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31. 发明公开

KR1019990070422A 반도체소자제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990070422A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980005247
申请日：1998-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식 , 이영현
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 본 발명에 의한 반도체 소자 제조방법은, 트랜지스터 형성시 LDD(lightly doped drain)나 MDD(moderate doped drain) 이온주입 공정 이후에 곧바로 저온 열처리(450 ~ 700℃에서 30 ~ 60분간)를 실시하도록 이루어져, LDD나 MDD 이온주입시 생성되는 실리콘 결함을 저온 열처리 공정을 이용하여 경화시킬 수 있게 되므로, 이후 고농도 불순물을 이온주입한 후 디퓨젼(diffusion) 공정을 실시하더라도 불순물 재분배로 인한 채널의 농도 프로파일 변화가 일어나지 않게 되어, RSCE(reverse short channel defect) 발생을 최소화할 수 있게 되고, 그 결과 0.25㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 트랜지스터에서의 SCE(short channel effect)를 개선할 수 있게 된다.

32. 发明公开

KR1019990049782A 게이트 폴리의 스페이서가 살리사이드화 된 모스펫 소자 및 그제조방법 无效
标题翻译：其中栅极多晶硅的间隔物被硅化的Mosfet器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990049782A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970068779
申请日：1997-12-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식 , 신형호
IPC分类号： H01L29/76
摘要： 본 발명에서는 반도체 기판과; 그 위에 형성되는 게이트 절연막 및 게이트 폴리와; 게이트 폴리의 측벽에 형성되는 폴리실리콘 스페이서와; 상기 게이트 폴리의 주위 기판에 형성되는 소정의 LDD(또는 MDD)를 갖는 소스/드레인 활성 영역과; 상기 게이트 폴리, 스페이서 및 소스/드레인 활성 영역의 표면 실리콘층에 형성되는 살리사이드를 포함하는 게이트 폴리의 스페이서가 살리사이드화 된 모스펫 소자를 개시한다. 이에 의하면 LDD 영역(또는 MDD 영역)을 게이트로 조절하여 포화전류를 증가시킬 수 있게 됨은 물론 기존 공정에서 발견되었던 소스/드레인 직렬저항을 줄일 수 있고 핫-캐리어 주입에 대한 신뢰도를 개선하는 효과를 갖는다.

33. 发明公开

KR1019980057882A 반도체 소자의 레지스터 제조방법 无效
标题翻译：制造半导体器件电阻器的方法
公开(公告)号：KR1019980057882A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960077186
申请日：1996-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 레지스터 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 기판을 절연시킴으로서 도펀트를 투입시켜 안정적인 레지스터 구조를 얻을 수 있는 반도체 소자의 레지스터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 포토 마스크를 이용하여 반도체 기판의 상부에 액티브 레진과 필드 절연 수지를 형성하는 단계와; 상기 반도체 기판의 하부에 O
2 이온을 주입하여 절연 영역을 형성하는 단계와; 상기 절연 영역이 형성된 상태에서 산화 공정을 진행하여 산화막을 형성하는 단계와; 상기 산화막을 형성시킨 후에 이온을 주입하여 아닐링으로 레지스터를 형성하는 단계와; 상기 형성된 레지스터에 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 콘택홀에 금속막을 형성하여 레지스터를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 레지스터 제조방법을 제공한다.
상기와 같은 본 발명의 레지스터 제조 방법에 의하면, 파라스틱 캐패시턴스를 방지하고 폴리 성질에 의한 레지스터 산포를 방지할 수 있으며 레지스터값 조절이 쉽게 되는 효과가 있다.

