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31. 发明申请

WO2021159178A1 NANOTUBE MEDIATED DELIVERY SYSTEM AND METHODS COMPRISING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2021159178A1
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：PCT/AU2021/050113
申请日：2021-02-10
申请人： COMMONWEALTH SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH ORGANISATION , MONASH UNIVERSITY , ULVAC, INC.
发明人： VOELCKER, Nicolas Hans , ELNATHAN, Roey , ASLANOGLOU, Stella , CHEN, Yaping
IPC分类号： C12N15/89 , B82Y5/00
摘要： The present disclosure relates generally to a molecular delivery system and methods of using the molecular delivery system to deliver biomolecules into cells. In particular, the molecular delivery system comprises a nanotube (NT) array comprising a plurality of nanotubes (NTs) which are used to deliver biomolecules to cells. The NTs can be loaded with molecules that can be delivered into cells following contact (e.g. penetration) by the NTs.

32. 发明申请

WO2021014266A1 SUB-STOICHIOMETRIC METAL-OXIDE THIN FILMS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021014266A1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：PCT/IB2020/056508
申请日：2020-07-10
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , ULVAC, INC., , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED
发明人： ROZEN, John , FRANK, Martin Michael , OGAWA, Yohei
IPC分类号： C23C16/40
摘要： A method of depositing a sub-stoichiometric metal-oxide, the method comprising: selecting a first precursor comprising a metal and a first ligand; selecting a second precursor comprising the metal and a second ligand; exposing a substrate(102) to the first precursor during a first pulse of an atomic layer deposition cycle; exposing the substrate(102) to the second precursor during a second pulse of the atomic layer deposition cycle, the second pulse occurring directly after the first pulse; and exposing the substrate(102) to an oxidant during a third pulse of the atomic layer deposition cycle.

33. 发明申请

WO2011079288A3 INKJET PRINTHEAD MODULE WITH ADJUSTABLE ALIGNMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011079288A3
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/US2010/062042
申请日：2010-12-23
申请人： ULVAC, INC. , ALBERTALLI, David , MIDDLETON, James A. , PATTERSON, Roy M.
发明人： ALBERTALLI, David , MIDDLETON, James A. , PATTERSON, Roy M.
IPC分类号： B41J2/175 , B05C11/10
摘要： A microdeposition system includes a stage, a printhead carriage, and a controller. The stage holds a substrate. The printhead carriage includes N printhead modules, where N is an integer greater than one. Each of the N printhead modules includes a printhead and an alignment mechanism. The printhead includes a plurality of nozzles that deposit droplets of fluid manufacturing material onto the substrate while relative movement between the substrate and the printhead is along a first axis. The alignment mechanism adjusts the printhead with respect to the printhead module. The controller controls the alignment mechanisms of the N printhead modules to set effective nozzle spacing for the pluralities of nozzles to a uniform value. The effective nozzle spacing is defined as spacing between adjacent ones of the plurality of nozzles as projected onto a second axis perpendicular to the first axis.

