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31. 发明专利

DE112017008277T5 HALBLEITERVORRICHTUNG UND LEISTUNGSUMWANDLUNGSVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE112017008277T5
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：DE112017008277
申请日：2017-12-13
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： IMOTO YUJI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/60 , H01L23/48
摘要： Die Aufgabe besteht darin, eine Technik bereitzustellen, die verhindern kann, dass Risse in einem unerwünschten Teilbereich in einem Harz auftreten. Eine Halbleitervorrichtung enthält eine elektronische Schaltung (7), die ein Halbleiterelement (4), eine mit der elektronischen Schaltung (7) direkt verbundene Metallelektrode (5) und ein Kapselungsharz (6) umfasst. Das Kapselungsharz (6) kapselt die elektronische Schaltung (7) und die Metallelektrode (5) ein. Ein Endteilbereich (5a) der Metallelektrode (5) auf einer Oberfläche, die einer der elektronischen Schaltung (7) zugewandten Oberfläche entgegengesetzt ist, ist spitzförmig, und ein Endteilbereich (5b) der Metallelektrode (5) auf der der elektronischen Schaltung (7) zugewandten Oberfläche ist bogenförmig oder stumpf geformt.

32. 发明专利

DE112016007372T5 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür 未知
公开(公告)号：DE112016007372T5
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：DE112016007372
申请日：2016-10-24
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YOSHIMATSU NAOKI , USUI OSAMU , IMOTO YUJI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
摘要： Auf einer oberen Oberfläche des Halbleiterchips (9) sind erste und zweite Elektroden (12, 13) vorgesehen und voneinander beabstandet. Ein Verdrahtungselement (15) umfasst eine erste Verbindungsstelle (15a), die an die erste Elektrode (12) gebondet ist, und eine zweite Verbindungstelle (15b), die an die zweite Elektrode (13) gebondet ist. Ein Harz (2) versiegelt den Halbleiterchip (9), die ersten und zweiten Elektroden (12, 13) und das Verdrahtungselement (15). Zwischen der ersten Verbindungsstelle (15a) und der zweiten Verbindungsstelle (15b) ist ein Loch (18) vorgesehen, das sich durch das Verdrahtungselement (15) nach oben und unten erstreckt.

33. 发明专利

DE102015212832A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102015212832A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：DE102015212832
申请日：2015-07-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： YOSHIMATSU NAOKI , ISHIYAMA YUSUKE , SHIKANO TAKETOSHI , IMOTO YUJI , FUJINO JUNJI , ASADA SHINSUKE
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L25/07
摘要： Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein isolierendes Substrat 1 mit einem Schaltungsmuster 3, Halbleiterelemente 5 und 6, die an das Schaltungsmuster 3 mit einem Lötmaterial 13 gebondet sind, und einen Verdrahtungsanschluss 8, der mit einem Lötmaterial 14 an eine Elektrode gebondet ist, die an jedem der Halbleiterelemente 5 und 6 auf einer gegenüberliegenden Seite des Schaltungsmusters 3 vorgesehen ist, wobei ein Teil des Verdrahtungsanschlusses 8 in Kontakt mit dem isolierenden Substrat 1 steht und vom Schaltungsmuster 3 isoliert ist.

34. 发明专利

DE102014212519A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102014212519A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：DE102014212519
申请日：2014-06-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： IMOTO YUJI , YOSHIMATSU NAOKI , FUJINO JUNJI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/057 , H01L25/07
摘要： Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen leitfähigen Abschnitt mit Halbleiterelementen (3), die auf einem Substrat (2) vorgesehen sind, ein Gehäuse (5), das den leitfähigen Abschnitt aufnimmt, und einen Zuleitungsanschluss (4), der in das Gehäuse (5) integriert ist, so dass er direkt mit den Halbleiterelementen (3) oder einer Verbindung des Substrats (2) verbunden ist. Der Zuleitungsanschluss (4) weist eine Spannungsabbauform zum Abbauen der im Zuleitungsanschluss (4) erzeugten Spannung auf.

