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31. 发明专利

TWI689206B 影像處理裝置以及自動白平衡方法有权
简体标题：影像处理设备以及自动白平衡方法
公开(公告)号：TWI689206B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW105126679
申请日：2016-08-22
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：曺周鉉 , CHO, JUHYUN
IPC分类号： H04N9/73 , G06T7/00

32. 发明专利

TWI689051B 扇出型半導體封裝有权
简体标题：扇出型半导体封装
公开(公告)号：TWI689051B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107124884
申请日：2018-07-19
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金鳳守 , KIM, BONG SOO
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/28

33. 发明专利

TW202011716A 驗證電路、包括其的電子系統以及形成網路的方法审中-公开
简体标题：验证电路、包括其的电子系统以及形成网络的方法
公开(公告)号：TW202011716A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108111672
申请日：2019-04-02
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金在民 , KIM, JAE MIN , 李在源 , LEE, JAE WON , 許峻豪 , HUH, JUNHO
IPC分类号： H04L12/22 , H04L9/32
摘要：一種電子系統包括多個硬體裝置及驗證電路。驗證電路作為固定硬體在電子系統的製造製程期間與所述多個硬體裝置一起整合於電子系統中，驗證電路被配置成基於由所述多個硬體裝置中的至少一者自電子系統的內部提供的系統識別代碼而核實系統完整性，系統完整性指示驗證電路與所述多個硬體裝置的組合未因製造製程而被修改，驗證電路被配置成僅因應於驗證電路核實系統完整性而實行挖礦操作以產生下一區塊，所述下一區塊欲鏈接至區塊鏈。可防止或減小出現不加選擇的挖礦競爭的可能性。
简体摘要：一种电子系统包括多个硬件设备及验证电路。验证电路作为固定硬件在电子系统的制造制程期间与所述多个硬件设备一起集成于电子系统中，验证电路被配置成基于由所述多个硬件设备中的至少一者自电子系统的内部提供的系统识别代码而核实系统完整性，系统完整性指示验证电路与所述多个硬件设备的组合未因制造制程而被修改，验证电路被配置成仅因应于验证电路核实系统完整性而实行挖矿操作以产生下一区块，所述下一区块欲链接至区块链。可防止或减小出现不加选择的挖矿竞争的可能性。

34. 发明专利

TW202011626A 可變電阻式記憶體元件审中-公开
简体标题：可变电阻式内存组件
公开(公告)号：TW202011626A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108119629
申请日：2019-06-06
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴勇振 , PARK, YONGJIN , 白晙煥 , PAIK, JUNHWAN , 成東俊 , SEONG, DONGJUN , 吳圭煥 , OH, GYUHWAN , 鄭炯鐘 , JEONG, HYUNGJONG
IPC分类号： H01L45/00
摘要：一種可變電阻式記憶體元件包含：第一導電線，設置於基底上；第二導電線，設置於第一導電線上且與第一導電線相交；以及記憶體單元，設置於第一導電線與第二導電線之間。記憶體單元包含可變電阻圖案，以及設置於可變電阻圖案上的加熱器電極。加熱器電極包含穿過加熱器電極的貫穿孔。貫穿孔暴露可變電阻圖案的一個表面。
简体摘要：一种可变电阻式内存组件包含：第一导电线，设置于基底上；第二导电线，设置于第一导电线上且与第一导电线相交；以及内存单元，设置于第一导电线与第二导电线之间。内存单元包含可变电阻图案，以及设置于可变电阻图案上的加热器电极。加热器电极包含穿过加热器电极的贯穿孔。贯穿孔暴露可变电阻图案的一个表面。

