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31. 发明专利

TW201102448A 蒸鍍處理裝置及蒸鍍處理方法 VAPOR DEPOSITION PROCESSING DEVICE AND VAPOR DEPOSITION PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：蒸镀处理设备及蒸镀处理方法 VAPOR DEPOSITION PROCESSING DEVICE AND VAPOR DEPOSITION PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201102448A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW099112952
申请日：2010-04-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小野裕司 , 江面知彥 , 林輝幸 , 田村明威 , 齊藤美佐子 , 桑田拓岳 , 大槻志門
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246
摘要：本發明旨在提供一種蒸鍍處理裝置及蒸鍍處理方法，可使保持高流動性之狀態之顆粒狀有機材料高效率地昇華、溶解。其中提供一種蒸鍍處理裝置，藉由蒸鍍之方式使薄膜成膜於基板，其特徵在於包含：材料供給裝置，可供給材料氣體並任意減壓；及成膜裝置，使薄膜成膜於該基板；且該材料供給裝置包含：定量部，用以使材料定量；及材料氣體產生部，使通過該定量部之材料氣化。
简体摘要：本发明旨在提供一种蒸镀处理设备及蒸镀处理方法，可使保持高流动性之状态之颗粒状有机材料高效率地升华、溶解。其中提供一种蒸镀处理设备，借由蒸镀之方式使薄膜成膜于基板，其特征在于包含：材料供给设备，可供给材料气体并任意减压；及成膜设备，使薄膜成膜于该基板；且该材料供给设备包含：定量部，用以使材料定量；及材料气体产生部，使通过该定量部之材料气化。

32. 发明专利

TW541595B 基板處理方法及基板處理裝置失效
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW541595B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW090130122
申请日：2001-12-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：菱屋晉吾 , 古澤純和 , 林輝幸 , 齊藤美佐子 , 梅澤好太 , 佐藤昌一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02046 , C30B33/00 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/02312 , H01L21/31138 , H01L21/31662 , H01L21/67109
摘要：本發明之處理裝置，以圖1為參考，乃具備有：具有溫(度)升(高)用加熱器12，且收容附著了有機物之晶圓10之反應笛2；要供應氧氣於反應管2內用的第1氣體引入管13；及要供應氫氣於反應管2內用的第2氣體引入管14。而由第1氣體引入管13供應氧氣及由第2氣體引入管14供應氫氣給予反應管2內，並由溫升用加熱器12來加熱反應管2成氧氣及氫氣可成為活性化之溫度。使得可產生燃燒反應於反應管2內，以氧化、分解所附著於晶圓10的有機物並予以去除。
简体摘要：本发明之处理设备，以图1为参考，乃具备有：具有温(度)升(高)用加热器12，且收容附着了有机物之晶圆10之反应笛2；要供应氧气于反应管2内用的第1气体引入管13；及要供应氢气于反应管2内用的第2气体引入管14。而由第1气体引入管13供应氧气及由第2气体引入管14供应氢气给予反应管2内，并由温升用加热器12来加热反应管2成氧气及氢气可成为活性化之温度。使得可产生燃烧反应于反应管2内，以氧化、分解所附着于晶圆10的有机物并予以去除。

