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31. 发明专利

JP2016164991A 半導体装置用ボンディングワイヤ审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的接合线
公开(公告)号：JP2016164991A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2016065087
申请日：2016-03-29
申请人：日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
发明人：小田大造 , 江藤基稀 , 山田隆 , 榛原照男 , 大石良 , 宇野智裕 , 小山田哲哉
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/06 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L24/05 , H01L24/85 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181
摘要：【課題】表面にPd被覆層を有するCuボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。【解決手段】Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがInを含み、ワイヤ全体に対するInの濃度が0.011〜1.2質量%であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于车载设备的接合线，其在高温高湿环境下具有改善的接合可靠性，在具有表面上的Pd涂层的Cu接合线上。解决方案：用于具有Cu合金芯材的半导体器件用接合线和形成在Cu合金芯材的表面上的Pd涂层包括In，其相对于整条线材的含量为0.011至1.2重量％。选择的图示：没有

32. 发明专利

JP5964534B1 半導体装置用ボンディングワイヤ有权
标题翻译：用于半导体器件的接合线
公开(公告)号：JP5964534B1
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2016507915
申请日：2015-12-28
申请人：日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
发明人：山田隆 , 小田大造 , 大石良 , 宇野智裕
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572
摘要： Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Pdめっきリードフレームでの2nd接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。 Cu合金芯材の表面にPdを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にAuとPdを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面におけるCu濃度を1〜10at%とし、芯材中に元素周期表第10族の金属元素を総計で0.1〜3.0質量%の範囲で含有することにより、2nd接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のAuの最大濃度が15at%〜75at%であると好ましい。
摘要翻译：主要是铜合金芯材料，接合线用于具有含Au和Pd的涂布层的表面上的皮肤合金层的半导体器件的表面上由Pd构成的被覆层，在钯第二接合电镀的引线框架同时进一步改善性，它提供了一种即使在高湿度条件下加热实现良好的接合性球的接合线。 1〜10原子的涂层，在该接合线用于具有含Au和Pd的涂布层的表面上的皮肤合金层的半导体器件中，Cu浓度在电线最外层表面的Cu合金芯材的表面上的主要由钯％，然后，用含有0.1至组10的总的芯材中的元素周期表中的金属元素为3.0％（重量），和第二接合性在高湿度加热条件的改善，良好球可接合性它可以实现的。此外，优选地金表皮合金层的最大浓度为15原子％〜75at％。

33. 发明专利

JP2016115875A 半導体装置用ボンディングワイヤ有权
标题翻译：用于半导体器件的接线
公开(公告)号：JP2016115875A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014255111
申请日：2014-12-17
申请人：新日鉄住金マテリアルズ株式会社 , 日鉄住金マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 小田大造 , 山田隆
IPC分类号： C22C5/06 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/43 , H01L2224/05624 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L24/05 , H01L24/85 , H01L2924/10253
摘要：【課題】メモリ用ボンディングワイヤに要求されるボール接合信頼性、ウェッジ接合性を同時に満足することができるボンディングワイヤを提供する。【解決手段】Ga,In及びSnの1種以上を総計で0.1〜3.0at.%含み、残部がAgおよび不可避不純物からなる芯材と、前記芯材の表面に形成された、Pd及びPtの1種以上、又は、Pd及びPtの1種以上とAg、を含み、残部が不可避不純物からなる被覆層とを備え、前記被覆層の厚さが0.005〜0.070μmであることを特徴とする。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够同时满足用于存储器的接合线和楔形粘合性所需的球接合可靠性的接合线。解决方案：接合线包括：芯材，其包含一种或多种Ga，In， Sn总量为0.1〜3.0at％，其余部分由Ag和不可避免的杂质组成; 以及形成在芯材的表面上的包含一种或多种Pd和Pt，或含有Ag和一种或多种Pd和Pt的涂层，其余部分由不可避免的杂质组成。涂层的厚度为0.005〜0.070μm。选择图：无