34. 发明申请

WO0235554A8 ELECTROCONDUCTIVE METAL PASTE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：电极金属膏及其生产方法
公开(公告)号：WO0235554A8
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：PCT/JP0108340
申请日：2001-09-26
申请人： HARIMA CHEMICALS INC , ULVAC INC , MATSUBA YORISHIGE , MISAWA YOSHIHISA , GOTO HIDEYUKI , UEDA MASAYUKI , OOSAKO KATSUHISA , ODA MASAAKI , SAITO NORIMICHI , SUZUKI TOSHIHIRO , ABE NORIYUKI
发明人： MATSUBA YORISHIGE , MISAWA YOSHIHISA , GOTO HIDEYUKI , UEDA MASAYUKI , OOSAKO KATSUHISA , ODA MASAAKI , SAITO NORIMICHI , SUZUKI TOSHIHIRO , ABE NORIYUKI
IPC分类号： B22F1/00 , C09J9/02 , H01B1/22 , H05K1/09 , B22F1/02 , C09J201/00 , H01B1/00 , H01B13/00
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F2998/00 , C09J9/02 , H01B1/22 , H05K1/092 , Y10T428/29 , B22F1/0018
摘要： [purpose] The provision of an electroconductive metal paste of low temperature sintering type for use in printing a high density circuit, which exhibits good adhesion and a smooth surface when applied on a substrate and burned, and thus can be used for forming a fine circuit exhibiting a low resistance. [constitution] An electroconductive metal paste which comprises a resin composition comprising a thermosetting resin component, an organic acid anhydride or a derivative thereof or an organic acid, and one or more organic solvents and, dispersed homogeneously therein, as an electroconductive medium, ultra-fine metal particles having an average particle diameter of 100 nm or less and being surface-coated with one or more compounds having a group capable of forming a coordinate-type bonding with a metal element contained in said ultra-fine metal particle through a lone electron pair of N, O or S, optionally in combination with a metal filler having an average particle diameter of 0.5 to 20 mu m. The electroconductive metal paste can undergo low temperature sintering between ultra-fine metal particles contained therein when the paste is subjected to a low temperature heat treatment.
摘要翻译： [目的]提供一种用于印刷高密度电路的低温烧结型导电金属膏，其在施加在基材上时表现出良好的粘合性和光滑的表面，并且因此可用于形成精细电路表现出低阻力。 [构成]导电性金属糊剂，其包含含有热固性树脂成分，有机酸酐或其衍生物或有机酸的树脂组合物和一种或多种有机溶剂，并均匀分散在其中作为导电介质，平均粒径为100nm以下的金属微粒，表面被一个或多个化合物表面被覆，该化合物具有能够通过单独的电子与包含在所述超细金属颗粒中的金属元素形成坐标型结合的基团一对N，O或S，任选地与平均粒径为0.5至20μm的金属填料组合。导电金属糊料可以在糊料进行低温热处理时，在其中包含的超细金属颗粒之间进行低温烧结。

35. 发明专利

GB2599336B Sub-stoichiometric metal-oxide thin films 未知
公开(公告)号：GB2599336B
公开(公告)日：2022-12-07
申请号：GB202201308
申请日：2020-07-10
申请人： IBM , ULVAC INC
发明人： JOHN ROZEN , MARTIN MICHAEL FRANK , YOHEI OGAWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
摘要： Embodiments of the present invention are directed to forming a sub-stoichiometric metal-oxide film using a modified atomic layer deposition (ALD) process. In a non-limiting embodiment of the invention, a first precursor and a second precursor are selected. The first precursor can include a metal and a first ligand. The second precursor can include the same metal and a second ligand. A substrate can be exposed to the first precursor during a first pulse of an ALD cycle. The substrate can be exposed to the second precursor during a second pulse of the ALD cycle. The second pulse can occur directly after the first pulse without an intervening thermal oxidant. The substrate can be exposed to the thermal oxidant during a third pulse of the ALD cycle.

36. 发明专利

DE112018004630B4 SELEKTIVES AUFWACHSEN EINES PHASENÄNDERUNGSMATERIALS IN DIELEKTRISCHEN POREN MIT EINEM HOHEN ASPEKTVERHÄLTNIS FÜR DIE FERTIGUNG VON HALBLEITEREINHEITEN 未知
公开(公告)号：DE112018004630B4
公开(公告)日：2022-02-03
申请号：DE112018004630
申请日：2018-10-30
申请人： IBM , ULVAC INC
发明人： BRUCE ROBERT , BRIGHTSKY MATTHEW JOSEPH , MASUDA TAKESHI
IPC分类号： H01L45/00
摘要： Verfahren (1000) zur Fertigung einer Phasenänderungsspeicher-Einheit (300), das aufweist:Abscheiden (1002) eines ersten dielektrischen Materials (304);Bilden (1002) einer Öffnung in dem ersten dielektrischen Material;Abscheiden (1004) einer unteren Metallelektrode (302) innerhalb der Öffnung und Polieren der unteren Metallelektrode;Abscheiden (1006) eines zweiten dielektrischen Materials (306) auf einer Oberfläche der unteren Metallelektrode und des ersten dielektrischen Materials;Abscheiden (1010) eines Metallnitrids (310) konform an einer Pore (308) innerhalb des zweiten dielektrischen Materials der Phasenänderungsspeicher-Einheit, wobei sich die Pore durch das zweite dielektrische Material hindurch erstreckt und einen Teil einer oberen Oberfläche der unteren Metallelektrode freilegt;Ätzen (1012) des Metallnitrids derart, dass das Metallnitrid nur und direkt auf den gesamten Seitenwänden der Pore verbleibt, wobei der Teil der oberen Oberfläche der unteren Metallelektrode nach dem Ätzen des Metallnitrids freiliegt; undselektives Abscheiden (1014) eines Phasenänderungsmaterials (312) lediglich innerhalb der Pore der zweiten dielektrischen Schicht, um eine Gesamtheit der Pore mit dem Phasenänderungsmaterial vollständig zu füllen, wobei die selektive Abscheidung des Phasenänderungsmaterials ein Aufwachsen des Phasenänderungsmaterials auf dem Metallnitrid mit einer wesentlich höheren Rate als einer Aufwachsrate des Phasenänderungsmaterials auf freiliegenden Oberflächen des zweiten dielektrischen Materials ergibt, wobei ein Strom eines Gasgemischs umfassend Ammoniak und Argon mit einer speziellen Strömungsrate während der selektiven Abscheidung des Phasenänderungsmaterials eingesetzt wird;kontinuierliches Einsetzen eines Vakuums während des Abscheidens des Metallnitrids, des Ätzens des Metallnitrids und des selektiven Abscheidens des Phasenänderungsmaterials, sodass keine oxidierte Grenzfläche zwischen dem Metallnitrid und dem Phasenänderungsmaterial gebildet wird;Abscheiden (1016) einer oberen Metallelektrode (314) in Kontakt mit einer oberen Oberfläche des Phasenänderungsmaterials und in Kontakt mit Teilen einer oberen Oberfläche des zweiten dielektrischen Materials; undAbscheiden (1018) eines dritten dielektrischen Materials (316), wobei das dritte dielektrische Material in Kontakt mit Seitenwänden der oberen Metallelektrode steht.