33. 发明专利

TW201250775A 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201250775A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101105563
申请日：2012-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸 , 松岡孝明 , 小野裕司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0337 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719
摘要：本發明關於一種圖案形成方法及半導體裝置之製造方法,該圖案形成方法係形成當蝕刻基板上的被處理膜時成為遮罩的特定圖案,具有以下步驟:於基板的被處理膜上形成有機膜圖案之有機膜圖案形成步驟;之後,於該有機膜圖案上成膜矽氮化膜之成膜步驟;之後,使該矽氮化膜僅殘留於該有機膜圖案的側壁部般來蝕刻該矽氮化膜後,去除該有機膜圖案,而於基板的被處理膜上形成該矽氮化膜的該特定圖案之矽氮化膜圖案形成步驟。其中該成膜步驟係在維持基板溫度為100℃以下之狀態下,激發處理氣體而生成電漿,並藉由該電漿來進行電漿處理,而形成具有100MPa以下的膜應力之矽氮化膜。
简体摘要：本发明关于一种图案形成方法及半导体设备之制造方法,该图案形成方法系形成当蚀刻基板上的被处理膜时成为遮罩的特定图案,具有以下步骤:于基板的被处理膜上形成有机膜图案之有机膜图案形成步骤;之后,于该有机膜图案上成膜硅氮化膜之成膜步骤;之后,使该硅氮化膜仅残留于该有机膜图案的侧壁部般来蚀刻该硅氮化膜后,去除该有机膜图案,而于基板的被处理膜上形成该硅氮化膜的该特定图案之硅氮化膜图案形成步骤。其中该成膜步骤系在维持基板温度为100℃以下之状态下,激发处理气体而生成等离子,并借由该等离子来进行等离子处理,而形成具有100MPa以下的膜应力之硅氮化膜。

34. 发明专利

TW201247913A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201247913A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101104817
申请日：2012-02-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：金子裕是 , 林輝幸 , 小野裕司
IPC分类号： C23C
摘要：本發明之課題在於：從蒸鍍頭噴射之成膜材料會在被處理基板與處理室或是其他蒸鍍頭之間反彈，而在非應該蒸鍍之部位附著成膜材料、或是來自各成膜材料噴出部之蒸氣相混而以雜質的形式混入鄰接之膜中。本發明係針對具備有處理室(收容被處理基板)與成膜材料噴出部(使得成膜材料蒸氣朝該被處理基板噴出)之成膜裝置，於處理室內部具備捕捉部，來將從成膜材料噴出部所噴出而在被處理基板反彈之成膜材料加以捕捉。
简体摘要：本发明之课题在于：从蒸镀头喷射之成膜材料会在被处理基板与处理室或是其他蒸镀头之间反弹，而在非应该蒸镀之部位附着成膜材料、或是来自各成膜材料喷出部之蒸气相混而以杂质的形式混入邻接之膜中。本发明系针对具备有处理室(收容被处理基板)与成膜材料喷出部(使得成膜材料蒸气朝该被处理基板喷出)之成膜设备，于处理室内部具备捕捉部，来将从成膜材料喷出部所喷出而在被处理基板反弹之成膜材料加以捕捉。

35. 发明专利

TW201245890A 成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201245890A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101100398
申请日：2012-01-05
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸 , 松岡孝明 , 小野裕司
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/67069 , G03F7/16 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/6715 , H01L21/67207 , H01L21/67225
摘要：本發明係關於一種成膜裝置、基板處理系統、基板處理方法及半導體裝置的製造方法。於基板上形成由低分子化合物之分子阻劑所構成之阻劑圖案的基板處理系統係具備有：成膜裝置，係於基板上成膜出阻劑膜；曝光裝置，係將該成膜後之阻劑膜曝光；以及顯影裝置，係將該曝光後之阻劑膜顯影。該成膜裝置係具有：處理容器，係收納基板；保持台，係設置於該處理容器內而保持基板；阻劑膜用蒸鍍頭，係對該保持台所保持之基板供應該分子阻劑之蒸氣；以及減壓機構，係將該處理容器內之氛圍減壓至真空氛圍。
简体摘要：本发明系关于一种成膜设备、基板处理系统、基板处理方法及半导体设备的制造方法。于基板上形成由低分子化合物之分子阻剂所构成之阻剂图案的基板处理系统系具备有：成膜设备，系于基板上成膜出阻剂膜；曝光设备，系将该成膜后之阻剂膜曝光；以及显影设备，系将该曝光后之阻剂膜显影。该成膜设备系具有：处理容器，系收纳基板；保持台，系设置于该处理容器内而保持基板；阻剂膜用蒸镀头，系对该保持台所保持之基板供应该分子阻剂之蒸气；以及减压机构，系将该处理容器内之氛围减压至真空氛围。

