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31. 发明专利

TW200303376A 電解銅鍍覆方法 PROCESS FOR ELECTROLYTIC COPPER PLATING 审中-公开
简体标题：电解铜镀覆方法 PROCESS FOR ELECTROLYTIC COPPER PLATING
公开(公告)号：TW200303376A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091132736
申请日：2002-11-07
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：土田英樹 HIDEKI TSUCHIDA , 日下大 MASARU KUSAKA , 林慎二郎 SHINJIRO HAYASHI , 塚越覺 SATORU TSUKAGOSHI
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76877 , H05K3/423 , H05K2201/09563
摘要：本發明提供一種電解銅鍍覆方法，係適用於形成經填充之導孔洞而不會危及所製成之沉積物的亮度。於此方法中，銅電鍍係於過渡金屬氧化物存在時進行。
简体摘要：本发明提供一种电解铜镀覆方法，系适用于形成经填充之导孔洞而不会危及所制成之沉积物的亮度。于此方法中，铜电镀系于过渡金属氧化物存在时进行。

32. 发明专利

TW200303372A 於金屬上沈積金層之方法,製造電子裝置之方法,及物件 METHOD OF DEPOSITING GOLD LAYER ON METAL, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ARTICLE 审中-公开
简体标题：于金属上沉积金层之方法,制造电子设备之方法,及对象 METHOD OF DEPOSITING GOLD LAYER ON METAL, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ARTICLE
公开(公告)号：TW200303372A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091135641
申请日：2002-12-10
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：瑪利安那康士勒 MIRIANA KANZLER
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H05K3/244 , C23C18/28 , C23C18/42
摘要：本發明揭示一種使用觸媒鈀沈積物於金屬基材上無電地沈積金層之方法。此等無電沈積之金層具有比習知無電沈積之金沈積更高之黏附力。
简体摘要：本发明揭示一种使用触媒钯沉积物于金属基材上无电地沉积金层之方法。此等无电沉积之金层具有比习知无电沉积之金沉积更高之黏附力。

33. 发明专利

TW548340B 用於無電金屬電鍍用之加速劑溶液之添加物失效
简体标题：用于无电金属电镀用之加速剂溶液之添加物
公开(公告)号：TW548340B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW091117273
申请日：2002-08-01
申请人：希普列公司
发明人：神田隆
IPC分类号： C23C , C09K
CPC分类号： C23C18/38 , C23C18/208 , C23C18/285 , C23C18/30
摘要：本發明提供一種加速劑溶液之添加物，其含有一或多種加速劑溶液懸浮抑制化合物。藉由在無電銅電鍍方法用之加速劑處理方法中使用含有此種添加劑之加速劑溶液，能夠防止加速劑溶液濁度之增加。
简体摘要：本发明提供一种加速剂溶液之添加物，其含有一或多种加速剂溶液悬浮抑制化合物。借由在无电铜电镀方法用之加速剂处理方法中使用含有此种添加剂之加速剂溶液，能够防止加速剂溶液浊度之增加。

34. 发明专利

TW200301494A 介電結構,以及具有該介電結構之電容器印刷電路板及其製法 DIELECTRIC STRUCTURE, AND CAPACITOR AND PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：介电结构,以及具有该介电结构之电容器印刷电路板及其制法 DIELECTRIC STRUCTURE, AND CAPACITOR AND PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200301494A
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091134265
申请日：2002-11-26
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：葛瑞克 S 艾倫 CRAIG S. ALLEN , 瑪莉亞安娜阿希茲尼克 MARIA ANNA RZEZNIK , S 馬修凱恩斯 S. MATTHEW CAIRNS
IPC分类号： H01G , H05K
CPC分类号： H05K1/162 , H01G4/06 , H01L21/2885 , H01L28/56 , H01L28/60 , H05K3/181 , H05K2201/0195 , H05K2201/0236 , H05K2201/09309
摘要：本發明係提供特別適用於電容器且具有足量之鍍覆摻雜物以促使導電層鍍覆的多層介電結構，並同時提供形成此種結構的方法。此種介電結構對於其後所施加之導電層會展現出增強的附著力。
简体摘要：本发明系提供特别适用于电容器且具有足量之镀覆掺杂物以促使导电层镀覆的多层介电结构，并同时提供形成此种结构的方法。此种介电结构对于其后所施加之导电层会展现出增强的附着力。

