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    • 28. 发明专利
    • データストレージセル及びメモリ構成
    • 数据存储单元和存储器布置
    • JP2015164086A
    • 2015-09-10
    • JP2014233717
    • 2014-11-18
    • アイメック・ヴェーゼットウェーIMEC VZW
    • ステファン・コーゼマンス
    • B82Y10/00G11C11/50
    • G11C23/00G11C11/54H01H1/0094
    • 【課題】高速リードアクセスを伴うメモリ素子、それらメモリセルを含むメモリ構成、及び、それらメモリ素子を読み出し書き込むバイアススキームを提供する。 【解決手段】データを格納するデータストレージセルは、第1のアンカーに固定された第1の移動自在ビーム101と、第1のコントロールゲート及び第2のコントロールゲートと、第1の移動自在ビームが対向して配置され得る第1のアウトプットノードとを含む、第1のナノ電気機械スイッチを含む。第2のアンカーに固定された第2の移動自在ビームと、第3のコントロールゲート及び第4のコントロールゲートとを含む。第2の移動自在ビームは第1のアウトプットノードに対向して配置される。第1のナノ電気機械スイッチ及び第2のナノ電気機械スイッチは、データストレージセルの第1の状態若しくは第2の状態を選択するように構成される。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有快速读取访问的存储元件,包括这种存储单元的存储器装置以及用于读取和写入这种存储元件的偏置方案。解决方案:用于存储数据的数据存储单元包括第一纳米机电 开关,其包括固定到第一锚,第一控制栅极和第二控制栅极的第一可移动梁101,第一可移动梁可定位在其上的第一输出节点。 数据存储单元还包括第二纳米机电开关,其包括固定到第二锚定器,第三控制栅极和第四控制栅极的第二可移动梁。 第二可移动光束被定位成抵靠第一输出节点。 第一纳米机电开关和第二纳米机电开关被配置用于选择数据存储单元的第一或第二状态。