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31. 发明专利

JP2019121659A ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム审中-公开
公开(公告)号：JP2019121659A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017254615
申请日：2017-12-28
申请人：日東電工株式会社
发明人：志賀豪士 , 佐藤慧 , 高本尚英
IPC分类号： C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/301
摘要：【課題】半導体チップのチッピング及び背面密着フィルムからの剥離を起こさずに半導体ウエハを個片化することが可能なダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを提供する。【解決手段】基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している半導体背面密着フィルムとを備え、前記半導体背面密着フィルムは、波長1000nmの赤外線の直線透過率が20%以上である、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。【選択図】図1

32. 发明专利

JP2019120924A 半導体背面密着フィルム审中-公开
公开(公告)号：JP2019120924A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2018102373
申请日：2018-05-29
申请人：日東電工株式会社
发明人：佐藤慧 , 志賀豪士 , 高本尚英
IPC分类号： H01L23/00 , G02B5/22
摘要：【課題】赤外線遮蔽性により優れる半導体背面密着フィルムを提供する。【解決手段】本発明の背面密着フィルム10は、厚さ17μmの条件で1000〜1800nmの波長域における吸光度が1.0以上である半導体背面密着層(A)を有する。或いは、本発明の背面密着フィルム10は、厚さ17μmの条件で1300〜1800nmの波長域における吸光度が1.0以上である半導体背面密着層(A)を有する。半導体背面密着層(A)は、500〜2000nmの波長域において850nm以上に極大吸収波長を有する染料を含んでいてもよい。また、半導体背面密着層(A)は、500〜2000nmの波長域において850nm以上に極大吸収波長を有する顔料を含んでいてもよい。【選択図】図1

34. 发明专利

JP6000668B2 半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置有权
标题翻译：的半导体装置的标识打印方法，一种制造半导体器件的方法，以及半导体装置
公开(公告)号：JP6000668B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012130036
申请日：2012-06-07
申请人：日東電工株式会社
发明人：高本尚英 , 志賀豪士
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/00
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/16258 , H01L2224/81007 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2924/12042

35. 发明专利

JP2016096308A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016096308A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014232859
申请日：2014-11-17
申请人：日東電工株式会社
发明人：志賀豪士 , 石井淳 , 飯野智絵
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/561 , H01L24/97 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L24/81 , H01L2924/18161
摘要：【課題】製造される半導体装置の外観を良好とすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体チップが支持体上に固定された積層体を準備する工程Aと、積層体の半導体チップ上に、封止用シートと保護フィルムとを配置する工程Bと、半導体チップを封止用シートに埋め込み、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Cと、封止体の封止用シートを熱硬化させる工程Dと、工程Dの後に、保護フィルムを剥離する工程Eとを含む半導体装置の製造方法。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以增强要制造的半导体器件的外观的半导体器件制造方法。解决方案：半导体器件制造方法包括：制备半导体芯片固定在其上的层压体的工艺A 支撑介质; 在层叠体的半导体芯片上配置封装片和保护膜的工序B; 将半导体芯片嵌入密封片中以形成封装体的工艺C，半导体芯片嵌入封装片中; 将封装体的封装片热固化的工序D; 以及过程D之后剥离保护膜的过程E.选择图：图6

36. 发明专利

JP2016089081A 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2016089081A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014226745
申请日：2014-11-07
申请人：日東電工株式会社
发明人：石井淳 , 志賀豪士 , 飯野智絵
IPC分类号： C08K3/36 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08L101/00
CPC分类号： C08K3/36 , C08L101/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162
摘要：【課題】半導体チップに与える損傷を軽減することが可能な樹脂組成物などを提供する。【解決手段】本発明は、充填剤の平均粒径の4倍の値が樹脂組成物の厚み以下である樹脂組成物に関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以减少对半导体芯片的损伤的树脂组合物等。解决方案：本发明涉及一种树脂组合物，其中四倍于填料的平均粒径等于或低于比树脂组合物的厚度。图1：