35. 发明专利

TW521325B 晶種層沈積失效
简体标题：晶种层沉积
公开(公告)号：TW521325B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW090126462
申请日：2001-10-25
申请人：希普列公司
发明人：詹姆斯 G 雪那特 , 大衛馬利克斯 , 歐樂B 達特 , 查理斯R 希普列
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/181 , H05K3/388 , H05K3/422
摘要：本發明所揭露之方法可將一種銅晶種層沉積於具有導電層之基板上。該方法尤其適合將銅晶種層沉積於具小孔徑以及最佳之非常小孔徑的基板上。
简体摘要：本发明所揭露之方法可将一种铜晶种层沉积于具有导电层之基板上。该方法尤其适合将铜晶种层沉积于具小孔径以及最佳之非常小孔径的基板上。

36. 发明专利

TW514557B 連續進料之塗佈機有权
简体标题：连续进料之涂布机
公开(公告)号：TW514557B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090122820
申请日：2001-09-14
申请人：希普列公司
发明人：安卓T 杭特 , 溫尼尼爾森 , 米歐崔克歐傑卡 , 愛德華J 利爾登 , 辛-俊安傑黃 , 威廉D 丹尼爾森 , 詹姆士D 哈金斯 , 大衛E 班 , 愛恩H 肯見爾 , 蘇意彬
IPC分类号： B05B , C23C
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/453 , C23C16/45578 , C23C16/45585 , C23C16/45589 , C23C16/45591 , C23C16/545
摘要：一種連續進料塗佈機，係以蒸氣化或噴灑之材料來塗佈一定長度的基板。一種具體的實例係捲軸對捲軸式塗佈機，係包括兩個下方供應滾輪，用以支撐兩個未塗佈材料之薄片，以及兩個上方捲收滾輪，係用以支撐經過塗佈後之薄片。有一中央薄片支撐件構成用以做為沉積罩體或腔室之沉積空間，藉由使兩薄片彼此極為靠近來構成該沉積空間之兩個較大壁體。薄片之端部係利用側邊堰部來加以密封，以形成具有長方形截面形狀之罩體，而使蒸氣不會由材料之邊緣散逸出去。欲沉積在捲狀材料上之蒸氣化塗佈物成份，以由位在沉積空間底部之塗佈材料供應源來將其導入至沉積空間中，並且經由沉積空間的頂部來加以排出。該沉積空間之兩個較大表面積的壁體係由欲塗佈材料所構成，而形成具有極佳塗佈效率的塗佈系統。沉積空間之頂部係包括口排氣系統，具有一細孔板，該細孔板係具有複數個在沉積空間寬度上隔開的細孔。這些細孔係可以限制氣體的排放，以提供氣體及蒸氣在欲塗佈材料上的停留時間。藉由進一步控制細孔之彼此相對關係，便可以控制在沉積空間之寬度上的差壓，以進一步在基板材料之兩薄片寬度上來提供均勻的塗佈。在此亦揭露兩個不同的薄片處理實施例，以做為一連續的基板系統。
简体摘要：一种连续进料涂布机，系以蒸气化或喷洒之材料来涂布一定长度的基板。一种具体的实例系卷轴对卷轴式涂布机，系包括两个下方供应滚轮，用以支撑两个未涂布材料之薄片，以及两个上方卷收滚轮，系用以支撑经过涂布后之薄片。有一中央薄片支撑件构成用以做为沉积罩体或腔室之沉积空间，借由使两薄片彼此极为靠近来构成该沉积空间之两个较大壁体。薄片之端部系利用侧边堰部来加以密封，以形成具有长方形截面形状之罩体，而使蒸气不会由材料之边缘散逸出去。欲沉积在卷状材料上之蒸气化涂布物成份，以由位在沉积空间底部之涂布材料供应源来将其导入至沉积空间中，并且经由沉积空间的顶部来加以排出。该沉积空间之两个较大表面积的壁体系由欲涂布材料所构成，而形成具有极佳涂布效率的涂布系统。沉积空间之顶部系包括口排气系统，具有一细孔板，该细孔板系具有复数个在沉积空间宽度上隔开的细孔。这些细孔系可以限制气体的排放，以提供气体及蒸气在欲涂布材料上的停留时间。借由进一步控制细孔之彼此相对关系，便可以控制在沉积空间之宽度上的差压，以进一步在基板材料之两薄片宽度上来提供均匀的涂布。在此亦揭露两个不同的薄片处理实施例，以做为一连续的基板系统。

