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21. 发明专利

JP6059940B2 気相成長装置有权
标题翻译：气相沉积装置
公开(公告)号：JP6059940B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2012221856
申请日：2012-10-04
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 生方映徳 , 内山康右
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/683 , H01L21/205

22. 发明专利

JP2015218340A 気相成長装置有权
标题翻译：蒸气相生长装置
公开(公告)号：JP2015218340A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100688
申请日：2014-05-14
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 内山康右
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
摘要：【課題】反応炉内の熱による反応炉の変形を防ぐことが可能な気相成長装置を提供する。【解決手段】底壁2、側壁3、上蓋4を有する反応炉5と、反応炉5内に原料ガス6を噴出させるノズル7と、反応炉5の底壁2を貫通してノズル7に原料ガス6を供給する原料ガス供給配管8と、ノズル7を中心に配設するとともに1以上の基板9を載置するサセプタ10と、反応炉5内に設けられて基板9を加熱する加熱手段11と、サセプタ10の上面と平行となるように対向配置された対向板12と、を備え、反応炉5の炉壁の炉内側表面に、反応炉5内の熱の伝達を阻害する遮熱層16を設けることを特徴とする気相成長装置1を採用する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止反应器在反应器中由于热而变形的气相生长装置。解决方案：气相生长装置1包括：反应器5，其具有底壁2，侧壁3和顶盖4; 用于将原料气体6喷射到反应器5中的喷嘴7; 用于穿透反应器5的底壁2以将原料气体6供应到喷嘴7的原料气体供给管线8; 用于将喷嘴7布置在中心并安装一个或多个基板9的基座10; 设置在反应器5中并加热基板9的加热装置11; 以及与基座10的上表面平行地相对设置的相对的板12.在炉壁的炉内侧表面设置用于防止反应器5内的热量传递的热屏蔽层16 反应器5。

23. 发明专利

JP5791329B2 気相成長装置有权
标题翻译：气相沉积装置
公开(公告)号：JP5791329B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2011077390
申请日：2011-03-31
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：内藤一樹 , 山口晃 , 内山康右 , 山本淳
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/68 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/4584 , H01L21/67754 , H01L21/68764 , H01L21/68771

24. 发明专利

JP2021034469A 基板搬送装置及びこれを用いた基板取り出し方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021034469A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019151044
申请日：2019-08-21
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：井口瑛一 , 山岡優哉 , 内山康右 , 朴冠錫
IPC分类号： B25J15/08 , H01L21/677
摘要：【課題】複雑な構造や動作を必要とすることなく、基板を収納容器から確実に取り出すことができる基板搬送装置及びこれを用いた基板取り出し方法を提供する。【解決手段】基板搬送装置11は、収納容器17に対して基板の取り出し又は収納動作を実行し、昇降動及び水平移動可能なアーム12と、該アーム上に円形の基板13を保持する保持部とを備え、該保持部は、基板の中心を挟んで互いに対向する一対のチャック機構14からなり、アームの先端部に設けられたチャック爪15と、アームに対して水平方向に相対移動可能に配置され、基板をチャック爪との間で径方向に挟持するチャック本体16とを有して形成されている。また、チャック爪及びチャック本体は、挟持動作の実行時に基板をガイドして該基板の位置決めが可能な円弧当接面15a,16aをそれぞれ有して形成されている。【選択図】図8

25. 发明专利

JP2020017694A フランジ締結構造及びこれを用いた気相成長装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020017694A
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：JP2018141207
申请日：2018-07-27
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 椎名一成 , 島村隼人
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
摘要：【課題】簡単な構造で流路の接続部における気密性の低下を防止できるフランジ締結構造及びこれを用いた気相成長装置を提供する。【解決手段】一対のフランジ25,26をボルト28とナット29との締め付けにより締結するフランジ締結構造であって、一対のフランジ同士の間に前記フランジよりも熱膨張率が大きい材料からなるバッファ材27を挟持させるとともに、バッファ材よりも熱膨張率が小さく、かつ、一対のフランジよりも熱膨張率が大きい材料からなるボルト28を使用してフランジを締結する。【選択図】図2