37. 发明专利

JP2016054211A 封止用シート有权
标题翻译：密封片
公开(公告)号：JP2016054211A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014179311
申请日：2014-09-03
申请人：日東電工株式会社
发明人：石井淳 , 志賀豪士 , 飯野智絵
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162
摘要：【課題】半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する際に、ボイドやフィラー偏析が発生することを抑制することが可能な封止用シートを提供すること。【解決手段】 90℃での粘度が1Pa・s〜50000Pa・sの範囲内にある封止用シート。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种密封片，其能够在形成将半导体芯片埋设在密封片中的密封体时抑制空隙的产生或者填料的偏析的发生。解决方案：密封片具有粘度在90℃在1-5万帕的范围内。选择图：图1

38. 发明专利

JP2016050240A 封止用シート、セパレータ付き封止用シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：封装板，具有隔离件的封装板，半导体器件和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016050240A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014175772
申请日：2014-08-29
申请人：日東電工株式会社
发明人：飯野智絵 , 志賀豪士 , 石井淳
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L23/12 , C09K3/10
CPC分类号： C09K3/10 , H01L23/12 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/18
摘要：【課題】搬送時等に吸着コレットから落下することを防止でき、且つ、半導体チップを好適に埋め込むことが可能な封止用シート、及び、セパレータ付き封止用シートの提供。【解決手段】厚みt[mm]と50℃における貯蔵弾性率G’[Pa]との積αが、下記式1を満たすことを特徴とする封止用シート40。式1 : 300≦α≦1.5×105。封止用シート40と、封止用シート40の少なくとも一方の面に積層されたセパレータ41a,41bとを備えたセパレータ付き封止用シート10であって、25℃における曲げ弾性率E[N/mm2]と封止用シート40の面積A[mm2]との積βが、下記式2を満たすセパレータ付き封止用シート10。式2 : 4.0×106≦β≦1.7×109 【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够适当地嵌入半导体芯片同时防止在运输时从抽吸夹头脱落的封装片和具有隔离件的封装片。解决方案：在封装片40中，厚度为t的产品α [mm]和50℃下的储能模量G'[Pa]满足下列等式1.等式1：300≤α≤1.5×105。在包含封装片40的隔离物10和在封装片40的至少一侧层叠的隔片41a，41b的封装片中，在25℃下的弯曲弹性模量E [N / mm2]的乘积β和面积A 封装片40的[mm2]满足下面的等式2.等式2：4.0×106≤β≤1.7×109。图示：图1

39. 发明专利

JP2015216230A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015216230A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014098074
申请日：2014-05-09
申请人：日東電工株式会社
发明人：志賀豪士 , 石坂剛 , 盛田浩介 , 飯野智絵 , 石井淳
IPC分类号： H01L21/56
摘要：【課題】ボイドが少ない半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】チップ実装基板、チップ実装基板上に配置された熱硬化性樹脂シート、並びに熱硬化性樹脂シートと接する中央部及び中央部の周辺に配置された周辺部を備えるフィルムを備える積層体の周辺部をチップ実装基板と接するステージに押し付けることにより、ステージ及びフィルムを備える密閉容器を形成する工程と、密閉容器の外部の圧力を密閉容器の内部の圧力より高めることにより、半導体チップを熱硬化性樹脂シートで覆いつつ、基板と半導体チップのギャップに熱硬化性樹脂シートを充填する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法可以制造具有较少空隙的半导体器件。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：将包括芯片安装板，设置在芯片安装板上的热固性树脂片，以及包括与热固性树脂片接触的中心部分的膜和围绕中心部分设置的周边部分，以抵抗与芯片安装板接触的台阶，由此形成包括该台和该膜的密封容器; 使密封容器外部的压力高于密封容器内的压力，由此在热固性树脂片覆盖半导体芯片的同时，将热固性树脂片填充到板和半导体芯片之间的间隙中。

40. 发明专利

JP5813928B2 フリップチップ型半導体裏面用フィルム有权
标题翻译：膜的倒装芯片型半导体背面
公开(公告)号：JP5813928B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2010096291
申请日：2010-04-19
申请人：日東電工株式会社
发明人：志賀豪士 , 高本尚英
IPC分类号： H01L21/52

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