37. 发明专利

TW473743B 介電質組成物失效
简体标题：介电质组成物
公开(公告)号：TW473743B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW089118938
申请日：2000-09-15
申请人：希普列公司
发明人：詹姆士 G 雪爾那特 , 韋德索門伯克 , 詹姆士 L 尤伯利 , 珍尼彿派崔克西凱樂絲
IPC分类号： H01B
CPC分类号： G03F7/038 , H01B3/30 , H01B3/40 , H05K3/4661 , H05K2201/015 , H05K2201/0154 , H05K2201/0158 , Y10S428/901 , Y10T428/31504
摘要：本發明揭示用於電路板製造的低voc，介電質組成物。本發明亦揭示使用該低voc，介電質組成物製造電路板之方法。
简体摘要：本发明揭示用于电路板制造的低voc，介电质组成物。本发明亦揭示使用该低voc，介电质组成物制造电路板之方法。

38. 发明专利

TWI314247B 短波長成像用之負型光阻劑 MEGATIVE PHOTORESISTS FOR SHORT WAVELENGTH IMAGING 有权
简体标题：短波长成像用之负型光阻剂 MEGATIVE PHOTORESISTS FOR SHORT WAVELENGTH IMAGING
公开(公告)号：TWI314247B
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW092104504
申请日：2003-03-04
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：巴克萊喬治G BARCLAY, GEORGE G. , 帕格里諾尼可拉 PUGLIANO, NICOLA
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要：本發明係提供一種適合用於短波長成像之負型作用光阻劑組成物,特別是適合用於波長小於200奈米,例如193奈米。本發明之光阻劑係透過交聯或其他溶解度之轉換機制,在塗層的曝光區域以及未曝光區域間形成對比。本發明較佳之光阻劑係包含含有可增進對鹼性水溶液的溶解度(aqueous base solubility)之重複單元的樹脂成分。
简体摘要：本发明系提供一种适合用于短波长成像之负型作用光阻剂组成物,特别是适合用于波长小于200奈米,例如193奈米。本发明之光阻剂系透过交联或其他溶解度之转换机制,在涂层的曝光区域以及未曝光区域间形成对比。本发明较佳之光阻剂系包含含有可增进对碱性水溶液的溶解度(aqueous base solubility)之重复单元的树脂成分。

39. 发明专利

TWI308666B 短波長成像用之光阻組成物 PHOTORESIST COMPOSITIONS FOR SHORT WAVELENGTH IMAGING 失效
简体标题：短波长成像用之光阻组成物 PHOTORESIST COMPOSITIONS FOR SHORT WAVELENGTH IMAGING
公开(公告)号：TWI308666B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW091137961
申请日：2002-12-31
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：提摩希G‧亞當斯 TIMOTHY G. ADAMS , 喬治G‧巴克萊 GEORGE G. BARCLAY
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要：本發明提供新穎之光阻,該光阻適合用於短波長成像,包含次200奈米,特別是193奈米。本發明光阻含有包含氟取代基及脂環離去基之聚合物,該聚合物可藉由丙烯酸烷酯化合物的聚合反應而形成。
简体摘要：本发明提供新颖之光阻,该光阻适合用于短波长成像,包含次200奈米,特别是193奈米。本发明光阻含有包含氟取代基及脂环离去基之聚合物,该聚合物可借由丙烯酸烷酯化合物的聚合反应而形成。

40. 发明专利

TWI296071B 移除聚合物型物質之組成物及方法,以及製造薄膜磁頭之方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVAL OF POLYMERIC METERIAL, AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM HEADS 失效
简体标题：移除聚合物型物质之组成物及方法,以及制造薄膜磁头之方法 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVAL OF POLYMERIC METERIAL, AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM HEADS
公开(公告)号：TWI296071B
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：TW090104230
申请日：2001-02-23
申请人：希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C.
发明人：傑弗德‧J‧夏巴特 JAVAD J. SAHBARI , 夏恩‧J‧夏巴特 SHAWN J. SAHBARI
IPC分类号： G03F , C11D
CPC分类号： C11D3/0073 , C11D3/43 , C11D7/5009 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：本發明揭示一種組成物，其可用以自基板例如電子裝置移除聚合物型物質。本發明組成物特別適合用來從高級磁性裝置移除聚合物型殘留物。本發明亦揭示移除此等聚合物型物質之方法。
简体摘要：本发明揭示一种组成物，其可用以自基板例如电子设备移除聚合物型物质。本发明组成物特别适合用来从高级磁性设备移除聚合物型残留物。本发明亦揭示移除此等聚合物型物质之方法。

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