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21. 发明申请

WO2016180939A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和光电模块
公开(公告)号：WO2016180939A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060744
申请日：2016-05-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/38 , H01K5/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/382 , H01L24/30 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/62
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) weist einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkör- per (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halb- leiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zwei- ten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgese- hen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch lei- tend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden. Der erste Kon- takt (41) ist auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet. Die zweite Halb- leiterschicht (22) ist elektrisch leitend sowohl mit einem zweiten Kontakt (42) als auch mit einem dritten Kontakt (43) verbunden. Der zweite Kontakt (42) ist auf der dem Halb- leiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers (5) und der dritte Kontakt (43) ist auf der dem Halbleiterkörper ab- gewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet.
摘要翻译：的光电子半导体芯片（1）包括支撑件（5）和由Halbleiterkör-（2），其具有半导体层序列的载体（5）上布置一个。半导体层序列包括第一半导体层（21）和两个半导体层（22）之间的有源区（20）被布置和被提供用于母鸡以产生或接收电磁辐射。在第一半导体层（21）是导电连接到趋向于第一接触（41）。上从所述载体（5）的半导体主体后侧（52）远程一个侧的第一接触（41）形成。第二半导体层（22）被连接到导电两者的第二接触（42）和第三触点（43）。在面向所述载体（5）和第三接触（43）的半导体主体前表面（51）侧的第二接触（42）是在关断半导体本体面向载体（5）的后表面（52）形成。

22. 发明申请

WO2016150837A1 OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光电照明装置和方法用于制造光电子发光装置
公开(公告)号：WO2016150837A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/EP2016/055926
申请日：2016-03-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , LINKOV, Alexander , SPERL, Matthias , KIESSLING, Matthias
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/005 , H01L33/507
摘要： Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - einen Träger (403), - auf welchem eine lichtemittierende Diode (405) angeordnet ist, - wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche (407) der Diode eine mehrere Mikrolinsen (105) aufweisende Mikrolinsenstruktur (101, 801) angeordnet ist, - wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht (501) angeordnet ist, - so dass von der lichtemittierenden Oberfläche (407) emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur (101, 801) abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 支承件（403）， - 在其上的发光二极管（405）设置， - 其中，具有多个微透镜（105）的微透镜结构的二极管的发光表面（407）（101上位于801）， - 其中，转换层（501）被设置在微透镜结构， - 使得（来自发光面407），通过微透镜结构（101至少部分地发出的光，准备801），然后可以被转换。本发明还涉及一种用于制造光电发光装置。

23. 发明申请

WO2016146297A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016146297A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/051986
申请日：2016-01-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/54 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2933/005
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (6), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (10) und einen auf einer Oberseite (12) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (16) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips (6) auf dem Hilfsträger (2), wobei die Halbleiterchips (6) in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper (16) vom Trägerkörper (10) aus gesehen von dem Hilfsträger (2) abgewandt sind; d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (28) zumindest in Bereichen zwischen den Trägerkörpern (10) benachbarter Halbleiterchips (6), wobei die Halbleiterchips überformt werden; e) Entfernen des Hilfsträgers (2); f) Dünnen des Gehäusekörperverbunds (28); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (28) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip (6) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper aufweist.
摘要翻译：一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b的）提供多个半导体芯片（6），其特征在于，设置在每个半导体芯片的承载体（10）和一个（在承载体半导体主体的上侧12）（16）; c）该辅助载体（2），其中所述半导体芯片（6）在横向方向（L）间隔开并且上固定多个半导体芯片（6），其中，所述半导体主体（16）（从作为从辅助载体观察到的载体主体10）（2）背对; D）形成至少一个复合壳体主体（28）的区域相邻的半导体芯片（6），其特征在于，形成在半导体芯片的承载体（10）之间; e）移除所述辅助载体（2）; F）在壳体主体组件的薄型化（28）; 和g）切割所述壳体组件（28）转换成多个光电子半导体器件（100）的，具有至少一个半导体芯片（6）和作为外壳主体外壳主体复合材料的部分中的每个半导体器件。

