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31. 发明专利

TWI397189B 製作太陽能薄膜電池之方法及其結構有权
简体标题：制作太阳能薄膜电池之方法及其结构
公开(公告)号：TWI397189B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW098144713
申请日：2009-12-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：周光廷 , CHOU, KUANG TING , 周漢唐 , CHOU, HAN TANG , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/541 , Y02P70/521

32. 发明专利

TWI380452B 薄膜電晶體、主動陣列基板及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR, ACTIVE ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：薄膜晶体管、主动数组基板及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR, ACTIVE ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI380452B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW097111107
申请日：2008-03-27
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：林漢塗 , 楊智鈞 , 廖金閱 , 陳建宏
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78603
摘要：本發明係揭露一種薄膜電晶體、具有該薄膜電晶體之主動陣列基板及其製造方法。該薄膜電晶體包括：一基底，具有一凹槽；一閘極，位於該凹槽內；一閘絕緣層，位於該閘極上，其中至少部份該閘絕緣層係位於該凹槽內；一通道層，位於該閘絕緣層上；以及一源極以及一汲極，位於該通道層上並分別對應該閘極之兩側。
简体摘要：本发明系揭露一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管之主动数组基板及其制造方法。该薄膜晶体管包括：一基底，具有一凹槽；一闸极，位于该凹槽内；一闸绝缘层，位于该闸极上，其中至少部份该闸绝缘层系位于该凹槽内；一信道层，位于该闸绝缘层上；以及一源极以及一汲极，位于该信道层上并分别对应该闸极之两侧。

33. 发明专利

TWI372934B 顯示裝置及其製造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：显示设备及其制造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI372934B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097113525
申请日：2008-04-14
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：方國龍 , 楊智鈞 , 林漢塗
IPC分类号： G02F , H01L
摘要：一種顯示裝置，包括一基板、一下電極層、一絕緣層、一中間層、一有機層及一上電極層。此顯示裝置之製造方法包括下列步驟。首先，提供基板。再者，形成下電極層於基板上，其具有第一錐狀邊緣、第二錐狀邊緣及一頂面。接者，形成絕緣層以覆蓋基板及下電極層。而後，形成中間層於基板上，其具有第一部分及第二部分，分別對應形成於第一錐狀邊緣及第二錐狀邊緣。第一部分及第二部分分別從第一及第二錐狀邊緣延伸至頂面，以定義出一區域之絕緣層。接著，形成有機層於絕緣層上。然後，形成上電極層以接觸於有機層及此區域之絕緣層。
简体摘要：一种显示设备，包括一基板、一下电极层、一绝缘层、一中间层、一有机层及一上电极层。此显示设备之制造方法包括下列步骤。首先，提供基板。再者，形成下电极层于基板上，其具有第一锥状边缘、第二锥状边缘及一顶面。接者，形成绝缘层以覆盖基板及下电极层。而后，形成中间层于基板上，其具有第一部分及第二部分，分别对应形成于第一锥状边缘及第二锥状边缘。第一部分及第二部分分别从第一及第二锥状边缘延伸至顶面，以定义出一区域之绝缘层。接着，形成有机层于绝缘层上。然后，形成上电极层以接触于有机层及此区域之绝缘层。

34. 发明专利

TW201228007A 太陽電池的製造方法 METHOD OF FABRICATING SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳电池的制造方法 METHOD OF FABRICATING SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201228007A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146612
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：黃明政 , 黃明義 , 林漢塗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：一種太陽電池的製造方法,其包括下列步驟。首先提供一基板,並於基板上形成一基底電極。之後,於基底電極上形成一銅銦鎵硒結晶層。接著,對銅銦鎵硒結晶層的表面進行一化學機械研磨製程,以平坦化銅銦鎵硒結晶層的表面。之後,於已平坦化的銅銦鎵硒結晶層表面上形成一緩衝層。繼之,於緩衝層上形成一透明導電層。藉此,本發明之太陽電池的製造方法有助於量產且所製成之太陽電池具有較佳的元件特性。
简体摘要：一种太阳电池的制造方法,其包括下列步骤。首先提供一基板,并于基板上形成一基底电极。之后,于基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层。接着,对铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨制程,以平坦化铜铟镓硒结晶层的表面。之后,于已平坦化的铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层。继之,于缓冲层上形成一透明导电层。借此,本发明之太阳电池的制造方法有助于量产且所制成之太阳电池具有较佳的组件特性。

