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31. 发明专利

JP2015074002A 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法审中-公开
标题翻译：内部加工层形成单晶构件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015074002A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013210469
申请日：2013-10-07
申请人：信越ポリマー株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
发明人：鈴木秀樹 , 松尾利香 , 篠塚信裕 , 池野順一 , 三木直樹 , 小山栄紀
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40 , B28D5/00 , H01L21/304 , B23K26/067
摘要：【課題】単結晶部材に形成した加工層から剥離させることで比較的大きくて薄い単結晶基板を形成するにあたり、加工時間の短縮化を図るとともに応力を負荷せずに剥離可能であり、剥離面の平坦性を確保することができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】内部加工層形成単結晶部材は、単結晶部材内部に形成された加工層と、加工層の両面側にそれぞれ隣接する非加工層と、を備える。加工層には、レーザ光の集光によって形成された変質部21cが配列され、各変質部21cは、回折光学素子で分割されてなる複数のレーザ光がそれぞれ集光したことによる複数の加工痕21sからなる。そして、加工層から応力を負荷せずに剥離可能となっている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种内部处理层形成单晶构件及其制造方法，其中缩短处理时间，可以在不施加应力的情况下进行剥离，并且确保剥离平面的平坦度时通过从形成在单晶构件中的处理层剥离而形成相对大且薄的单晶衬底。解决方案：内部处理层形成单晶构件包括：形成在单晶构件内部的处理层; 以及分别与处理层的两个表面侧相邻的非处理层。在处理层中布置由激光束的冷凝形成的受影响区域21c。每个受影响区域21c由分别冷凝由衍射光学元件分布的多个激光束形成的多个处理迹线21构成。可以在不施加应力的情况下将单晶基板从处理层剥离。

32. 发明专利

JP6887641B2 ガラススライシング方法有权
公开(公告)号：JP6887641B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2017068754
申请日：2017-03-30
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹
IPC分类号： B23K26/53 , C03B33/09

33. 发明专利

JP6851041B2 基板加工方法および基板加工装置有权
公开(公告)号：JP6851041B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2016215253
申请日：2016-11-02
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/046 , H01L21/304 , B28D5/00 , B28D5/04 , B23K26/53

34. 发明专利

JP6851040B2 基板加工方法および基板加工装置有权
公开(公告)号：JP6851040B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2016215250
申请日：2016-11-02
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/046 , B23K26/064 , H01L21/304 , B28D5/00 , B28D5/04 , B23K26/53

35. 发明专利

JP6849968B2 エッチング方法有权
公开(公告)号：JP6849968B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2016244530
申请日：2016-12-16
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/306 , H01L21/308

36. 发明专利

JP6818273B2 基板加工方法有权
公开(公告)号：JP6818273B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2016215256
申请日：2016-11-02
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/00 , H01L21/304

37. 发明专利

JP6531885B2 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6531885B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2013210475
申请日：2013-10-07
申请人：信越ポリマー株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
发明人：篠塚信裕 , 松尾利香 , 鈴木秀樹 , 池野順一 , 三木直樹 , 小山栄紀
IPC分类号： B23K26/067 , H01L21/304 , B23K26/53

38. 发明专利

JP2018168048A ガラススライシング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018168048A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017068754
申请日：2017-03-30
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹
IPC分类号： B23K26/53 , C03B33/09
摘要：【課題】レーザ光によりガラス材をスライシング加工することができるガラススライシング方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ集光手段を、加工対象のガラス材40の被照射面上に非接触に配置する第1工程と、レーザ集光手段によりガラス材内部にレーザ光Bを集光しつつ、レーザ集光手段とガラス材40とを相対的に移動させて、ガラス材内部に三次元状の改質層42を形成する第2工程とを行う。第2工程では、レーザ光Bの集光位置のガラス材部分に光子吸収させて温度上昇させることで膨張させ、更に、温度低下により収縮部を形成させて収縮部周囲に残留応力を発生させていくことによって改質層42を形成することにより、時間の経過に伴って改質層42に沿ったクラックが伝播することで全て滑らかな剥離面が生じる。【選択図】図4

39. 发明专利

JP2018133486A エッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018133486A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2017027118
申请日：2017-02-16
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： B23K26/53 , H01L21/306 , H01L21/308
摘要：【課題】エッチピットの存在しない状態でエッチングすることが可能で、結果として欠陥の存在しない表面状態と鏡面とを有するウエハを製造可能とするエッチング方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板面がSi面とC面とで構成されるSiC基板を溶融アルカリでエッチングするエッチング方法であり、溶融アルカリとして所定の高温域にした溶融水酸化ナトリウムSHLを用いることで、高温かつ酸素を含む環境下でSiC基板PLの被エッチング面に酸化被膜を形成しつつ、被エッチング面のSi面をC面よりも高い速度で除去する。【選択図】図1

40. 发明专利

JP2018027565A 基板加工方法および基板加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018027565A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2016215253
申请日：2016-11-02
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/046 , H01L21/304 , B28D5/00 , B28D5/04 , B23K26/53
摘要：【課題】加工対象結晶基板を、欠けのないくり抜き結晶基板を得るための加工層含有基板に加工する基板加工方法および基板加工装置を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ集光手段12を加工対象結晶基板20aの被照射面20u上に非接触に配置する第1工程を行う。そして、レーザ光Bを集光しつつ、集光位置Bfを加工対象結晶基板20aのくり抜き対象部20bの周囲方向および厚み方向に変化させ、破断強度が低下した加工層22をくり抜き対象部20bの外周側に形成することで加工層含有基板20cとする第2工程を行う。第2工程では、加工対象結晶基板20a内部および少なくとも一方の加工対象結晶基板面近傍で、レーザ光Bの集光位置Bfに生じる加工痕が加工対象結晶基板20aの結晶方位に沿って伸張しかつ加工対象結晶基板20aの異なる結晶方位に沿って伸長しないようにレーザ集光手段12に入射するレーザ光の出力を制御する。【選択図】図2

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