24. 发明申请

WO2015036368A1 TESTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM TESTEN VON OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：测试设备和检验方法亚光电子组件
公开(公告)号：WO2015036368A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/EP2014/069097
申请日：2014-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZEISEL, Roland , VOGL, Anton , NIEBLING, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , LEIRER, Christian
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2635
摘要： Eine Vorrichtung zum Testen von in einem Waferverbund angeordneten optoelektronischen Bauelementen umfasst einen Kontaktträger, der eine Mehrzahl von Testeinheiten aufweist. Jede Testeinheit weist mindestens ein an einer Unterseite des Kontaktträgers angeordnetes Kontaktelement auf. Außerdem weist jede Testeinheit ein optisch durchlässiges Fenster auf, das sich zwischen der Unterseite und einer Oberseite des Kontaktträgers erstreckt.
摘要翻译：用于测试设置在光电器件的晶片组件的装置包括具有多个测试单元的接触载体。每个测试单元具有至少一个设置在所述接触载体接触元件的下侧。另外，每个测试单元，以使得底部和接触载体的顶部之间延伸的光透射窗口。

25. 发明申请

WO2014166724A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2014166724A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：PCT/EP2014/055857
申请日：2014-03-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , LEIRER, Christian , ZINI, Lorenzo , OFF, Jürgen , LÖFFLER, Andreas , BAUER, Adam
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/025 , H01L27/15 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L33/382
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: einen Träger (103), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (105) aufgebracht ist, die eine n-dotierte und eine p-dotierte Halbleiterschicht (107) umfasst, so dass ein p-n-Übergang (111) gebildet ist, der eine aktive Zone (113) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst, wobei zumindest eine der n-dotierten und der p-dotierten Halbleiterschicht einen dotierten Bereich mit einer ersten Dotierungskonzentration umfasst, die größer ist als eine zweite Dotierungskonzentration in einer Umgebung des Bereichs in der den Bereich umfassenden Halbleiterschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (101).
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（101），包括：在其上施加的半导体层序列（105），其包括n掺杂和p掺杂的半导体层（107）的支撑件（103），以便形成pn结（111）被形成，其包括用于产生电磁辐射的有源区（113），其特征在于，其包括具有第一掺杂浓度低于第二掺杂浓度在更大的掺杂区的n掺杂和p掺杂半导体层中的至少一个该区域包括在半导体层的区域的环境。本发明还涉及一种用于制造光电子器件（101）的相应方法。

26. 发明申请

WO2020064943A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT KONTAKTELEMENTEN UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020064943A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/EP2019/076065
申请日：2019-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , SCHUMANN, Michael
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/14
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (123, 132), und ein erstes und ein zweites Kontaktelement (127, 137). Die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) bildeneinen Schichtstapel.Die erste Stromverteilungsschicht (123) ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) elektrisch leitend verbunden. Die zweite Stromverteilungsschicht (132) ist auf der von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet und mit der zweiten Halbleiterschicht (120) elektrisch leitend verbunden. Das erste Kontaktelement (127) ist mit der ersten Stromverteilungsschicht (123) verbunden. Das zweite Kontaktelement (137) ist mit der zweiten Stromverteilungsschicht (132) verbunden. Das erste oder zweite Kontaktelement (127, 137) erstrecktsich lateral bis zu mindestens einer Seitenfläche (103) des optoelektronischen Halbleiterchips (11).

27. 发明申请

WO2018215306A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018215306A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：PCT/EP2018/062973
申请日：2018-05-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , MÜLLER, Christian , OTTO, Isabel
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend *einen Halbleiterkörper (2) mit -einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), -mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, *eine elektrisch leitende Trägerschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und *eine elektrisch schwach leitende Isolierung (6), die -zwischen der Trägerschicht (8) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, -die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt und sich bis auf mindestens eine Seitenfläche (2C, 2D) des Halbleiterkörpers (2) erstreckt, und -eine erste Isolierschicht (61) und eine zweite Isolierschicht (62) aufweist, wobei die zweite Isolierschicht (62) auf einer dem Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite der ersten Isolierschicht (61) angeordnet ist und sich die erste und zweite Isolierschicht (61, 62) in ihrer Steifigkeit und/oder Elastizität voneinander unterscheiden. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