35. 发明专利

TW201227838A 銅銦鎵硒薄膜的製造方法 FABRICATING METHOD OF A COPPER INDIUM GALLIUM SELENIUM (CIGS) THIN-FILM 审中-公开
简体标题：铜铟镓硒薄膜的制造方法 FABRICATING METHOD OF A COPPER INDIUM GALLIUM SELENIUM (CIGS) THIN-FILM
公开(公告)号：TW201227838A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099144316
申请日：2010-12-16
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：周光廷 , 黃明義 , 吳一凡 , 林漢塗
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：一種銅銦鎵硒薄膜的製造方法,包括於基板上形成結晶誘發層,於結晶誘發層上形成第一前驅金屬層。第一前驅金屬層之材質包括銅、銦以及鎵。然後,透過升溫製程使結晶誘發層與第一前驅金屬層硒化為一銅銦鎵硒薄膜。
简体摘要：一种铜铟镓硒薄膜的制造方法,包括于基板上形成结晶诱发层,于结晶诱发层上形成第一前驱金属层。第一前驱金属层之材质包括铜、铟以及镓。然后,透过升温制程使结晶诱发层与第一前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。

36. 发明专利

TWI355748B 畫素之形成方法 A FORMING METHOD OF PIXEL 有权
简体标题：像素之形成方法 A FORMING METHOD OF PIXEL
公开(公告)号：TWI355748B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW097106688
申请日：2008-02-26
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 林漢塗
IPC分类号： H01L
摘要：一種畫素之形成方法，包括下列步驟：形成薄膜電晶體於基板上，其中薄膜電晶體包括閘極、通道層、源極以及汲極；接著，形成保護層於薄膜電晶體上，然後，形成圖案化光阻層於保護層上，於圖案化光阻層、部分薄膜電晶體以及部分基板上形成透明導電層；接下來，形成第一金屬層於透明導電層上，再以剝離製程將位於圖案化光阻層上之透明導電層與第一金屬層移除。接著，以酸性溶劑溶解已剝離之透明導電層及第一金屬層。然後，移除殘留之第一金屬層以裸露出未被圖案化光阻層覆蓋之薄膜電晶體及位於基板上的透明導電層。
简体摘要：一种像素之形成方法，包括下列步骤：形成薄膜晶体管于基板上，其中薄膜晶体管包括闸极、信道层、源极以及汲极；接着，形成保护层于薄膜晶体管上，然后，形成图案化光阻层于保护层上，于图案化光阻层、部分薄膜晶体管以及部分基板上形成透明导电层；接下来，形成第一金属层于透明导电层上，再以剥离制程将位于图案化光阻层上之透明导电层与第一金属层移除。接着，以酸性溶剂溶解已剥离之透明导电层及第一金属层。然后，移除残留之第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆盖之薄膜晶体管及位于基板上的透明导电层。

37. 发明专利

TWI352429B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI352429B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096136778
申请日：2007-10-01
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：林漢塗 , 楊智鈞 , 黃明遠 , 石志鴻 , 廖達文 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14692 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要：一種利用雷射剝離製程製作畫素結構的方法。此製作方法利用雷射剝離製程依序進行閘極、通道層、源極、汲極、保護層以及畫素電極的製作。由於此製作方法非採用微影蝕刻製程，因此可以減少冗長的光罩製程，如光阻塗佈、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、光阻剝除等。此製作方法簡化製程並降低製作成本。
简体摘要：一种利用激光剥离制程制作像素结构的方法。此制作方法利用激光剥离制程依序进行闸极、信道层、源极、汲极、保护层以及像素电极的制作。由于此制作方法非采用微影蚀刻制程，因此可以减少冗长的光罩制程，如光阻涂布、软烤、硬烤、曝光、显影、蚀刻、光阻剥除等。此制作方法简化制程并降低制作成本。

