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    • 30. 发明申请
    • Layered metal structure for interconnect element
    • 用于互连元件的分层金属结构
    • US20080093108A1
    • 2008-04-24
    • US11801336
    • 2007-05-09
    • David Light
    • David Light
    • H01B5/00H01R43/00
    • H05K3/062H05K3/202H05K2201/0361H05K2203/0384Y10T29/49224
    • A layered metal structure is provided in accordance with an aspect of the invention. The structure can be used, for example, to fabricate a conductive interconnect element for conductively interconnecting one or more microelectronic elements. The layered structure includes first and second metal layers each of which may include one or more of copper or aluminum, for example. An intervening layer, may include for example, chromium between the first and second metal layers, chromium being resistant to an etchant usable to pattern the first and second metal layers selectively to the intervening layer. An etchant such as cupric chloride, ferric chloride (FeCl3), a peroxysulfuric composition, or a persulfate composition may be used to pattern the first and second metal layers in such case.
    • 根据本发明的一个方面提供了层状金属结构。 该结构可以用于例如制造导电互连一个或多个微电子元件的导电互连元件。 层状结构包括例如可以包括铜或铝中的一种或多种的第一和第二金属层。 中间层可以包括例如在第一和第二金属层之间的铬,铬耐腐蚀剂可以选择性地将第一和第二金属层图案化成中间层。 在这种情况下,可以使用诸如氯化铜,氯化铁(FeCl 3 N 3),过氧化硫组合物或过硫酸盐组合物的蚀刻剂来图案化第一和第二金属层。