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31. 发明申请

WO2007040167A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2007040167A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/JP2006/319430
申请日：2006-09-29
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
发明人：杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675
摘要：　ＭＲＡＭは、少なくとも一つのセルアレイを備えるメモリ本体２と、メモリ本体２近傍の磁場を検知して検知信号をメモリ本体２へ出力する磁場検知部４とを具備する。ただし、セルアレイは、自由層として積層フェリ構造体を含む複数の磁気メモリセルを有するメモリ本体２は、検知信号に基づいて、メモリ本体２の所定の動作を停止する。
摘要翻译： MRAM具有至少一个单元阵列的存储器主体（2）和检测存储器主体（2）附近的磁场的磁场检测部（4），并将检测信号输出到存储器主体（2）。在单元阵列中，具有包括多层铁结构的多个磁存储单元作为自由层的存储器主体（2）基于检测信号停止存储器主体（2）的规定的操作。

32. 发明申请

WO2004095464A1 データの読み出し方法が改善された磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：使用改进的数据读出方法的磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2004095464A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/JP2004/005242
申请日：2004-04-13
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/1673
摘要：ＭＲＡＭは、複数のビット線３３と参照ビット線３４と複数のメモリセル２１と複数の参照セル２２と読み出し部１とを具備する。ビット線３３と参照ビット線３４は、Ｙ方向に延伸する。メモリセル２１はビット線３３に、参照セル２２は参照ビット線３４に沿って設ける。メモリセル２１及び参照セル２２は、それぞれ記憶データで磁化方向が反転する自発磁化を有する磁気抵抗素子２７及び参照用磁気抵抗素子２７ｒを備える。読み出し部１は、ビット線３３ｓに接続する第９端子と第１電源に接続した第１０端子とを含む第１抵抗部１１と、参照ビット線３４に接続する第１１端子と第１電源に接続した第１２端子とを含む第２抵抗部１２と、第９端子のセンス電位Ｖｓと第１１端子の参照電位Ｖｒｅｆとを比較する比較部１３とを備える。
摘要翻译： MRAM包括多个位线（33），参考位线（34），多个存储单元（21），多个参考单元（22）和读出区（1）。位线（33）和基准位线（34）在Y方向延伸。存储单元（21）沿着位线（33）布置，而参考单元（22）沿着参考位线（34）布置。存储单元（21）和参考单元（22）分别包括具有用于通过存储数据反转磁化方向的自发磁化的磁阻单元（27）和参考磁阻元件（27r）。读出部分（1）包括：第一电阻部分（11），具有连接到位线（33s）的第九端子和连接到第一电源的第十端子; 具有连接到基准位线（34）的第十一端子的第二电阻部分（12）和连接到第一电源的第十二端子; 以及用于比较第十九端子的检测电位Vs与第十一端子的参考电位Vref的比较部分（13）。

33. 发明申请

WO2003094227A1 固体電解質スイッチング素子及びそれを用いたＦＰＧＡ、メモリ素子、並びに固体電解質スイッチング素子の製造方法审中-公开
标题翻译：固体电解质开关装置，使用其的FPGA，存储装置和制造固体电解质开关装置的方法
公开(公告)号：WO2003094227A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/JP2003/005393
申请日：2003-04-25
申请人：科学技術振興事業団 , 理化学研究所 , 日本電気株式会社 , 阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 砂村潤 , 川浦久雄 , 杉林直彦
发明人：阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 砂村潤 , 川浦久雄 , 杉林直彦
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A solid electrolyte switching device (10, 10', 20, 20') comprises a first interconnection layer (13) provided on a substrate (11) covered with an insulating layer, an ion supply layer (17) provided on the first interconnection layer (13), a solid electrolyte layer (16) provided on the ion supply layer (17), an interlayer insulating layer (12) covering the first interconnection layer (13), the ion supply layer (17), and the solid electrolyte layer (16) and having a via hole, a counter electrode layer (15) so disposed as to be in contact with the solid electrolyte layer(16) through the via hole, and a second interconnection layer(14) covering the counter electrode layer(15). The on/off state can be arbitrarily set by a threshold voltage applied between the ion supply layer (17) and the counter electrode layer (15). Thus a nonvolatile, low on-resistance switching device is provided.
摘要翻译：固体电解质开关装置（10,10'，20,20'）包括设置在被绝缘层覆盖的基板（11）上的第一互连层（13），设置在第一互连层上的离子供给层（13），设置在离子供给层（17）上的固体电解质层（16），覆盖第一互连层（13）的层间绝缘层（12），离子供给层（17）和固体电解质层（16）并具有通孔，通过通孔设置成与固体电解质层（16）接触的对电极层（15）和覆盖对电极层（14）的第二互连层（14） 15）。开/关状态可以通过施加在离子供给层（17）和对电极层（15）之间的阈值电压来任意设定。因此，提供了非易失性的低导通电阻的开关装置。