34. 发明公开

KR1019970024137A 바이씨모스 및 그의 제조방법 失效
标题翻译： Baicemoss及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970024137A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034525
申请日：1995-10-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 실리콘 기판에 N
+ 형 이온이 도핑된 매몰층과 P형 이온이 도핑된 N
- 웰층을 형성하고, 상기 실리콘 기판위에 로코스를 형성하고, 상기 기판 상부에 형성된 로코스와 상기 기판 상부에 형성된 로코스와 상기 웰층 상부에 형성된 로코스 사이에 N 이온을 주입하여 깊은 N
+ 횡형 PNP 트랜지스터 베이스 콘택트를 형성한 후, 상기 웰층 상부에 게이트 산화막을 형성한 후 폴리 실리콘과 텅스텐 실리사이드층을 증착한 후 사진/식각 공정을 통해 게이트를 형성시킨다. 이어서, 상기 게이트 형성 후 P형 이온주입을 실시하여 P
- PMOS LDD 구조 및 횡형 PNP 트랜지스터 LDC 구조를 동시에 형성시키고, 상기 게이트 산화막 위에 산화막을 증착하고 상기 산화막층을 이방성 건식 식각하여 스페이서 월을 형성한 후 P
+ 이온 주입을 실시하여 PMOS 소스/드레인 형성 및 횡형 PNP 트랜지스터 에미터/콜렉터 구조를 형성하여 바이씨모스(BiCMOS)를 제조하는 방법은 PMOS의 LDD 구조를 통해 전류 구동 능력을 향상시키고 핫 케리어 효과를 감소시키며 펀치 쓰루를 개선시킬 수 있다. 또한, 횡형 PNP 트랜지스터의 LDC 구조를 통해 전류 구동 능력 개선과 핫 케리어 효과에 의한 신뢰도 개선 및 BVceo 개선을 시킬 수 있다. 횡형 PNP 트랜지스터의 에미터-콜렉터 접합을 얕게 형성시키므로서 BVceo 및 BVcbo, BVebo, BVdss 개선도 동시에 꾀할 수 있다.

35. 发明公开

KR1019960035793A 빤도체장치의 제조방법 失效
标题翻译：大流行装置的制造方法
公开(公告)号：KR1019960035793A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950004980
申请日：1995-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 이 발명은 반도체 창치 및 제조방법에 관한 것으로서, HALO 이온주입의 단점을 보완하고 전류구동력(Current driving capability)을 향상시키기 위한, 좌우에 각각 제2이온주입영역(19)이 넓게 형성되어 있고, 상기 제2이온주입영역(19)의 안쪽으로 제1이온주입영역(17)이 각각 형성되어 있고, 상기 제1이온주입영역(17)의 상부에 저농도 이온주입영역(15)이 상기 제2이온주입영역에 접하도록 형성되어 있는 실리콘 기판(12)과; 상기 실리콘기판(11)의 상부에 전면 적층되어 있는 게이트산화막(12)과; 상기 게이트 산화막 상부에 패턴되어 있는 케이트폴리층(13)과 : 상기 게이트폴리층(13)의 상부에 패턴되어 있는 텅스텐실리사이드층(12)과 : 상기 텅스텐실리사이드층(14)의 상부에 상기 게이트폴리층(13)과 상기 박막폴리층(16)을 포함하도록 패턴되어 있는 박막폴리층(16)과 : 상기 박막폴리층(16)의 상부에 패턴되어 있는 스페이서월(18)으로 이루어져 있는 반도체 장치 및 제조방법에 관한 것이다.

36. 实用新型

KR2019840003225U 선풍기의 날개 취부 구조 无效
标题翻译：风扇的翼安装结构
公开(公告)号：KR2019840003225U
公开(公告)日：1984-07-25
申请号：KR2019820010463
申请日：1982-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식
IPC分类号： F04D29/34

37. 发明公开

KR1020170065085A 시스템 리소스 관리를 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于系统资源管理的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170065085A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150170966
申请日：2015-12-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유창훈 , 김원진 , 김현식 , 문선호 , 안민욱 , 김락기 , 조경수 , 니쿤쥬사운시 , 파리차이카푸르 , 아가왈판카즈 , 김원섭 , 김진효 , 김형훈 , 오지수 , 이경호 , 이승범 , 이진석 , 장동기 , 조수빈 , 아뿌르브칸살
IPC分类号： G06F9/50 , G06F12/02 , G06F12/08
CPC分类号： G06F9/50 , G06F12/02 , G06F12/0882
摘要： 본개시는다양한상황에서시스템리소스관리에관한것이다. 본개시에서는전자장치가데이터에대한특정연산을위해패딩(padding)을할 경우메모리요구량을줄이고처리속도를향상시키기방법및 장치를제공한다. 상술한목적을달성하기위한본 개시에서전자장치의동작방법은, 제1 메모리로부터데이터의제1 일부를읽는과정과, 제1 일부에포함된다수의바이트들중 데이터의경계영역에속하는바이트의주소에기반하여제1 패딩주소를결정하는과정과, 다수의바이트들의값과제1 패딩주소에대응하는값을제2 메모리에쓰는과정과, 제1 메모리로부터데이터의제2 일부를읽는과정을포함한다.
摘要翻译：本公开涉及在各种情况下的系统资源管理。本公开提供了一种用于在电子设备针对数据进行特定操作时进行缓冲时减少存储器需求并提高处理速度的方法和装置。根据本发明的另一方面，提供了一种操作电子设备的方法，包括：从第一存储器读取第一部分数据; 将对应于多个字节的值任务的填充地址的值写入第二存储器，并且从第一存储器读取数据的第二部分; 。

