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    • 25. 发明申请
    • KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
    • 边发射半导体激光器
    • WO2010124989A1
    • 2010-11-04
    • PCT/EP2010/055364
    • 2010-04-22
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHSCHILLGALIES, MarcLUTGEN, StephanSTRAUSS, Uwe
    • SCHILLGALIES, MarcLUTGEN, StephanSTRAUSS, Uwe
    • H01S5/20H01S5/0683
    • B82Y20/00H01L2224/48091H01L2224/48247H01S5/02212H01S5/028H01S5/0281H01S5/0683H01S5/2031H01S5/32341H01S5/34H01S2301/185H01L2924/00014
    • Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2a), eine zweite Wellenleiterschicht (2b) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2a) und der zweiten Wellenleiterschicht (2b) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (5) aufweist, und der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1a) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1b) angeordnet ist. Der Wellenleiterbereich (4) weist eine Dicke (d) von 400 nm oder weniger auf und ein Abstrahlwinkel der in einer Richtung parallel zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) und der Abstrahlwinkel der in einer Richtung senkrecht zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) unterscheiden sich um weniger als einen Faktor 3 voneinander.
    • 提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域(4),其中,所述波导区(4)包括第一波导层(2a)中,第二波导层(2b)和所述第一波导层之间(2a)和半导体主体(10) 第二波导层(2b)的(3),用于产生激光辐射(5),和波导区域(4)的第一包层(1a)和一个波导区域(4)之间在半导体本体的生长方向(10)随后的第二布置的有源层 包覆层(1b)中设置。 波导区域(4)具有400纳米或更小的厚度(d)和在平行的辐射角与半导体本体的有源层(3)的层平面的方向(10)出现的激光辐射(5)和一个辐射的角度 垂直于所述半导体主体的有源层(3)离开(10)的激光辐射(5)由不同的层平面方向小于彼此的3倍。