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21. 发明专利

TW201446491A 熔合金屬奈米結構網絡、具有還原劑之熔合溶液及形成金屬網絡的方法审中-公开
简体标题：熔合金属奈米结构网络、具有还原剂之熔合溶液及形成金属网络的方法
公开(公告)号：TW201446491A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103106126
申请日：2014-02-24
申请人： C3奈米有限公司 , C3NANO INC.
发明人：維卡艾杰 , VIRKAR, AJAY , 楊希強 , YANG, XIQIANG , 李英熙 , LI, YING-SYI , 麥進丹尼斯 , MCKEAN, DENNIS , 雷謬斯梅奧本C , LEMIEUX, MELBURNE C.
IPC分类号： B32B15/02 , B32B5/02 , H05K1/02 , B05D1/36 , B05D3/06 , B05D3/10 , H05K1/09 , H05K3/02 , H03K17/96
CPC分类号： H03K17/9622 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/281 , B32B27/286 , B32B27/288 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2270/00 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , C09D11/52 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H03K2217/96031 , H05K1/097 , H05K3/027 , H05K3/06 , H05K3/1283 , H05K2201/0108 , H05K2201/026 , H05K2203/107 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , Y10T428/12424 , Y10T428/12444 , Y10T442/655
摘要：本發明已發現還原/氧化試劑可有效地經由明顯熟化類型過程將稀疏的金屬奈米線膜以化學方式固化成熔合金屬奈米結構網絡。所得熔合網絡可提供所需低薄層電阻同時維持良好光學透明度。透明導電膜可有效地以單一導電墨水形式施用或經由在後續添加熔合劑下依序形成金屬奈米線膜來施用。熔合金屬奈米線膜可有效地經圖案化，且圖案化膜可適用於諸如觸控式感測器之裝置。
简体摘要：本发明已发现还原/氧化试剂可有效地经由明显熟化类型过程将稀疏的金属奈米线膜以化学方式固化成熔合金属奈米结构网络。所得熔合网络可提供所需低薄层电阻同时维持良好光学透明度。透明导电膜可有效地以单一导电墨水形式施用或经由在后续添加熔合剂下依序形成金属奈米线膜来施用。熔合金属奈米线膜可有效地经图案化，且图案化膜可适用于诸如触摸式传感器之设备。

22. 发明专利

TWI624357B 熔合金屬奈米結構網絡、具有還原劑之熔合溶液及形成金屬網絡的方法有权
简体标题：熔合金属奈米结构网络、具有还原剂之熔合溶液及形成金属网络的方法
公开(公告)号：TWI624357B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103106126
申请日：2014-02-24
申请人： C3奈米有限公司 , C3NANO INC.
发明人：維卡艾杰 , VIRKAR, AJAY , 楊希強 , YANG, XIQIANG , 李英熙 , LI, YING-SYI , 麥進丹尼斯 , MCKEAN, DENNIS , 雷謬斯梅奧本C , LEMIEUX, MELBURNE C.
IPC分类号： B32B15/02 , B32B5/02 , H05K1/02 , B05D1/36 , B05D3/06 , B05D3/10 , H05K1/09 , H05K3/02 , H03K17/96

23. 发明专利

TW201405583A 金屬奈米結構化之網絡及透明導電材料审中-公开
简体标题：金属奈米结构化之网络及透明导电材料
公开(公告)号：TW201405583A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102122029
申请日：2013-06-20
申请人： C3奈米有限公司 , C3NANO INC.
发明人：維卡艾杰 , VIRKAR, AJAY , 李英熙 , LI, YING-SYI , 楊希強 , YANG, XIQIANG , 雷謬斯梅奧本C , LEMIEUX, MELBURNE C.
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/22 , H01B5/14 , G06F3/041
CPC分类号： C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/52 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/02 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：將塗覆於基板上之金屬奈米線(例如銀奈米線)熔接在一起以形成熔接金屬奈米線網路，該等網路具有經極大改良之導電率同時維持良好透明度。自本文所闡述之該等熔接金屬奈米線網路形成之材料可具有至少約85%之對可見光之透明度及不大於約100歐姆/平方之薄片電阻或至少約90%之對可見光之透明度及不大於約250歐姆/平方之薄片電阻。除維持良好透明度以外，自該等燒結金屬奈米線網路形成之該等材料可具有不大於0.5之濁度。本發明揭示形成該熔接金屬奈米線網路之方法，該方法涉及將金屬奈米線以短時間標度暴露於多種助熔劑。所得燒結網路可具有核殼結構，其中金屬鹵化物形成該殼。此外，本發明闡述形成具有高導電率之燒結金屬奈米線網路區域及低導電率之未燒結金屬奈米線區域之圖案化結構之有效方法。本發明亦闡述相應圖案化膜。當形成為膜時，包括該金屬奈米線網路之材料展示低薄片電阻同時合意地維持高光學透明度水準與低濁度，從而使其適用於形成透明電極、觸控感測器及其他電子/光學裝置。
简体摘要：将涂覆于基板上之金属奈米线(例如银奈米线)熔接在一起以形成熔接金属奈米线网络，该等网络具有经极大改良之导电率同时维持良好透明度。自本文所阐述之该等熔接金属奈米线网络形成之材料可具有至少约85%之对可见光之透明度及不大于约100欧姆/平方之薄片电阻或至少约90%之对可见光之透明度及不大于约250欧姆/平方之薄片电阻。除维持良好透明度以外，自该等烧结金属奈米线网络形成之该等材料可具有不大于0.5之浊度。本发明揭示形成该熔接金属奈米线网络之方法，该方法涉及将金属奈米线以短时间标度暴露于多种助熔剂。所得烧结网络可具有核壳结构，其中金属卤化物形成该壳。此外，本发明阐述形成具有高导电率之烧结金属奈米线网络区域及低导电率之未烧结金属奈米线区域之图案化结构之有效方法。本发明亦阐述相应图案化膜。当形成为膜时，包括该金属奈米线网络之材料展示低薄片电阻同时合意地维持高光学透明度水准与低浊度，从而使其适用于形成透明电极、触摸传感器及其他电子/光学设备。

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