34. 发明申请

WO2006104002A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2006104002A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/305789
申请日：2006-03-23
申请人：日本電気株式会社 , 三浦貞彦 , 杉林直彦 , 鈴木哲広
发明人：三浦貞彦 , 杉林直彦 , 鈴木哲広
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　ＭＲＡＭは、第１配線と第２配線とメモリセルとを備える。第１配線は第１方向Ｓへ伸びている。第２配線は第２方向へ伸びている。メモリセルは、反強磁性的に結合した複数の磁性層を積層したフリー磁性層を含み、第１配線と第２配線とが交叉する点に設けられる。フリー磁性層の磁化容易軸方向が、第１方向及び第２方向とは異なる。書込み方法は、（ａ）メモリセル５２に蓄えられた第１情報を読み出すステップと、（ｂ）メモリセル５２へ書き込む第２情報と第１情報とを比較するステップと、（ｃ）第１情報と第２情報とが異なる場合、第１配線に流す第１書込み電流ＩＷＬの向き±Ｔと、第２配線へ流す第２書込み電流の向きとを、第２情報に基づいて変更するステップとを具備する。こうして、ディスターブを抑制しつつ書込みの動作領域を拡大することができるＭＲＡＭを提供する。
摘要翻译： MRAM设置有第一布线，第二布线和存储单元。第一布线沿第一方向（S）延伸。第二布线在第二方向延伸。存储单元包括自由磁性层，其中层叠有多个抗铁磁耦合磁性层，并且布置在第一布线和第二布线相交的点处。自由磁性层在第一方向和第二方向之间具有不同的易磁化轴。写入方法包括读取存储在存储单元（52）中的第一信息的步骤（a），将要写入存储单元（52）的第二信息与第一信息进行比较的步骤（b），步骤（c）在所述第一信息和所述第二信息不同的情况下，要馈送到所述第一布线的第一写入电流（I SUB）与所述第一布线的方向（I T WL）基于第二信息将第二写入电流馈送到第二布线。因此，MRAM可以在抑制干扰的同时扩大写入动作区域。

35. 发明申请

WO2008120480A1 半導体集積回路审中-公开
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：WO2008120480A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/JP2008/050509
申请日：2008-01-17
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦
发明人：杉林直彦
IPC分类号： G11C13/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/105
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C7/04 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , H01L27/101
摘要：　本発明に係る半導体集積回路は、酸化物抵抗変化素子１０と、酸化物抵抗変化素子１０に書き込み電流ＩＷ０，ＩＷ１を供給する定電流源回路２０と、書き込み電流ＩＷ０，ＩＷ１が流れる経路の電圧をクランプする電圧クランパ３０と、を備える。電圧クランパ３０は、定電流源回路２０と酸化物抵抗変化素子１０との間の経路に対して並列に設けられる。
摘要翻译：半导体集成电路包括氧化物电阻变化元件（10），用于向氧化物电阻变化元件（10）提供写入电流（IW0，IW1）的恒流源电路（20）和用于钳位的电压钳位器（30）写入电流（IW0，IW1）流经的路径上的电压。电压钳位器（30）与恒流源电路（20）和氧化物电阻变化元件（10）之间的路径平行设置。