34. 发明专利

JP5840327B1 半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法有权
标题翻译：它们的接合线及其制造方法的半导体装置
公开(公告)号：JP5840327B1
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2015516368
申请日：2015-03-31
申请人：日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
发明人：山田隆 , 小田大造 , 大石良 , 榛原照男 , 宇野智裕
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45012 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111
摘要：リーニング不良とスプリング不良をともに抑制するため、(1)ワイヤ中心を含みワイヤ長手方向に平行な断面(ワイヤ中心断面)において長径aと短径bの比a/bが10以上でありさらに面積が15μm 2 以上である結晶粒(繊維状組織)が存在せず、(2)ワイヤ中心断面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位の存在比率が面積率で10%以上50%未満であり、(3)ワイヤ表面における、ワイヤ長手方向の結晶方位を測定した結果、前記ワイヤ長手方向に対して角度差が15°以下である結晶方位の存在比率が面積率で70%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。伸線工程中に減面率が15.5%以上の伸線加工を少なくとも1回行い、最終熱処理温度と最終前熱処理温度を所定範囲とする。
摘要翻译：同时抑制倾斜不良和弹簧失效，更多的面积是在长轴a和短轴B的比A / B为10以上在（1）平行于纵向方向的横截面的金属丝包括金属丝中心（线中心部分）以上15μm2其中晶粒不存在（纤维组织）是，（2）在导线的中心部分，测量线材长度方向，相对于所述金属丝的纵向方向的角度差的晶体取向的结果是15或更小晶体取向的存在比率<100>为大于10％小于50％（面积比），（3）在金属丝的表面，测量相对于角度差于导线的纵向方向15的结晶取向的结果的线长度方向？半导体器件接合线的特征在于，所述晶体取向<100>或更小的丰度比为70％或更高的面积比。在拉丝步骤面积的减少的图超过15.5％，最终的热处理温度和最终热处理前的温度和预定的范围内进行至少一次。

35. 发明专利

JP2021114609A 半導体装置用ボンディングワイヤ审中-公开
公开(公告)号：JP2021114609A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2021053275
申请日：2021-03-26
申请人：日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 , 日鉄マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 小田大造 , 山田隆
IPC分类号： C22C9/06 , B32B15/02 , B32B15/01 , H01L21/60
摘要：【課題】高い接合信頼性を確保しつつ、優れた耐キャピラリ摩耗性と表面疵耐性を有し、さらにボール形成性、ウェッジ接合性などの総合性能を満足する車載用デバイス用ボンディングワイヤに好適な半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。【解決手段】Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層と、前記Pd被覆層の表面に形成されたCu表面層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記Cu合金芯材がNiを含み、ワイヤ全体に対するNiの濃度が0.1〜1.2wt.%であり、前記Pd被覆層の厚さが0.015〜0.150μmであり、前記Cu表面層の厚さが0.0005〜0.0070μmであることを特徴とする。【選択図】なし

36. 发明专利

JPWO2019130570A1 半導体装置用ボンディングワイヤ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019130570A1
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2017047331
申请日：2017-12-28
申请人：日鉄マイクロメタル株式会社 , 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社
发明人：小田大造 , 山田隆 , 江藤基稀 , 榛原照男 , 宇野智裕
IPC分类号： H01L21/60
摘要：半導体装置パッケージで用いるモールド樹脂中のイオウ含有量が増大した場合であっても、175℃以上の高温環境でボール接合部の接合信頼性が十分に得られる、半導体装置用のPd被覆Cuボンディングワイヤを提供する。 Cu合金芯材と前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤ中にNi,Rh,Ir、Pdの1種以上を総計で0.03〜2質量%含み、さらに、Li,Sb,Fe,Cr,Co,Zn,Ca,Mg,Pt,Sc,Yの1種以上を総計で0.002〜3質量%含む。上記ボンディングワイヤを用いることにより、半導体装置パッケージで用いるモールド樹脂中のイオウ含有量が増大した場合であっても、175℃以上の高温環境でボール接合部の接合信頼性が十分に得られる。

37. 发明专利

JP6651065B1 半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ有权
公开(公告)号：JP6651065B1
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2019563915
申请日：2019-09-20
申请人：日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 , 日鉄マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 山田隆 , 小田大造
IPC分类号： H01L21/60
摘要：高密度LSI用途における要求性能を満たすことができる半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤを提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む1つの平面に垂直な方向に対して角度差が15度以下である結晶方位、結晶方位、結晶方位の存在比率が、それぞれ平均面積率で3%以上27%未満であることを特徴とする。

38. 发明专利

JP6618662B2 半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ有权
公开(公告)号：JP6618662B2
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：JP2019535670
申请日：2018-08-07
申请人：日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 , 日鉄マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 山田隆 , 小田大造
IPC分类号： H01L21/60

39. 发明专利

JP6516465B2 半導体装置用ボンディングワイヤ有权
公开(公告)号：JP6516465B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2014255111
申请日：2014-12-17
申请人：日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 , 日鉄マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 小田大造 , 山田隆
IPC分类号： C22C5/06 , H01L21/60

40. 发明专利

JPWO2019031498A1 半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019031498A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018029589
申请日：2018-08-07
申请人：日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 , 日鉄マイクロメタル株式会社
发明人：小山田哲哉 , 宇野智裕 , 山田隆 , 小田大造
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , H01L21/60
摘要：キャピラリ摩耗を抑制することができる半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む1つの平面に垂直な方向に対して角度差が15度以下である結晶方位と結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で40%以上90%以下であることを特徴とする。

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