36. 发明专利

TW201240185A 顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件 DISPLAY DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW201240185A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100144890
申请日：2011-12-06
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：石川拓 , 林輝幸
IPC分类号： H01L , H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/5253 , C23C16/54 , G09F13/22
摘要：本發明提供一種顯示元件製造裝置、顯示元件製造方法、及顯示元件,其能夠將顯示元件的暫時密封體暴露於大氣中而暫時保管;可得到具有因應要求性能的各種膜構造之顯示元件的完成品;並具有優良產出。利用第1密封膜形成裝置27在有機EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暫時密封體。利用LL28將該暫時密封體自減壓空間取出至位於大氣壓空間內的暫時密封體保管部29。暫時密封體,在由第1密封膜確保了耐透濕性的狀態下暫時保管於暫時密封體保管部29之後,視時機利用搬運裝置搬運至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成裝置30,在各SiN膜形成裝置30中,於暫時密封體上形成第2密封膜。
简体摘要：本发明提供一种显示组件制造设备、显示组件制造方法、及显示组件,其能够将显示组件的暂时密封体暴露于大气中而暂时保管;可得到具有因应要求性能的各种膜构造之显示组件的完成品;并具有优良产出。利用第1密封膜形成设备27在有机EL零件的表面形成第1密封膜,而得到暂时密封体。利用LL28将该暂时密封体自减压空间取出至位于大气压空间内的暂时密封体保管部29。暂时密封体,在由第1密封膜确保了耐透湿性的状态下暂时保管于暂时密封体保管部29之后,视时机利用搬运设备搬运至各第2密封膜形成部6的各SiN膜形成设备30,在各SiN膜形成设备30中,于暂时密封体上形成第2密封膜。

37. 发明专利

TW201214599A 遮罩固持裝置及薄膜形成裝置 MASK HOLDING DEVICE AND FILM FORMATION DEVICE 审中-公开
简体标题：遮罩固持设备及薄膜形成设备 MASK HOLDING DEVICE AND FILM FORMATION DEVICE
公开(公告)号：TW201214599A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100108767
申请日：2011-03-15
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小野裕司 , 林輝幸 , 戶部康弘 , 下茂文夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/042 , H01L51/0011
摘要：本發明提供一種遮罩固持裝置，其能以不讓遮罩產生皺褶的方式固持著遮罩，將不具有遮罩框之單體之遮罩運送到基板上，或是進行遮罩相對於基板的位置調整。於固持含有磁性材料並形成用以令薄膜於基板上形成圖案之開口的片狀遮罩之遮罩固持‧對位裝置5中，具有遮罩磁性吸附板54，其藉由配置於一面側的複數個永久磁石，而使遮罩磁性吸附於另一面側；該複數個永久磁石，在該遮罩磁性吸附板54的另一面側中的第1區域之磁場分布，與該另一面側中的第2區域之磁場分布相異。
简体摘要：本发明提供一种遮罩固持设备，其能以不让遮罩产生皱褶的方式固持着遮罩，将不具有遮罩框之单体之遮罩运送到基板上，或是进行遮罩相对于基板的位置调整。于固持含有磁性材料并形成用以令薄膜于基板上形成图案之开口的片状遮罩之遮罩固持‧对位设备5中，具有遮罩磁性吸附板54，其借由配置于一面侧的复数个永久磁石，而使遮罩磁性吸附于另一面侧；该复数个永久磁石，在该遮罩磁性吸附板54的另一面侧中的第1区域之磁场分布，与该另一面侧中的第2区域之磁场分布相异。