26. 发明专利

JP6411231B2 気相成長装置审中-公开
公开(公告)号：JP6411231B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2015012594
申请日：2015-01-26
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 内山康右
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/205

27. 发明专利

JP5997952B2 気相成長装置有权
公开(公告)号：JP5997952B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2012151967
申请日：2012-07-06
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 内山康右
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/458 , H01L21/683
CPC分类号： C30B25/12 , C23C14/505 , C23C16/4584 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/4583

28. 发明专利

JP2016076610A 気相成長装置における基板搬送方法及び装置审中-公开
标题翻译：蒸汽输送方法和蒸汽增长装置中的装置
公开(公告)号：JP2016076610A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014206329
申请日：2014-10-07
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：山口晃 , 内山康右
IPC分类号： H01L21/677 , C23C16/44 , H01L21/205
摘要：【課題】一度に複数枚の基板に成膜処理を行う気相成長装置において、パーティクルの付着を抑制できると共にスループットを飛躍的に向上させることができる気相成長装置における基板搬送方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明に係る気相成長装置1の基板搬送方法は、反応炉室5内で気相成長処理が行われている間に、反応炉室5外において未処理の基板6Aを載置したサセプタカバー15を待機させておく待機工程と、気相成長処理が終了したときに処理済みの基板6Bを載置したサセプタカバー15を炉外に取り出して基板仮置き室7に搬送する基板搬出工程と、待機工程で待機させておいた未処理の基板6Aを載置したサセプタカバー15を反応炉室5内に搬入する基板搬入工程と、基板搬出工程で基板仮置き室7に搬出された処理済みの基板6Bの回収と未処理の基板6Aをサセプタカバー15に載せ換える基板載せ換え工程とを備えたものである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在能够抑制颗粒沉积并且显着提高在多个晶片上同时进行沉积处理的气相生长装置中的生产率的气相生长装置中的晶片输送方法和装置。解决方案：晶片输送方法对于气相生长装置1，包括：备用步骤，在反应室5内进行蒸气生长处理的同时，在反应室5的外部设置待机的未加工晶片6A的基座罩15; 在蒸气生长处理结束时将从处理晶片6B放置的基座盖15取出的晶片进出步骤，并将晶片输送到临时晶片放置室7; 承载未加工晶片6A的基座盖15的晶片携带步骤在备用步骤中被置于反应室5中; 以及晶片交换步骤，用于在晶片进行步骤中收集被执行到临时晶片放置室7的处理晶片6B，并将未处理晶片6A传送到基座盖15上。选择的图示：图1

29. 发明专利

JP2021039994A 気相成長装置の基板搬送機構及び基板搬送方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021039994A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019159283
申请日：2019-09-02
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：富田優志 , 山岡優哉 , 井口瑛一 , 内山康右 , 朴冠錫
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/683
摘要：【課題】半導体結晶の均一な成膜を促すことができ、半導体の歩留まりがよい気相成長装置の基板搬送機構を提供する。【解決手段】気相成長装置の基板搬送機構12は、サセプタ14の基板受け渡し位置16に円孔部14aと基板載置台17とを備え、基板受け渡し位置16の上方には、搬送アーム18によって運ばれた基板15の外周を支持可能な複数の爪部19aを有する上部チャック19と、爪部19aを通す切欠き部20aを有し内径が基板15の径に対応した円筒形状の上部カバー20と、爪部19aを開閉可能な爪部開閉駆動部19bと、上部チャック19及び上部カバー20を昇降可能な上部昇降シリンダ21とを備え、基板受け渡し位置16の下方には、基板載置台17を下方から把持する下部チャック22と、下部チャック22を動作させる下部チャック動作部23と、下部チャック22を昇降可能な下部昇降シリンダ24とを備えている。【選択図】図1

30. 发明专利

JP6679413B2 気相成長装置用部品の洗浄装置有权
公开(公告)号：JP6679413B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2016102219
申请日：2016-05-23
申请人：大陽日酸株式会社 , 大陽日酸CSE株式会社
发明人：有村忠信 , 山口晃 , 山岡優哉 , 内山康右
IPC分类号： B08B7/00

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