38. 发明专利

TWI326486B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI326486B
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：TW097124271
申请日：2008-06-27
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：楊智鈞 , 黃明遠 , 林漢塗 , 石志鴻 , 廖達文 , 方國龍 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要：一種畫素結構的製作方法，其包括下列步驟。首先，於基板上形成閘極，並於基板上形成閘介電層以覆蓋閘極。接著，於閘介電層上形成通道層，並於通道層上形成第二金屬層。接著，於第二金屬層上形成圖案化光阻層，並以圖案化光阻層為罩幕移除部分之第二金屬層，以於閘極兩側的通道層上形成源極與汲極，其中閘極、通道層、源極以及汲極構成薄膜電晶體。之後，於圖案化光阻層、閘介電層以及薄膜電晶體上形成保護層。移除圖案化光阻層，以使圖案化光阻層上之保護層一併被移除，而形成圖案化保護層，並暴露出汲極。接著，於圖案化保護層與汲極上形成一畫素電極。
简体摘要：一种像素结构的制作方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成闸极，并于基板上形成闸介电层以覆盖闸极。接着，于闸介电层上形成信道层，并于信道层上形成第二金属层。接着，于第二金属层上形成图案化光阻层，并以图案化光阻层为罩幕移除部分之第二金属层，以于闸极两侧的信道层上形成源极与汲极，其中闸极、信道层、源极以及汲极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光阻层、闸介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光阻层，以使图案化光阻层上之保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出汲极。接着，于图案化保护层与汲极上形成一像素电极。

39. 发明专利

TWI321362B 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI321362B
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW096106093
申请日：2007-02-16
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：方國龍 , 楊智鈞 , 林漢塗
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/124
摘要：本發明提供一種半導體結構，包括：一基板；一閘極，設置於該基板上；一絕緣層，設置於該基板上並覆蓋該閘極；一圖案化半導體層，設置於該絕緣層上；一源極與一汲極，設置於該圖案化半導體層上；一保護層，覆蓋該絕緣層、該源極與覆蓋於該汲極之部分邊界，露出部分該汲極；以及一畫素電極，設置於該基板上並覆蓋該汲極邊界之該保護層，且與露出之該汲極電性連接。本發明另提供一種半導體結構之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该基板上并覆盖该闸极；一图案化半导体层，设置于该绝缘层上；一源极与一汲极，设置于该图案化半导体层上；一保护层，覆盖该绝缘层、该源极与覆盖于该汲极之部分边界，露出部分该汲极；以及一像素电极，设置于该基板上并覆盖该汲极边界之该保护层，且与露出之该汲极电性连接。本发明另提供一种半导体结构之制造方法。

40. 发明专利

TWI356499B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI356499B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096147036
申请日：2007-12-10
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：方國龍 , 楊智鈞 , 黃明遠 , 林漢塗 , 石志鴻 , 廖達文 , 詹勳昌 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
摘要：一種畫素結構的製作方法包括下列步驟。首先，提供一形成有第一導電層之基板，接著提供第一遮罩於第一導電層上方，並使用雷射經由第一遮罩照射第一導電層，以形成閘極。接著，形成閘絕緣層於基板上，以覆蓋閘極。繼之，同時形成通道層、源極以及汲極於閘極上方的閘絕緣層上，其中閘極、通道層、源極以及汲極構成薄膜電晶體。接著，形成圖案化保護層於薄膜電晶體之上，圖案化保護層暴露出部分汲極。接著，形成一電性連接於汲極的畫素電極。此製作方法較為簡單因而降低製作成本。
简体摘要：一种像素结构的制作方法包括下列步骤。首先，提供一形成有第一导电层之基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经由第一遮罩照射第一导电层，以形成闸极。接着，形成闸绝缘层于基板上，以覆盖闸极。继之，同时形成信道层、源极以及汲极于闸极上方的闸绝缘层上，其中闸极、信道层、源极以及汲极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分汲极。接着，形成一电性连接于汲极的像素电极。此制作方法较为简单因而降低制作成本。

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