38. 发明专利

TW201001493A 圖案形成方法，半導體製造裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：图案形成方法，半导体制造设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201001493A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098104711
申请日：2009-02-13
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田村明威 , 林輝幸 , 藤原馨
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0337
摘要：對形成在基板上，具有由線和溝所構成之圖案之光阻遮罩，執行由薄膜之成膜、藉由該薄膜之各向異性蝕刻而在線之兩側壁形成堆積物、除去線，及將堆積物當作遮罩對堆積物之下方膜施予的蝕刻而所構成之雙圖案形成工程，而在下方膜形成由線和溝所構成之圖案，接著除去堆積物並且執行上述雙圖案形成工程。此時，將當初之線寬和溝之開口寬之比設為3：5，再者，以對應於溝之薄膜之開口寬，和覆蓋線側壁之側壁部的側壁寬之比在第1次雙圖案形成工程中成為3：1，在第2次中成為1：1之方式，形成簿膜。
简体摘要：对形成在基板上，具有由线和沟所构成之图案之光阻遮罩，运行由薄膜之成膜、借由该薄膜之各向异性蚀刻而在线之两侧壁形成堆积物、除去线，及将堆积物当作遮罩对堆积物之下方膜施予的蚀刻而所构成之双图案形成工程，而在下方膜形成由线和沟所构成之图案，接着除去堆积物并且运行上述双图案形成工程。此时，将当初之线宽和沟之开口宽之比设为3：5，再者，以对应于沟之薄膜之开口宽，和覆盖线侧壁之侧壁部的侧壁宽之比在第1次双图案形成工程中成为3：1，在第2次中成为1：1之方式，形成簿膜。

39. 发明专利

TW200949935A 孔洞形成方法、孔洞形成裝置及程式审中-公开
简体标题：孔洞形成方法、孔洞形成设备及进程
公开(公告)号：TW200949935A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110458
申请日：2009-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田村明威 , 林輝幸 , 藤原馨
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76816 , H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67184 , H01L21/6831
摘要：在成為孔洞511、512之形成位置的複數區域內，包圍一個區域的其他區域的氧化矽膜51上形成圓柱。具體而言，在4以上的複數區域內，在俯視下包圍一個區域的其他區域的氧化矽膜51上形成圓柱。接著，在氧化矽膜51及圓柱上形成氮化矽膜。氮化矽膜係受到回蝕。藉由該回蝕，形成包圍圓柱的側壁541。圓柱係受到蝕刻。最後以側壁541為遮罩將氧化矽膜51進行蝕刻。藉此形成與一個區域相對應的孔洞512及與其他區域相對應的孔洞511。
简体摘要：在成为孔洞511、512之形成位置的复数区域内，包围一个区域的其他区域的氧化硅膜51上形成圆柱。具体而言，在4以上的复数区域内，在俯视下包围一个区域的其他区域的氧化硅膜51上形成圆柱。接着，在氧化硅膜51及圆柱上形成氮化硅膜。氮化硅膜系受到回蚀。借由该回蚀，形成包围圆柱的侧壁541。圆柱系受到蚀刻。最后以侧壁541为遮罩将氧化硅膜51进行蚀刻。借此形成与一个区域相对应的孔洞512及与其他区域相对应的孔洞511。

40. 发明专利

TWI369338B 半導體處理裝置之石英產品之檢查方法及檢查輔助設備失效
简体标题：半导体处理设备之石英产品之检查方法及检查辅助设备
公开(公告)号：TWI369338B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW093130646
申请日：2004-10-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：及川雅之 , 安倍勝彥 , 高橋信博 , 林輝幸
IPC分类号： C03B
CPC分类号： H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
摘要：本發明之檢查輔助設備(3)係用於使半導體處理裝置之石英製棒狀構件(21)之檢查對象部接觸包含蝕刻液之處理液，其次分析處理液而鑑定檢查對象部中所含的金屬雜質之檢查。棒狀構件(21)具有夾住固定檢查對象部之一對凹部(22)。檢查輔助設備(3)包含與一對凹部扣合之一對端板(32)、連接一對端板之框體(30)，及配設於一對端板間之受液部(31)。受液部(31)具有貯留處理液並使檢查對象部接觸處理液之尺寸。
简体摘要：本发明之检查辅助设备(3)系用于使半导体处理设备之石英制棒状构件(21)之检查对象部接触包含蚀刻液之处理液，其次分析处理液而鉴定检查对象部中所含的金属杂质之检查。棒状构件(21)具有夹住固定检查对象部之一对凹部(22)。检查辅助设备(3)包含与一对凹部扣合之一对端板(32)、连接一对端板之框体(30)，及配设于一对端板间之受液部(31)。受液部(31)具有贮留处理液并使检查对象部接触处理液之尺寸。

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