28. 发明申请

WO2018206399A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018206399A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/EP2018/061377
申请日：2018-05-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , OTTO, Isabel
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/52
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (I) mit einer ersten Hauptfläche, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (1) umfasst, - Aufbringen einer metallischen Keimschicht (5) auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt, - galvanisches Abscheiden einer ersten metallischen Schicht (10) auf der Keimschicht (5) zur Bildung einer ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und einer zweiten elektrischen Kontaktstelle (12), - galvanisches Abscheiden einer zweiten metallischen Schicht (II) auf der ersten metallischen Schicht (10) zur Bildung der ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und der zweiten elektrischen Kontaktstelle (12), wobei das Material der ersten metallische Schicht (10) und das Material der zweiten metallischen Schicht (11) verschieden sind, und - Aufbringen einer Vergussmasse (15) zwischen die Kontaktstellen (12). Weiterhin wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

29. 发明申请

WO2018041641A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：制造光电子半导体组件和光电子半导体组件的方法
公开(公告)号：WO2018041641A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/EP2017/070853
申请日：2017-08-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , RAFAEL, Christine , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer darauf angeordneten Halbleiterschichtenfolge (10) erfolgt, welche zur Emission von Licht geeignet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) zumindest einen Trenngraben (3) umfasst, welcher sich zumindest teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge (10) von einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10) in Richtung des Aufwachssubstrats (2) erstreckt. In einem Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen einer Lackstruktur (4) im Trenngraben (3). In einem Verfahrensschritt C) erfolgt ein Anordnen eines Vergusses (6) auf der dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite (10a) der Halbleiterschichtenfolge (10), so dass der Verguss (6) mit zumindest einem Teil der Lackstruktur (4) seitlich in Kontakt ist.
摘要翻译：
它提供了一种用于制造光电子半导体器件，其特征在于，在方法步骤A）提供（2），其具有设置在其上的半导体层序列（10），其适合于发射光的生长衬底的方法，其中半导体层序列（10）包括（3）通过半导体层序列（10）至少部分地延伸从生长衬底（2）侧（10a）的背向至少一个划界沟槽，所述的在生长衬底的方向半导体层序列（10）（2）。在方法步骤B）中，在分离槽（3）中布置漆结构（4）。在方法步骤C）上设置灌封化合物（6）在（背向生长衬底2）开出半导体层序列（10）的地方侧（10A），使得所述封装（6）与至少（在接触的一侧的抗蚀剂图案4）的一部分是

30. 发明申请

WO2017072074A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电子器件
公开(公告)号：WO2017072074A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/EP2016/075555
申请日：2016-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HAHN, Berthold , PERZLMAIER, Korbinian , LEIRER, Christian , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), wobei die aktive Schicht (10) dazu eingerichtet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Weiter umfasst das Bauelement (100) eine erste Kontaktstruktur (11) und eine zweite Kontaktstruktur (12), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch kontaktierbar ist. Im Betrieb sind die Kontaktstrukturen (11, 12) mit einer Spannung beaufschlagt, wobei sich eine betriebsbedingte Spannungsdifferenz ΔU bet zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) ausbildet. Bei Erhöhung der Spannungsdifferenz tritt ein erster Überschlag in oder an dem Bauelement (100) zwischen den beiden Kontaktstrukturen (11, 12) auf. Eine bei dem ersten Überschlag entstehende Funkenstrecke (3) zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) verläuft dabei überwiegend durch ein Umgebungsmedium in Form von Gas oder Vakuum und/oder durch einen Verguss. Der erste Überschlag tritt frühestens bei einer Spannungsdifferenz von 2∙ΔU bet auf.
摘要翻译：一种光电子器件（100）包括具有有源层（10）的半导体层序列（1），其中有源层（10）适于在正常操作期间产生电磁辐射或吸收。此外，部件（100）包括第一接触结构（11）和第二接触结构（12），半导体层序列（1）可以在期望的操作期间通过该第一接触结构和第二接触结构电接触。在操作中，接触结构（11,12）经受电压，其中在接触结构（11,12）之间形成操作电压差ΔUmin。随着电压差增大，第一翻转发生在两个接触结构（11,12）之间的装置（100）中或上。在第一转向过程中在接触结构（11,12）之间出现的火花隙（3）主要通过气体或真空形式的环境介质和/或通过灌封。第一次翻转最早出现在电压差为2？ΔU_{bet 的地方。}

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