37. 发明专利

DE112018000387B4 Vakuumtrocknungsvorrichtung und Vakuumtrocknungsverfahren 未知
公开(公告)号：DE112018000387B4
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：DE112018000387
申请日：2018-02-08
申请人： NATIONAL UNIV CORPORATION IWATE UNIV , ULVAC INC
发明人： MIURA MAKOTO , MORIKAWA TAKUYA , TAKADA NORIHISA , YOSHIMOTO TSUYOSHI , HANAMOTO TAKASHI , OHINATA YOICHI
IPC分类号： F26B5/04 , F26B9/06
摘要： Vakuumtrocknungsvorrichtung, umfassend:eine Kammer, die einen Einlass, einen Auslass und einen Behandlungsraum aufweist, der in der Lage ist, Nahrung aufzunehmen;eine Dampfzuleitung, die mit dem Einlass verbunden und so konfiguriert ist, dass sie in der Lage ist, Dampf in den Behandlungsraum zu liefern;eine Evakuierungsleitung, die mit dem Auslass verbunden ist und so konfiguriert ist, dass sie in der Lage ist, den Behandlungsraum zu evakuieren;eine Zirkulationsleitung, die außerhalb der Kammer bereitgestellt ist und bewirkt, dass Dampf vom Auslass zum Einlass zirkuliert; undeine Druckaufbau- und Erhitzungseinheit, die in der Zirkulationsleitung bereitgestellt ist und die aufweist:eine Druckaufbaueinrichtung, die eine erste Pumpe und einen Strömungskanaldurchmesserbegrenzer aufweist und den Dampf unter Druck setzt, undeinen Erhitzer, der zwischen der ersten Pumpe und dem Strömungskanaldurchmesserbegrenzer bereitgestellt ist und Dampf erhitzt, der von der Druckaufbaueinrichtung unter Druck gesetzt worden ist, undeine Steuereinrichtung, welche die erste Pumpe und/oder den Strömungskanaldurchmesserbegrenzer gemäß einem Druck des Erhitzers steuert,wobei die Vakuumtrocknungsvorrichtung so konfiguriert ist, dass sie in der Lage ist, eine Blanchierbehandlung auszuführen, die bewirkt, dass Dampf zwischen dem Behandlungsraum bei einem normalen Druck und der Zirkulationsleitung zirkuliert, sowie eine Trocknungsbehandlung, die bewirkt, dass Heißdampf zwischen dem Behandlungsraum, in dem ein Druck verringert ist, durch die Evakuierungsleitung und der Zirkulationsleitung zirkuliert.

