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31. 发明公开

KR1020010088057A 이리듐(Ｉｒ) 전극의 건식 식각방법 失效
标题翻译：干蚀刻（IR）电极的方法
公开(公告)号：KR1020010088057A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020000012055
申请日：2000-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： C23F4/00 , H01L21/32136 , C23F1/12 , C23F1/02
摘要： PURPOSE: A method for dry etching an iridium (Ir) electrode is provided which effectively excludes generation of etch residue during etching process of an Ir electrode using a photoresist mask, favorably maintains profile of the Ir electrode by highly maintaining selectivity of the photoresist mask, and etches the Ir electrode in a high etching speed. CONSTITUTION: The method for dry etching an iridium (Ir) electrode comprises the steps of depositing an iridium metallic thin film on a substrate; forming a certain patterned photoresist mask on the metallic thin film; etching the metallic thin film which is not covered by the photoresist mask into a certain pattern using the etching gas by generating plasma with an etching gas containing an inert gas and fluorine gas; and removing the photoresist mask, wherein the fluorine gas contains any one gas from C2F6, CF4, C3F8 or SF6, wherein the inert gas is Ar, He, Ne, Kr or N2, and wherein the plasma is generated by a high density etching apparatus using inductively coupled plasma.
摘要翻译：目的：提供一种用于干蚀刻铱（Ir）电极的方法，其有效地排除了在使用光致抗蚀剂掩模的Ir电极的蚀刻工艺期间产生蚀刻残留物，有利地通过高度维持光致抗蚀剂掩模的选择性来保持Ir电极的轮廓，并以高蚀刻速度蚀刻Ir电极。构成：用于干蚀刻铱（Ir）电极的方法包括以下步骤：在基底上沉积铱金属薄膜; 在金属薄膜上形成一定的图案化光刻胶掩模; 通过使用含有惰性气体和氟气的蚀刻气体产生等离子体，使用蚀刻气体将未被光致抗蚀剂掩模覆盖的金属薄膜蚀刻成一定的图案; 除去光致抗蚀剂掩模，其中氟气含有来自C2F6，CF4，C3F8或SF6的任何一种气体，其中惰性气体是Ar，He，Ne，Kr或N2，其中等离子体由高密度蚀刻装置产生使用电感耦合等离子体。

32. 发明授权

KR100287118B1 강유전체 캐패시터의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100287118B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019940025193
申请日：1994-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정일섭 , 유인경 , 정지원
IPC分类号： H01M4/04
摘要： PURPOSE: Provided is a method for manufacturing ferroelectric capacitor, which can overcome problems associated with fatigue and the leakage current of the ferroelectric capacitor. CONSTITUTION: The method for manufacturing ferroelectric capacitor comprises forming an oxide film on the interface between ferroelectrics layer and metallic electrode formed on SiO2/Si substrate. The oxide film is selected from the group consisting of TiO2-x, RuO2-x and Al2O3-x. The oxide film is formed by sputtering or MOCVD process. The formed oxide film is heat treated in an atmosphere of oxygen, or in an atmosphere of mixed oxygen and nitrogen. The thickness of the oxide film is 4-20 nanometer.