35. 发明专利

DE112019007915T5 Halbleitermodul 未知
公开(公告)号：DE112019007915T5
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：DE112019007915
申请日：2019-11-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SANNAI HIROYA , INOKUCHI SEIICHIRO , IMOTO YUJI , IIZUKA ARATA
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/04 , H01L23/34 , H01L25/07
摘要： Ein Isoliersubstrat (2) ist auf einer Basisplatte (1) angeordnet. Eine Halbleitervorrichtung (6-9) ist auf dem Isoliersubstrat (2) angeordnet. Ein Gehäuse (10) ist so angeordnet, dass es das Isoliersubstrat und die Halbleitervorrichtung umgibt, und mit einem Klebstoff (11) an die Basisplatte (1) gebondet. Ein Versiegelungsmittel (22) versiegelt das Isoliersubstrat und die Halbleitervorrichtung im Gehäuse (10). Eine Vertiefung (23) ist auf einer unteren Oberfläche des Gehäuses (10) angeordnet, die einem peripheren Teilbereich der oberen Oberfläche der Basisplatte (1) gegenüberliegt. Eine Bodenfläche der Vertiefung (23) weist einen vorstehenden Teil (24) auf, der in Richtung der Basisplatte (1) vorsteht. Der vorstehende Teil (24) weist eine Spitze (25) und Gradienten (26, 27) auf, die jeweils auf einer Innenseite und auf einer Außenseite des Gehäuses (10) mit der dazwischen sandwichartig angeordneten Spitze (25) angeordnet sind. Der Klebstoff (11) berührt die Spitze (25) und ist in der Vertiefung (23) untergebracht.

36. 发明专利

DE102017210589B4 HALBLEITERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102017210589B4
公开(公告)日：2022-01-13
申请号：DE102017210589
申请日：2017-06-23
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OKA SEIJI , YOSHIDA HIROSHI , ISHIBASHI HIDETOSHI , IMOTO YUJI , MURATA DAISUKE , NAKAHARA KENTA
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/40
摘要： Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Substrat (15);eine Mehrzahl von Halbleiter-Chips (18), die auf dem Substrat (15) befestigt sind;eine Isolierungsplatte (20A), in welcher eine Durchgangsbohrung (20H) ausgebildet ist;einen ersten Unterbereichsleiter (20C) als einen einzelnen Leiter, der einen Unterbereichshauptkörper (20a), der auf einer unteren Oberfläche der Isolierungsplatte (20A) ausgebildet und elektrisch mit einem aus der Mehrzahl von Halbleiter-Chips (18) verbunden ist, und einen Unterbereichsüberstandbereich (20b), der sich in einer Draufsicht außerhalb der Isolierungsplatte (20A) erstreckt, aufweist;einen zweiten Unterbereichsleiter (20D), der auf einer unteren Oberfläche der Isolierungsplatte (20A) ausgebildet und elektrisch mit einem aus der Mehrzahl von Halbleiter-Chips (18) verbunden ist;einen Oberbereichsleiter (20B) als einen einzelnen Leiter, der einen Oberbereichshauptkörper (20c), der auf der oberen Oberfläche der Isolierungsplatte (20A) ausgebildet ist, und einen Oberbereichsüberstandbereich (20d), der sich in einer Draufsicht außerhalb der Isolierungsplatte (20A) erstreckt, aufweist;ein Verbindungsteil (20R), das in der Durchgangsbohrung (20H) vorgesehen ist und eine Verbindung zwischen dem Oberbereichshauptkörper (20c) und dem zweiten Unterbereichsleiter (20D) herstellt; undein Harz (40), das die Halbleiter-Chips (18) und die Isolierungsplatte (20A) bedeckt, wobeisich der Unterbereichsüberstandbereich (20b) und der Oberbereichsüberstandbereich (20d) außerhalb der Halbleitervorrichtung erstrecken und der erste Unterbereichsleiter (20C) und der Oberbereichsleiter (20B) als externe Elektroden dienen.

