-04-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양승기 , 조승룡 , 전병옥
IPC分类号： H01L29/862
摘要： PURPOSE: An avalanche photodiode and a method for manufacturing the same are provided to be capable of overcoming local breakdown phenomenon, such as the edge breakdown generated at the peripheral portion of an amplifying layer, and smoothly obtaining amplification gain at the center portion of the amplifying layer. CONSTITUTION: An avalanche photodiode is provided with a substrate(20), a predetermined layer formed at the upper portion of the substrate, a diffusion layer(25,26) formed at the upper portion of the resultant structure, a guard ring part(60) electrically isolated from the diffusion layer, a P type electrode(28) formed at the upper portion of the diffusion layer, and an N type electrode(29) formed at the back side of the substrate. At this time, the predetermined layer is formed by sequentially depositing a light absorbing layer(21), a grading layer(22), an electric field buffer layer(23), and an amplifying layer(24) on the substrate. Preferably, the edge portion of the amplifying layer is thinly formed than the center portion of the amplifying layer as much as 30-40 nm.
摘要翻译：目的：提供一种雪崩光电二极管及其制造方法，能够克服局部击穿现象，例如在放大层周边部分产生的边缘击穿，并在放大中心部分平滑地获得放大增益层。本发明提供一种雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管具有基板（20），形成在基板上部的规定层，形成在所得到的结构上部的扩散层（25,26），保护环部（60 ）与扩散层电隔离，形成在扩散层上部的P型电极（28）以及形成在基板背面的N型电极（29）。此时，通过在基板上依次沉积光吸收层（21），缓变层（22），电场缓冲层（23）和放大层（24）来形成预定层。优选地，放大层的边缘部分比放大层的中心部分薄地形成多达30-40nm。

40. 发明授权

KR100480288B1 평면형 애벌랜치 포토다이오드 失效
标题翻译：平面AVALANCHE PHOTODIODE
公开(公告)号：KR100480288B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020010059499
申请日：2001-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김문덕 , 조승룡 , 범진욱
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107
摘要： 본 발명에 따른 평면형 애벌랜치 포토다이오드는, 기판과; 상기 기판의 하부면 밑에 형성된 하부 전극과; 상기 기판 상에 형성되며, 내부 전기장에 의해 주입된 제1 캐리어가 이온화 충돌을 통해 새로운 전자-정공 쌍을 생성하는 증폭층과; 입사된 광에 의해 여기된 전자-정공 쌍이 내부 전기장에 의해 분리됨에 따라 상기 제1 캐리어를 생성하는 흡수층과; 상기 증폭층 및 흡수층 사이에 형성되며, 상기 흡수층과 증폭층에 각각 상대적으로 세기가 낮고 높은 전기장을 인가하는 전하층과; 상기 전하층 및 흡수층 사이에 형성되며, 상기 제1 캐리어가 상기 증폭층으로 원활하게 주입되도록 하는 천이층과; 상기 흡수층 상에 형성되며, 그 중심에 형성된 코아부와 에칭 공정에 의해 상기 코아부와 이격되며 상기 코아부를 둘러싸는 가드부로 구성된 접촉층과; 상기 하부 전극과 함께 상기 내부 전기장을 형성하며, 상기 코아부 상에 형성된 코아 전극과 상기 가드부 상에 형성된 가드 전극으로 구성된 상부 전극을 포함한다.

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