38. 发明专利

DE112017007408B4 Ionenquelle und Ionenimplantationsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112017007408B4
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：DE112017007408
申请日：2017-12-27
申请人： ULVAC INC
发明人： YUZE TAKUMI , TERASAWA TOSHIHIRO , SASAKI NARUYASU
IPC分类号： H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要： Ionenquelle (10) zum Erzeugen eines Ionenstrahls, aufweisend:einen Ionenerzeugungsbehälter (11), der konfiguriert ist, um Ionen zu erzeugen, indem er ionisiertes Gas, das über ein rohrförmiges Gaseinleitungsrohr (13) in den Ionenerzeugungsbehälter eingeleitet wird, mit einem in den Ionenerzeugungsbehälter emittierten Ionenquellenmaterial reagieren läßt,wobei das Gaseinleitungsrohr (13) konfiguriert ist, um das ionisierte Gas über ein Gaszuführungsrohr (14) in einen Innenraum (13b) des Gaseinleitungsrohres (13) einzubringen,ein abnehmbares Kühlfallenelement (30), das im Innenraum (13b) des Gaseinleitungsrohres (13) vorgesehen ist, wobei das Kühlfallenelement (30) einen Kühlfallenabschnitt (33) aufweist, der ein im Ionenerzeugungsbehälter (11) erzeugtes Nebenprodukt kühlt und abfängt, undder Kühlfallenabschnitt (33) nahe einem versorgungsseitigen vorderen Ende (14a) des Gaszuführungsrohres (14) im Innenraum (13b) des Gaseinleitungsrohres (13) angeordnet ist und nicht mit einer Innenwandfläche des Gaseinleitungsrohres (13) in Kontakt steht.

39. 发明专利

DE112018004630T5 SELEKTIVES AUFWACHSEN EINES PHASENÄNDERUNGSMATERIALS IN DIELEKTRISCHEN POREN MIT EINEM HOHEN ASPEKTVERHÄLTNIS FÜR DIE FERTIGUNG VON HALBLEITEREINHEITEN 未知
公开(公告)号：DE112018004630T5
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：DE112018004630
申请日：2018-10-30
申请人： IBM , ULVAC INC
发明人： BRUCE ROBERT , BRIGHTSKY MATTHEW JOSEPH , MASUDA TAKESHI
IPC分类号： H01L45/00
摘要： An einer Pore innerhalb eines ersten dielektrischen Materials einer Halbleitereinheit wird ein Überzug konform abgeschieden. Die Pore erstreckt sich durch das erste dielektrische Material hindurch bis zu einer oberen Oberfläche einer ersten Metallelektrode. Der Überzug wird derart geätzt, dass der Metallüberzug lediglich im Wesentlichen auf Seitenwänden der Pore verbleibt. Ein Phasenänderungsmaterial wird selektiv innerhalb der Pore der ersten dielektrischen Schicht abgeschieden, um die Pore mit dem Phasenänderungsmaterial im Wesentlichen zu füllen. Die selektive Abscheidung des Phasenänderungsmaterials ergibt eine Aufwachsrate des Phasenänderungsmaterials auf dem Überzug mit einer wesentlich höheren Rate als einer Aufwachsrate des Phasenänderungsmaterials auf freiliegenden Oberflächen des ersten dielektrischen Materials.

40. 发明专利

DE112018004463T5 FORMANGEPASSTE ERSATZ-GATE-ELEKTRODE FÜR KURZKANALEINHEITEN 未知
公开(公告)号：DE112018004463T5
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE112018004463
申请日：2018-10-12
申请人： IBM , ULVAC INC
发明人： ROZEN JOHN , ANDO TAKASHI , NARAYANAN VIJAY , BAO RUQIANG , OGAWA YOHEI , HATANAKA MASANOBU
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/8238 , H01L29/78
摘要： Eine Gate-Struktur für Anpassungen der effektiven Austrittsarbeit von Halbleitereinheiten, welche ein Gate-Dielektrikum auf einer Kanalzone einer Halbleitereinheit; ein erstes Metallnitrid in direktem Kontakt mit dem Gate-Dielektrikum; eine formangepasste Materialschicht eines Carbids von Aluminium mit einem Aluminiumgehalt von mehr als 30 Atom-Gew.-% und eine zweite Metallnitridschicht in direktem Kontakt mit der formangepassten Aluminium (AI) und Kohlenstoff (C) enthaltenden Materialschicht umfasst. Die formangepasste Schicht des Carbids von Aluminium (AI) umfasst Aluminiumcarbid oder AlC, welches einen Aluminium(AI)-Gehalt von bis zu 57 Atom% (At.%) ergibt, und eine Austrittsarbeitseinstellung von 3,9 eV bis 5,0 eV bei Dicken von weniger als 2,5 nm. Solche Strukturen können eine Skalierung der Metall-Gate-Längen und einen Widerstandsvorteil von weniger als 25 nm im Vergleich zu Austrittsarbeitselektroden des Stands der Technik ergeben.

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