38. 发明授权

KR101736974B1 열전재료 및 열전재료의 제조방법 有权
标题翻译：制造热电材料和热电材料的方法
公开(公告)号：KR101736974B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020100032287
申请日：2010-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식 , 이규형 , 이상목 , 이은성 , 이향숙
IPC分类号： H01L35/16 , B82Y30/00 , H01L35/26 , H01L35/18 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/16 , B82Y30/00 , H01L35/00 , H01L35/02 , H01L35/18 , H01L35/26
摘要： 열전재료매트릭스와상기열전재료매트릭스보다낮은용융점을갖는나노금속의원료물질의혼합물을형성하고, 상기혼합물을용융시키고, 상기용융된혼합물을재결정시키는단계를포함하는열전재료의제조방법이개시된다. 상기열전재료매트릭스와상기나노금속의혼합비는상기혼합물의용융점이가장낮은값은갖도록결정된다.
摘要翻译：一种制造热电材料的方法，包括：形成热电材料基体和熔点低于热电材料基体的纳米金属原材料的混合物，熔化混合物，并使熔化的混合物再结晶。确定热电材料基体和纳米金属的混合比例，使得混合物的熔点具有最低值。

39. 发明公开

KR1020110112993A 열전재료 및 열전재료의 제조방법 有权
标题翻译：热电材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110112993A
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020100032287
申请日：2010-04-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현식 , 이규형 , 이상목 , 이은성 , 이향숙
IPC分类号： H01L35/16 , B82Y30/00 , H01L35/26 , H01L35/18 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/16 , B82Y30/00 , H01L35/00 , H01L35/02 , H01L35/18 , H01L35/26 , H01L35/34
摘要： 열전재료 매트릭스와 상기 열전재료 매트릭스보다 낮은 용융점을 갖는 나노 금속의 원료 물질의 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물을 용융시키고, 상기 용융된 혼합물을 재결정시키는 단계를 포함하는 열전재료의 제조방법이 개시된다. 상기 열전재료 매트릭스와 상기 나노 금속의 혼합비는 상기 혼합물의 용융점이 가장 낮은 값은 갖도록 결정된다.

40. 发明公开

KR1020110107136A 자기열효과 물질의 미세결정 입자의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 따라 제조된 자기열효과 물질의 미세결정 입자 无效
标题翻译：制备磁性效应材料的微晶颗粒的方法和由其制备的磁性效应材料的微晶颗粒
公开(公告)号：KR1020110107136A
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020100026325
申请日：2010-03-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권순재 , 김현식
IPC分类号： C09K5/14
CPC分类号： C09K5/14 , Y10S505/896
摘要： 금속, 금속 할로겐화물, 금속 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 제1 전구체; 준금속, 준금속 할로겐화물, 준금속 산화물, 프닉타이드(pnictide)계 물질, 프닉타이드(pnictide)계 물질의 할로겐화물, 프닉타이드(pnictide)계 물질의 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 제2 전구체; 및 Ⅰ족 원소, Ⅱ족 원소, Ⅲ족 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 환원제를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계, 상기 혼합물을 열처리하는 단계 및 상기 열처리한 혼합물을 산 또는 염기로 세척하는 단계를 포함하는 자기열효과 물질의 미세결정 입자의 제조 방법을 제공한다.

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