33. 发明公开

KR1020010018056A ＳＢＴ 박막의 건식 식각방법 无效
标题翻译：含有STR UM STR FOR FOR FOR UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM UM
公开(公告)号：KR1020010018056A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990033857
申请日：1999-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A dry etching method for a thin layer containing strontium, bismuth and tantalum and mostly used for a ferroelectric capacitor is provided to enable a minute, exact and clean etching. CONSTITUTION: After an electrode layer(12) such as a platinum layer is formed on a substrate(11), the thin layer(13) is formed thereon and a photoresist pattern(14) is then formed on the thin layer(13). Thereafter, a resultant etching object(10) is loaded in an etching chamber. Subsequently, while an internal pressure of the etching chamber is maintained within preset ranges, a mixed etchant gas containing a chlorine, a carbon fluoride and an argon gases is supplied into the etching chamber and turned into a plasma state. The thin layer(13) is then etched into a desired pattern. Preferably, the chlorine gas is mixed in the etchant gas more than one part by volume per one part of the carbon fluoride gas. In addition, the chlorine and carbon fluoride gases may cover together a volume ratio of 30 to 40 percent in the etchant gas.
摘要翻译：目的：提供一种用于包含锶，铋和钽并且主要用于铁电电容器的薄层的干蚀刻方法，以实现精细和精确的蚀刻。构成：在基板（11）上形成诸如铂层的电极层（12）之后，在其上形成薄层（13），然后在薄层（13）上形成光刻胶图案（14）。此后，将所得的蚀刻对象（10）装入蚀刻室。随后，当蚀刻室的内部压力保持在预设范围内时，将含有氯，氟化碳和氩气的混合蚀刻剂气体供应到蚀刻室中并变成等离子体状态。然后将薄层（13）蚀刻成所需的图案。优选地，氯气在蚀刻剂气体中每一份氟化碳气体混合超过一份体积。此外，氯和氟化碳气体可以在蚀刻剂气体中一起覆盖30％至40％的体积比。

34. 发明公开

KR1019990032086A 솔-젤법을 이용한 ＳＢＴ 강유전체 박막의 제조방법 无效
标题翻译：溶胶 - 凝胶法制备SBT铁电薄膜的方法
公开(公告)号：KR1019990032086A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970053018
申请日：1997-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： H01G9/00
摘要： 본 발명은 솔-젤법을 이용한 SrBi
2 Ta
2 O
9 강유전체 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 SrBi
2 Ta
2 O
9 강유전체 박막의 제조 방법은, 스트론튬 프리커서로서 스트론튬 아세테이트를 사용하고 용매로서 아세틱 액시드를 사용하며, 탄탈륨 프리커서로서 탄탈륨 에쏙사이드를 사용하고 용매로서 2-메쏙시에타놀을 사용하며, 비스무쓰 프리커서로서 비스무쓰 2-에틸헥사노에이트를 사용하고 용매로서 2-에틸헥사노익 액시드를 사용함으로써, 보다 간편한 양질의 박막을 제조하여 반복적인 기록에 따른 강유전체 박막의 피로도를 줄일 수 있다.

35. 发明公开

KR1019970051511A 폴리이미드를 사용한 인덕터 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：使用聚酰亚胺的电感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970051511A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950055465
申请日：1995-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원 , 이귀로
IPC分类号： H01F27/00

36. 发明公开

KR1019970008642A 쌍극성 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970008642A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950020176
申请日：1995-07-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331
摘要： 본 발명은 쌍극성 NPN 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 에미터 폴리와 베이스 폴리가 질화막과 실리콘 산화막으로 격리되어 있는 수직 구조의 쌍극성 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 컬렉터 영역과 베이스 영역이 형성되어 있는 실리콘 기판 위에 에미터 폴리가 형성되어 있고 에미터폴리 보다 폭이 크게 제1질화막 및 제1산화막을 형성하고 에미터 폴리 측면 및 기판 상부에 제2산화막을 형성함과 동시에 에미터 폴리의 불순물을 베이스 영역으로 확산시켜 에미터 영역을 형성하고 질화규소를 적층하여 반응성 이온 식각으로 에미터 폴리 옆면 제1질화막 하부 및 이에 대응하는 제2산화막 윗 부분으로 이루어진 제2질화막을 형성하고 베이스 영역 위의 제2산화막을 제거하고 제1산화막 및 제1질화막을 제거하고 베이스 영역 위에 폴리실리콘으로 베이스 폴리를 형성한다. 이와 같이 본 발명에서는 에미터 폴리 형성시 식각 방법의 변경을 통해 소자의 손상을 방지하여 소자의 성능을 좋게 하고 에미터 폴리와 베이스 폴리를 자기 정합으로 형성하게 된다.