35. 发明专利

TW202011561A 具有改良的散熱特性及電磁屏蔽特性的半導體封裝审中-公开
简体标题：具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装
公开(公告)号：TW202011561A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108118302
申请日：2019-05-28
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金沅槿 , KIM, WON-KEUN , 吳瓊碩 , OH, KYUNG-SUK , 高知韓 , KO, JI-HAN , 金吉洙 , KIM, KIL-SOO , 金永錫 , KIM, YEONG-SEOK , 李政泌 , LEE, JOUNG-PHIL , 陳華日 , JIN, HWA-IL , 邢秀禎 , HYUNG, SU-JUNG
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/60
摘要：一種半導體封裝可包括：第一半導體晶片，位於佈線基板上並電連接到所述佈線基板；中間層，位於所述第一半導體晶片上且覆蓋所述第一半導體晶片的整個表面；第二半導體晶片，位於所述中間層上並電連接到所述佈線基板；模製層，位於所述佈線基板上並覆蓋所述第一半導體晶片及所述第二半導體晶片，所述模製層包括一個或多個內表面，所述一個或多個內表面界定模製通孔孔洞，所述模製通孔孔洞暴露出所述中間層的表面的一部分；電磁屏蔽層，位於所述模製層的所述一個或多個內表面上，且還位於所述模製層的一個或多個外表面上；以及散熱層，位於所述模製通孔孔洞中的所述電磁屏蔽層上，使得所述散熱層填充所述模製通孔孔洞。
简体摘要：一种半导体封装可包括：第一半导体芯片，位于布线基板上并电连接到所述布线基板；中间层，位于所述第一半导体芯片上且覆盖所述第一半导体芯片的整个表面；第二半导体芯片，位于所述中间层上并电连接到所述布线基板；模制层，位于所述布线基板上并覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片，所述模制层包括一个或多个内表面，所述一个或多个内表面界定模制通孔孔洞，所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分；电磁屏蔽层，位于所述模制层的所述一个或多个内表面上，且还位于所述模制层的一个或多个外表面上；以及散热层，位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上，使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞。

36. 发明专利

TW202011188A 記憶體裝置以及用於記憶體管理的系統审中-公开
简体标题：内存设备以及用于内存管理的系统
公开(公告)号：TW202011188A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108106973
申请日：2019-03-04
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：瑪麗埃塔布萊恩 D , MARIETTA, BRYAN D
IPC分类号： G06F11/10 , G06F12/06
摘要：根據一個一般態樣，一種設備可包括記憶體，所述記憶體被配置成儲存資料及元資料，使得對於資料的與元資料相關聯的部分，資料與元資料被交錯成使元資料的單元位於資料的每2之冪個連續單元之後。設備亦可包括記憶體管理器電路。記憶體管理電路可被配置成接收對記憶體的資料存取，其中資料存取包含公用記憶體位址。記憶體管理電路可被配置成判斷公用記憶體位址是否與元資料相關聯。記憶體管理電路可被配置成若相關聯，則將公用記憶體位址轉換成私用記憶體位址。記憶體管理電路可被配置成在私用記憶體位址處完成資料存取。
简体摘要：根据一个一般态样，一种设备可包括内存，所述内存被配置成存储数据及元数据，使得对于数据的与元数据相关联的部分，数据与元数据被交错成使元数据的单元位于数据的每2之幂个连续单元之后。设备亦可包括内存管理器电路。内存管理电路可被配置成接收对内存的数据存取，其中数据存取包含公用内存位址。内存管理电路可被配置成判断公用内存位址是否与元数据相关联。内存管理电路可被配置成若相关联，则将公用内存位址转换成私用内存位址。内存管理电路可被配置成在私用内存位址处完成数据存取。

37. 发明专利

TWI687427B 鑭化合物的合成方法、鑭化合物及使用其製造積體電路元件之方法有权
简体标题：镧化合物的合成方法、镧化合物及使用其制造集成电路组件之方法
公开(公告)号：TWI687427B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105121474
申请日：2016-07-07
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. , 日商艾迪科股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：朴圭熙 , PARK, GYU-HEE , 金潤洙 , KIM, YOUN-SOO , 林載順 , LIM, JAE-SOON , 曺侖廷 , CHO, YOUN-JOUNG , 佐藤晴義 , SATO, HARUYOSHI , 山田直樹 , YAMADA, NAOKI , 内生蔵広幸 , UCHIUZOU, HIROYUKI
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/316

39. 发明专利

TWI687091B 視訊解碼方法有权
简体标题：视频译码方法
公开(公告)号：TWI687091B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107122955
申请日：2013-06-11
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：雅希納艾爾納 , ALSHINA,ELENA , 雅辛亞歷山大 , ALSHIN,ALEXANDER
IPC分类号： H04N19/196

40. 发明专利

TWI687058B 無線通訊系統中干擾秩數資訊之盲測的裝置與方法、以及晶片組有权
简体标题：无线通信系统中干扰秩数信息之盲测的设备与方法、以及芯片组
公开(公告)号：TWI687058B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105125364
申请日：2016-08-10
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：權赫俊 , KWON, HYUKJOON , 拉赫馬迪莫傑塔巴 , RAHMATI, MOJTABA , 李正元 , LEE, JUNGWON
IPC分类号： H04B1/10 , H04B17/20

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