36. 发明申请

WO2003028124A1 固体電解質を用いた電気素子审中-公开
标题翻译：包含固体电解质的电气设备
公开(公告)号：WO2003028124A1
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/JP2002/009759
申请日：2002-09-24
申请人：科学技術振興事業団 , 理化学研究所 , 日本電気株式会社 , 阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 寺部一弥 , 川浦久雄 , 杉林直彦
发明人：阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 寺部一弥 , 川浦久雄 , 杉林直彦
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
摘要： A switch comprising a transistor for selecting a storage cell and a solid electrolyte. In a storage cell, a metal is formed over a drain diffusion layer of a field−effect transistor fabricated on the surface of a semiconductor substrate. A solid electrolyte the carriers of which are the metal is formed on the metal. The solid electrolyte is in contact with the metal with a space therebetween, and the metal is connected to a common ground line. The source of the field−effect transistor is connected to a column address line, and the gate of the transistor is connected to the row address line.
摘要翻译：一种开关，包括用于选择存储单元和固体电解质的晶体管。在存储单元中，在制造在半导体衬底的表面上的场效应晶体管的漏极扩散层上形成金属。在金属上形成载体为金属的固体电解质。固体电解质与金属接触，其间具有空间，并且金属连接到公共接地线。场效应晶体管的源极连接到列地址线，并且晶体管的栅极连接到行地址线。

37. 发明专利

JP6662370B2 クロスバースイッチ型メモリ回路、ルックアップテーブル回路、及び、プログラム方法有权
公开(公告)号：JP6662370B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2017503340
申请日：2016-03-01
申请人：日本電気株式会社
发明人：宮村信 , 崎村昇 , 辻幸秀 , 根橋竜介 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C13/00 , H01L21/82 , G06F7/57

38. 发明专利

JP2018120346A 情報処理システムおよび情報処理システムの制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018120346A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017010375
申请日：2017-01-24
申请人：日本電気株式会社
发明人：根橋竜介 , 杉林直彦
IPC分类号： G06F11/14 , G06F12/16
摘要：【課題】不揮発性メモリを備えた、信頼性の高い情報処理システムを提供する。【解決手段】情報処理システムは、揮発性メモリと、不揮発性メモリと、アクティブリストと、インアクティブリストと、ページ内容移動手段とを有する。アクティブリストは、所定時間前の過去から現在までに書き込みが起きた不揮発性メモリのページを集めたリストである。インアクティブリストは、該所定時間前の過去から現在までに書き込みが起きていない不揮発性メモリのページを集めたリストである。ページ内容移動手段は、アクティブリストに保持された不揮発性メモリのページの内容を揮発性メモリのページに移動する。【選択図】図1

39. 发明专利

JP6149246B2 不揮発性連想メモリ及びその動作方法有权
公开(公告)号：JP6149246B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2014534257
申请日：2013-08-01
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：崎村昇 , 根橋竜介 , 杉林直彦 , 松永翔雲 , 羽生貴弘 , 大野英男
IPC分类号： G11C15/02 , G11C11/15 , G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C15/02 , G11C15/046 , G11C5/148

40. 发明专利

JP5810426B2 論理集積回路のCADシステム及びスピントロニクス論理集積回路の設計方法有权
标题翻译：设计CAD系统和自旋电子学逻辑集成在逻辑集成电路的电路的方法
公开(公告)号：JP5810426B2
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：JP2011113617
申请日：2011-05-20
申请人：日本電気株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：崎村昇 , 根橋竜介 , 杉林直彦 , 遠藤哲郎 , 羽生貴弘 , 大野英男
IPC分类号： G06F17/50

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