37. 发明专利

DE112017007675T5 Halbleitervorrichtung und Leistungsumwandlungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017007675T5
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE112017007675
申请日：2017-06-22
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： SHIGEMOTO TAKUMI , ISHIKAWA SATORU , IMOTO YUJI
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： Die Halbleitervorrichtung 100 enthält ein Halbleiterelementsubstrat 5, das eine Isolierungseigenschaft aufweist, und einen Draht W1, um das Halbleiterelement S1 in Bezug auf das Halbleiterelementsubstrat 5 zu positionieren. Das Halbleiterelementsubstrat 5 enthält einen Anordnungsbereich Rg1, um das Halbleiterelement S1 anzuordnen. Der Draht W1 ist zumindest bei einem Teil der Peripherie des Anordnungsbereichs Rg1 vorgesehen.

38. 发明专利

DE112018002403T5 LEISTUNGSMODUL, ELEKTROENERGIE-UMWANDLUNGSEINRICHTUNG, SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSMODULS 未知
公开(公告)号：DE112018002403T5
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：DE112018002403
申请日：2018-04-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FUJINO JUNJI , IMOTO YUJI , OGAWA SHOHEI , ISHIHARA MIKIO
IPC分类号： H01L23/28 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L25/18
摘要： Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Leistungsmodul anzugeben, bei welchem die Adhäsion eines Dichtungsharzes ausreichend ist, und das hoch zuverlässig ist. Das Leistungsmodul weist Folgendes auf: eine Isolierplatte (11), bei welcher ein Muster einer Leiterschicht (13) auf einer Keramikplatte ausgebildet ist; Leistungs-Halbleiterelemente (21, 22), die auf der Isolierplatte (11) platziert sind; Leiterrahmen (611a, 612a) jeweils in Plattenform, die eine Verbindung von Elektroden der Leistungs-Halbleiterelemente (21, 22) mit Schraubenbefestigungs-Anschlussbereichen (611, 612) herstellen; und einen Dichtungsharz-Bereich (7), der Verbindungsbereiche zwischen den Leistungs-Halbleiterelementen (21, 22) und den Leiterrahmen (611a, 612a) sowie Regionen um die Verbindungsbereiche herum abdichtet; wobei in den Leiterrahmen (611a, 612a) Öffnungsbereiche (611b, 612b) an Positionen ausgebildet sind, wo jeder der Leiterrahmen zumindest teilweise in der Draufsicht mit einem Bereich der Isolierplatte (11) überlappt, auf welchem die Leiterschicht (13) nicht ausgebildet ist.

39. 发明专利

DE102017210589A1 HALBLEITERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102017210589A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：DE102017210589
申请日：2017-06-23
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OKA SEIJI , YOSHIDA HIROSHI , ISHIBASHI HIDETOSHI , IMOTO YUJI , MURATA DAISUKE , NAKAHARA KENTA
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/40
摘要： Ein Weiterleitungssubstrat, in welchem ein Schaltungsmuster und eine externe Elektrode auf einer Isolierungsplatte integriert sind, wird in der Halbleitervorrichtung verwendet. Eine solche Anordnung ermöglicht, einen Widerstand in einem Strompfad zu reduzieren, während die Probleme verhindert werden, die auftreten, wenn die externe Elektrode an den Halbleiter-Chip gelötet wird.

40. 发明专利

DE102017200166A1 Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102017200166A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：DE102017200166
申请日：2017-01-09
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： ISHIYAMA YUSUKE , IMOTO YUJI
IPC分类号： H01L23/473
摘要： Zur Verfügung gestellt wird eine Halbleitervorrichtung, die eine kleine Grundfläche aufweist, wobei die Halbleitervorrichtung mehrere Leistungsmodule und eine Kühlstruktur für diese Leistungsmodule aufweist. Die Halbleitervorrichtung weist auf: ein Leistungsmodul (31) auf einer Oberseitenplatte (41) eines Kühlmantels; und ein Leistungsmodul (32) auf einer Oberseitenplatte (42) des Kühlmantels, wobei die Oberseitenplatte (42) der Oberseitenplatte (41) gegenüberliegt. Der Kühlmantel weist eine erste Lamelle (21) in Kontakt mit der Oberseitenplatte (41) in einem Durchlass und eine zweite Lamelle (22) in Kontakt mit der Oberseitenplatte (42) in dem Durchlass auf. Die Leistungsmodule (31) und (32) liegen einander durch die Oberseitenplatten (41) und (42) und durch die Lamellen (21) und (22) gegenüber.

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