37. 发明公开

KR1019960036048A 강유전성캐패시터의제조방법 失效
标题翻译：制造铁电电容器的方法
公开(公告)号：KR1019960036048A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950005784
申请日：1995-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 본 발명은 FRAM(Ferroelectric Random Acess Memory)에 메모리 셀로 사용되는 강유전성 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명 제조방법은, 기판에 하부 전극과 상부 전극 및 상부 전극을 포함하는 적층을 형성하는 단계; 상기 상부 전극의 위에 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 소정 패턴으로 가공하는 패터닝 단계; 상기 기판을 에칭함에 있어서, 그 주위에 RF코일이 마련된 플라즈마 에칭 장치의 채임버 내부에 마련된 것으로 소정의 바이어스 전압이 인가되는 홀더에 장착하며, 채임버 내에 Ar, C
2 F
6, C1 가스를 소정 함량비의 소정 압력으로 주입하며, 상기 채임버 내에 RF 코일에 소정 주파수의 펄스를 소정 파워로 인가하여 상기 채임버 내에 소정 강도의 자장을 형성하면서 플라즈마를 발생시켜, 포토레지스트를 마스크로 사용하여 상부 전극으로부터 상기 강유전체에 이르기까지 고밀도로 유도된 Ar, C
2 F
6 , C1
2 가스 플라즈마로 에칭하는 단계;를 포함한다. 이러한 본 발명에 의하면 강유전체 물질과 전극 물질의 에칭 속도를 현저히 증가시키며, 특히 포터제지스트에 대한 강유전체페물질과 전극 물질의 선택도를 향상시킬 수 있음으로써 포토레지스트를 마스크물질로 사용할 수 있게 된다.

38. 实用新型

KR2019910009210Y1 텔레비젼의 편향 찌그러짐 보정회로 失效
标题翻译：电视偏转失真校正电路
公开(公告)号：KR2019910009210Y1
公开(公告)日：1991-11-25
申请号：KR2019850015496
申请日：1985-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원
IPC分类号： H04N3/22
摘要： 내용 없음.

39. 发明授权

KR102240302B1 가상 피팅 장치 및 이의 가상 피팅 방법 有权
公开(公告)号：KR102240302B1
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：KR1020140142363
申请日：2014-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원 , 김도균 , 주은정 , 곽영민 , 신승호 , 한선영
IPC分类号： G06Q50/10
摘要： 가상피팅장치및 이의가상피팅방법이제공된다. 본가상피팅방법은사용자를촬영하여실사영상을획득하고, 사용자의체형및 움직임을바탕으로사용자에대응되는아바타를포함하는가상영상을획득하며, 실사영상과가상영상을분석하여실사영상및 가상영상각각에대한합성영역을판단하고, 실사영상의합성영역및 가상영상의합성영역을합성하여가상피팅영상을출력한다.

40. 发明公开

KR1020170112847A 객체에 관한 정보를 제공하는 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于提供关于对象的信息的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170112847A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160053546
申请日：2016-04-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원 , 김도균 , 신승호 , 이건일 , 최성도 , 이준현 , 김창용
IPC分类号： G06Q30/06 , G06K9/20 , G06K9/32 , G06K9/46 , G06F17/30 , G06T7/00
摘要： 객체가포함된이미지를기초로상기객체의형태를분석하여, 객체의종류를결정하고, 디바이스에기 설정된복수의식별기준중에서결정된객체의종류에대응되는식별기준에기초하여, 객체를식별하며, 식별된객체에관한정보를디바이스의화면에표시하는디바이스가객체에관한정보를제공하는방법이개시된다.
摘要翻译：通过分析对象的基于包含对象，并确定对象的类型，对应于从所识别的多个预定的，以基于所述对象上的设备所确定的类型的标识标准的基础上，并识别对象的图像的形状，提供了关于对象的信息的方法，该设备在设备的屏幕上显示关于所识别的对象的信息。

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